水晶丹外敷治疗难治性痛风急性发作的临床观察

目的探索水晶丹外敷治疗难治性痛风急性发作的疗效与机制。方法选取2021年6月至2022年12月四川省医学科学院·四川省人民医院(电子科技大学附属医院)中西医骨伤科门诊收治的58例难治性痛风急性发作患者,随机分为对照组和试验组,对照组给予依托考昔+健康教育,试验组在对照组治疗基础上加水晶丹外敷治疗。分别于干预前和干预后第1、3、5天通过测皮温、膝关节周径、视觉模拟评分量表(VAS)评分、美国特种外科医院(HSS)量表观察其临床疗效;通过测滑膜液细胞因子IL-1β、TNF-α、TGF-β1浓度探究其抗炎机制。结果与对照组比较,试验组皮温、膝关节周径和VAS评分均明显较低(P<0.05),HSS量表评分较高(P<0.05),滑膜液IL-1β、TNF-α浓度均明显较低(P<0.05),TGF-β1浓度升高(P<0.05)。结论水晶丹外敷能通过抑制细胞致炎因子IL-1β、TNF-α浓度以及提高抗炎因子TGF-β1浓度表达途径来治疗难治性痛风急性发作。

国外互联网金融的发展经验与借鉴

互联网金融作为一种新兴的金融模式,在我国经历了迅速的发展。它起始于上个世纪90年代,经历了三个显著的发展阶段,表现出强劲的增长势头。但是仍需注意的是,在互联网金融高速发展的背后依旧存在着大量的短板,即使其在增速上保持客观的发展态势但是不少问题已经浮现出来,对于这些问题,有必要借鉴发达国家的经验加以改正,并且成功预测互联网金融发展的趋势和规律,为以后世界互联网金融产业发展做好准备,通过加强审慎监管制度、完善互联网金融法律法规、注重互联网金融人才培养、建立网络安全系统以及发挥行业自律组织的作用不仅可以解决当前面临的问题,还能够为互联网金融的长远发展奠定坚实的基础。

双层壁涡轮叶片短径扇形气膜孔冷却性能数值研究

针对高冷效双层壁涡轮叶片表面应用短径扇形孔设计准则及强化气膜冷却,机理依旧不明的现状,本文利用流固弱耦合数值模拟技术研究了典型7-7-7和11-11-11扇形气膜孔应用于双层壁涡轮叶片设计的冷却特性。在宽范围吹风比下(0.6~2.4),比较了三种扇形气膜孔布置方案,包含叶片两侧同构布局7-7-7孔(简称SH1布局)和11-11-11孔(简称SH2布局)及新提出的异构布局(简称SH3布局),并以常规圆形孔作为比较依据。通过数值结果对比指出:在双层壁表面应用扇形孔代替圆形孔,最低可提升吸力面综合冷却效率17%,压力面7%。然而,扇形孔也会诱导两侧冷却性能差异扩大的现象。应用两侧孔型异构布局,要求在压力侧布置相较于吸力侧各向扩张角更大的扇形孔,可以有效改善叶片内部的流量配置,从而在提升综合冷却效率的基础上兼顾两侧温差缩小。在高吹风比条件下,上述异构诱发的冷却优势更为显著。但相对吸力侧、压力侧对扇形孔型结构参数的敏感性更大。因此,压力侧的异型孔气膜冷却挑战性更大。

甘谷县花卉苗木产业发展现状与对策

花卉苗木产业是甘谷县最具有活力的特色产业之一。近年来,花卉苗木产业在甘谷县巩固脱贫攻坚成果同乡村振兴有效衔接、美丽乡村建设等方面发挥了重要的作用,但同时也存在不容忽视的问题。针对甘谷县花卉苗木产业当前存在的问题,提出建立强有力的行业监管部门、建立花卉苗木创新繁育基地等发展对策,旨在带动农户脱贫致富,助力乡村产业振兴。

直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜

ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势。在相对成本低廉的S i衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题。目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破。本文利用直流溅射,先在S i衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层。再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜。通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响。随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升。可见缓冲层的引入对ZnO/S i薄膜的质量和发光强度有很大的贡献。

