用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO_(2)透明电阻薄膜

为用自对准技术制作聚焦型发射阵列 (FFEA)的聚焦极 ,要求FFEA的电阻层能透过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ni SiO2 金属陶瓷电阻层。研究结果表明 ,当适当调整Ni和SiO2 成份比例 ,可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌 ,能谱成份分析 ,方阻及透光率进行了讨论。最后 ,给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。