单晶硅各向异性湿法刻蚀的形貌控制

针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究。分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制。通过两种添加剂的共同作用,获得了具有光滑刻蚀表面(粗糙度约为1nm)和良好凸角保护(凸角侧蚀比率小于0.8)的刻蚀形貌。实验结果表明,在三重溶液(TMAH+Triton-X-100+IPA)下的刻蚀形貌具有明显优势。最后,基于添加剂对疏水性单晶硅材料的作用机理及表面张力调节,表面活性剂和酒精类添加剂之间的相互作用分析了刻蚀形貌发生变化的原因。以典型悬臂梁-质量块的制作为例,验证了采用该单晶硅刻蚀形貌控制方法可以获得微加速度计光滑的悬臂梁表面和无需凸角补偿的完整质量块。相比于其它制作工艺,该方法简单、易操作,有利于提高微机电器件的性能。

TMAH+Triton中Si湿法腐蚀机理研究现状

在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究。介绍了硅湿法腐蚀机理的研究现状,通过不同腐蚀条件下得出的不同腐蚀结果分析其腐蚀机理。介绍了当非离子型表面活性剂加入碱性溶液时固体表面的活性剂吸附层结构,重点介绍了表面活性剂Triton X-100加入各向异性碱性腐蚀剂四甲基氢氧化铵(TMAH)后对活性剂吸附状态和硅腐蚀速率产生影响的根本原因。不同晶向硅表面的H基和OH基数量会影响其表面活性剂的吸附能力,硅在纯TMAH腐蚀液和加入活性剂Triton后的TMAH腐蚀液中的腐蚀速率存在一定差异,高质量分数的TMAH下加入不同体积分数的Triton时,不同晶面在活性剂吸附和腐蚀速率上也存在不同,给出了出现这些现象的机理分析。研究硅腐蚀机理可以为器件设计提供有效的理论支持,有助于制作更多新的MEMS结构。

低温阳极键合工艺研究

对低温阳极键合特性进行了研究。通过对硅片进行亲水、疏水和表面未处理3种不同处理方式研究其对键合的影响,键合前将硅片浸入去离子水(DIW)中不同时间,研究硅表面H基和氧化硅分子数量对键合的影响。结果表明经亲水处理的硅片在水中浸泡1 h的键合效果最佳。并设计了不同烘烤时间下的阳极键合实验,表明在100°C下烘烤30 min可以有效减少气泡的数量和尺寸。由不同工艺条件下得到的键合形貌可知,通过控制硅片表面微观状态可以达到减小或消除键合气泡的目的。

AlN压电薄膜的制备工艺

采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响。采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度。对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础。

不同阳极键合结果的影响因素研究

本文对阳极键合产生的气泡形貌、键合电流和Na离子积聚进行了研究,通过对硅片三种不同处理方式研究其对气泡产生的影响,处理方式包括亲水、疏水和未处理,结果表明经亲水处理的硅片可有效减少气泡的尺寸和数量。键合电流下降的速度与硅片处理方式有关,温度和玻璃中水分子的含量会影响键合峰值电流。玻璃表面钠离子堆积的数量与硅片处理方式和温度存在一定关系。

Au薄膜溅射功率对ZnO/Au复合薄膜质量的影响

在ZnO薄膜上采用不同溅射功率制作了Au薄膜,研究不同溅射功率对Au膜成膜速率、结晶质量和结合力的影响,表明在本实验中100 W功率下Au膜的成膜质量比较好。同时对Zn O薄膜电阻的影响进行了研究,结果表明溅射功率越高,ZnO导通的可能性越大,通过实验,溅射工艺在100 W下制备的Au薄膜对ZnO电阻影响最小。

热处理对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响(英文)

通过射频磁控溅射在氧化硅片表面沉积ZnO/Au薄膜,并通过不同的热处理方式对薄膜进行退火。为了研究退火对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响,采用X射线衍射分析(XRD)、光学显微镜、场发射扫面电镜(FESEM)和压电力分析仪对薄膜退火前后的材料特性进行了分析。研究发现,热处理能够改善ZnO/Au薄膜的结晶质量。特别是在氮气保护氛围下慢速退火后,薄膜结晶质量有明显改善。但是,热处理导致了薄膜的压电系数d33和d31降低。分析认为,热处理过程中Au原子在ZnO中的易迁移特性破坏了ZnO/Au薄膜的压电性能。