基于寄生电感优化的分立式SiC MOSFET器件压接封装方法研究

现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路,封装寄生电感偏大,增大器件高频工况下的开关损耗。对此,该文提出一种去键合线、具有垂直换流回路的低寄生电感分立式SiC MOSFET器件压接封装方法。首先,基于封装结构,评估现有TO-247-3分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感的分布特性;其次,针对小尺寸SiC MOSFET芯片,设计具有U型栅极顶针和垂直换流回路的分立式压接封装结构,并利用磁场相消原理进一步降低功率回路寄生电感;再次,利用Pspice软件对SiC MOSFET器件开关行为建模,对比分析分立式压接封装与TO封装下SiC MOSFET器件的开关特性。最后,搭建电感钳位双脉冲测试平台进行实验验证。仿真和实验结果表明,在相同电流等级下,采用分立式压接封装结构的SiC MOSFET器件具有更低的封装磁场分布和更低的寄生电感,可以显著提升器件开关速度并降低开关损耗。

基于多层级模拟的压接型IGBT器件短路失效机理分析

压接型绝缘栅双极晶体管(press pack insulated gate bipolar transistor,PP-IGBT)器件具有功率密度高、短路失效等优势,已被广泛应用于柔性直流输电换流阀中。现有压接型IGBT器件短路失效研究主要基于宏观测试结果,难以揭示由微观材料失效诱发器件短路失效的机理,该文基于圧接型IGBT器件短路测试结果,提出压接型IGBT器件短路失效机理的多层级模拟方法。首先,搭建短路冲击实验平台,基于短路实验获取失效发生条件与失效芯片;其次,建立压接型IGBT宏观器件——介观元胞模型,研究圧接型IGBT器件短路失效时器件–元胞复合应力变化规律;最后,建立微观元胞铝–硅界面分子动力学模型,分析短路失效发生条件,揭示短路失效机理,并提出芯片失效部位相对概率分布。结果表明,短路工况下芯片靠近栅极的有源区边角是最容易发生失效的薄弱区域,铝、硅材料失效是导致压接型IGBT器件短路失效的直接原因。

浅谈我国保险理赔效率

对于保险公司来说,最为关注的两个方面就是承保和理赔．两者相比较,普通百姓更关心后者。从效率这个角度研究保险理赔,界定理赔效率,介绍当前保险理赔效率的现状及其主要表现,分析理赔效率不高的原因,并提出提高保险理赔效率的建议在当前具有重要意义．

RF预处理对ZnO/Si生长的影响

氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料，其室温下的禁带宽度3．36eV，由于其具有紫外发光的特性，近来受到研究者的广泛关注。由于ZnO在高效率光散发设备和其它光学方面有应用前景，所以要进行高质量的ZnO薄膜制备的研究。由于晶格失配，ZnO／Si的异质结质量不高，现在主要应用过渡层或表面处理的方法进行改善。本文用MOCVD设备生长ZnO／Si薄膜，所用载气为N2，反应源为CO2和DEZ，衬底为Si（111）单晶外延片。除了对衬底进行常规的化学清洗以外，在生长前进行Ar RF的预处理，是氩离子对硅表面进行一定的破坏，处理能量从0-110W进行了梯度变化，再以同样的生长条件进行原位生长。对于样品我们分别作了XRD、PL、AFM测量，发现Ar RF预处理对薄膜结晶有很大影响，未作处理的样品一般呈多晶态，而处理后的样品在一定能量范围内晶格取向有显著提高，但随预处理能量达到一定限值后取向性被破坏，XRD测试图如1、2、3。预处理对于发光也有很大的影响，在一定能量范围内发光强度只随处理能量加大缓慢衰减，但在高能量状态下，发光明显减弱，峰位也随之变化。可见氩离子轰击硅表面形成了缺陷，这些缺陷在生长中顺延在ZnO部分，并且这些缺陷是发光淬灭中心，随能量的增加而增加。PL测试图如4。通过AFM分析样品的粗糙度，发现预处理对表面粗糙度有减低的作用，随着处理能量的增加，表面粗糙度下降。

计及海缆分布特性的海上风电柔直并网系统中高频谐振分析及抑制

海上风电场交流海缆线路的分布电容特性易引发系统中高频谐振失稳,基于阻抗稳定性分析法,研究海上风电柔直并网系统的中高频谐振机理并提出相应的谐振抑制方法。首先,构建考虑海缆分布特性的并网系统小信号阻抗模型,并通过阻抗扫描进行验证。其次,基于阻抗稳定判据研究海缆分布特性及控制器参数等因素对并网系统中高频谐振特性的作用机理。最后,提出一种基于控制器参数优化的中高频谐振抑制方法,并通过仿真验证理论分析的正确性及抑制方法的可行性。结果表明,并网系统中高频振荡主要由交流海缆线路与交/直流装备之间的交互作用引起,长距离海缆分布特性会导致系统中高频呈现多谐振兼负阻尼特性,且柔直换流站的基频电流环比例系数过大时易降低系统中高频稳定性,可通过所提参数优化方法抑制系统中高频谐振。

ZnO/SiC/Si(111)异质外延

使用 Si C作为过渡层 ,采用自行设计建造的连通式双反应室高温 MOCVD系统很好地克服了 Zn O和 Si C生长时的交叉污染问题 ,在 Si基片上外延出高质量的 Zn O薄膜 .测量了样品的 XRD和摇摆曲线 ,以及室温下的 PL谱 .实验结果表明 ,Si C过渡层的引入大大提高了 Zn O薄膜的质量和发光性能 ,并有望实现在 Si上制备 Zn O单晶薄膜 .

国外失信惩戒制度对我国的启示

失信惩戒是社会信用体系中最重要的部分。只有建立严厉、有效的惩戒制度，才能对失信者产生威慑和警示作用，维护正常的信用秩序。

人员型操作风险的成因分析与对策

信用风险、市场风险和操作风险是当前我国商业银行面临的三大风险。人员风险是操作风险中最重要的风险,当前所发生的金融案件大都与之相关,因此要加强管理。文章分析了人员风险的成因,并从加强风险教育,加强内控机制建设,建立健全风险管理体系,采取市场化的任用机制,建立与完善激励考核机制等五个方面探讨了防范操作风险的长效机制。

硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心

报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.

射频辅助N掺杂ZnO薄膜的生长及其光电特性

在MOCVD设备中采用改进的射频辅助生长装置,通过裂解N2及N-Al共掺杂的方法进行ZnO的p型掺杂研究。通过二次离子质谱(SIMS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光(PL)谱等方法分析了薄膜中N杂质的浓度,以及射频功率与晶体质量、表面形貌以及光学特性之间的关系,并与Al掺杂和N掺杂的ZnO薄膜进行对比。实验结果表明,N掺杂的浓度高达1020cm-3;N-Al共掺杂极大地增加了ZnO的成核速率,其主要原因是N离化所起的作用;N-Al共掺的ZnO薄膜显示出p型性质,而N掺杂的ZnO薄膜由于N原子处于非激活状态而呈现高阻,这说明N-Al共掺杂对ZnO中N原子的活化起到一定作用。

硅基片上异质外延SiC的机理研究(英文)

本文利用低压高温MOCVD系统 ,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜 ,并对其反应机理做了一些初步的研究。大部分观点认为 ,SiC/Si的异质外延 ,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散。但是 ,本文通过在不同流量比的条件下 ,SiC薄膜在Si基片以及Al2 O3 基片上外延的比较 ,发现在SiC/Si的异质外延过程中起重大作用的并非Si衬底中Si的扩散 ,而是很大程度上作用于C向Si衬底的扩散。同时 ,还发现反应速率的快慢受SiH4流量所限制。当SiH4流量增加时 ,反应速率会明显加快 ,但是结晶质量会相对变差。

基于MATLAB的小型花卉温室温度模糊控制仿真的研究

分析了模糊控制应用在小型花卉温室中的优越性。利用Matlab对整个模糊控制系统进行了仿真试验。研究表明,模糊控制不仅能将温度恒定在一个确定范围,而且能体现温度控制平稳,控制超调量小的特点。

MBE自组装量子点生长和结构形态研究

综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。

工厂化水产养殖LED灯具选择的分析与建议

阐述了LED光源对循环水养殖系统的重要性,介绍了养殖车间光照的现状,并根据鱼类对光环境三要素一般的适应需求规律、针对灯具在特定使用环境下的要求进行了分析与建议,对水产养殖车间如何正确选择LED灯具具有指导意义。

欧美国家失信惩戒制度及启示

失信惩戒是社会信用体系中最重要的部分。只有建立严厉、有效的惩戒制度,才能对失信者产生威慑和警示作用,维护正常的信用秩序。本文介绍美国和欧洲主要国家的失信惩戒机制,并分析它们的特点,总结欧美国家失信惩戒机制对我国的启示。