氟雷拉纳合成工艺研究

为了研究氟雷拉纳适合于工业化生产的合成方法,以2-氟甲苯为起始原料,经乙酰氯酰化,氰化钠氰基取代和硫酸水解得到4-乙酰基-2-甲基苯甲酸,然后在三乙胺的作用下,与3',5'-二氯-2,2,2-三氟苯乙酮经缩合,脱水,环化得到中间体4-(5-(3,5-二氯苯基)5-三氟甲基-4,5-二氢异噁唑-3-基)-2-甲基苯甲酸;以甘氨酸为原料,在碱NaOH作用下,与二碳酸二叔丁酯反应生成2-(叔丁氧基羰基氨基)乙酸,然后在N,N-羰基二咪唑和4-二甲胺吡啶的催化下,与三氟乙胺反应,随后通入干燥盐酸气体,得到中间体2-氨基-N-(2,2,2-三氟乙基)乙酰胺盐酸盐;最后两中间体经酰胺化反应合成目标产物氟雷拉纳,产率达86.7%。该合成工艺原料易得,价格便宜,目标产物的产率高,适用于氟雷拉钠工业化合成。

四唑虫酰胺的合成方法

[目的]改进四唑虫酰胺的合成工艺,提高收率。[方法]以环氧氯丙烷和丙酮为起始原料,经环化、脱卤、加成、氯化、水解等反应生成关键中间体1-(3-氯吡啶-2-基)-3-{[5-(三氟甲基)-2H-四唑-2-基]甲基}-1H-吡唑-5-羧酸。该中间体在甲基磺酰氯的作用下与该路线的另一个中间体2-氨基-5-氰基-N,3-二甲基苯甲酰胺经酰胺化反应最终得到目标产物四唑虫酰胺。[结果]产物结构经核磁谱图得到了验证。[结论]工艺简单,原料易得,产品容易提纯,总收率达26.84%,适应工业化生产。

新型介离子类杀虫剂二氯噻吡嘧啶的合成

[目的]合成新型介离子类杀虫剂二氯噻吡嘧啶。[方法]分别以2,3-二氯丙烯和2-氨基-3-甲基吡啶为原料经取代、环化和酰胺化等过程合成中间体N-[(2-氯-5-噻唑)甲基]-3-甲基-2-吡啶胺;以3,5-二氯苯胺为原料经重氮化、取代、水解、酸化、氯化后得到中间体2-(3,5-二氯苯基)丙二酰氯;在三乙胺作用下,上述2个中间体反应得到目的产物。[结果]经^(1)H NMR光谱鉴定,产物结构与二氯噻吡嘧啶一致。[结论]该工艺简单经济,条件温和,原料易得,适应工业化生产。

礼仪教育的传统意蕴和现代价值

我国有着悠久的传统文化,礼仪教育是传统文化的核心内容,因此应继承礼仪教育的精华,发挥礼仪教育的文化功能。礼仪是人类社会为了维系秩序而共同遵守的一种行为规范,我国有着悠久的礼仪传统,因此解读礼仪教育的传统意蕴具有重要意义。礼仪教育内容与伦理道德息息相关,其实质是一种调节机制,对个人心性和情感教育均有调节作用。礼仪教育具有较高的现代价值,对个人有以礼养德的修身作用;对社会有礼教秩序促进和谐的功效;对文化体现出文明之载体的传承意义。

0~3岁婴幼儿亲子教育的原则与技巧

好的沟通,语言背后必定是有一定的逻辑意义存在,不仅能够丰富孩子的见识,训练孩子的思维,引起孩子的共情,更重要的是能够建构成人和孩子之间良好的关系。如何进行0~3岁婴幼儿亲子教育?这似乎是每位家长都在孜孜以求的主题。