用中子活化分析镀膜厚度及其探测极限研究

本工作提出用中子活化分析有基底的单层或多层镀膜厚度的方法。用Am-Be中子源对Au、Al、Cu等薄膜活化后,用HPGe探测器测量被活化薄膜放出的特征γ射线全能峰面积,并用蒙特卡罗方法模拟计算HPGe探测器对不同特征γ射线的探测效率,得到用反应堆中子源活化分析不同元素镀膜厚度的方法和探测极限。与目前广泛使用的X射线荧光方法相比,其分析灵敏度可提高几个量级。

用于中子单色器镶嵌分布测量的γ衍射装置的调试方法

用γ衍射方法可以分析中子单色器晶体的镶嵌分布。由于γ射线的波长短,满足布拉格衍射条件的入射角比通常X衍射的要小两个量级,加上晶体镶嵌分布需要较高的分辨率,因此要成功进行γ衍射实验,必须要求γ衍射装置各部分之间满足精细的几何布局,这只有通过正确的调试才能实现。在建立正确调试方法的基础上,通过仔细调试,用2 Ci的198Au的较低活度γ源,实现了用γ衍射方法对Ge单晶单色器镶嵌分布的测量,得到镶嵌分布的半宽度约为12',这一结果与期望值吻合。

用于中子单色器镶嵌分布测量的γ衍射源设计

用γ衍射法测量中子单色器镶嵌角分布,要求γ入射束具有强度大、单能性好、发散度小等特点。为了满足上述要求,须对γ射线源(金材料)的形状和尺寸进行设计。本工作通过分析束流强度、束流发散度与束斑形状的关系,给出了金材料的矩形设计方案;通过蒙特卡罗计算,分析γ自吸收和γ康普顿散射在不同厚度下分别对束流密度和单能性的影响,给出矩形金材料在x、y、z3个方向的尺寸分别为0.6、6和10mm。用所设计的金材料制成γ源,成功实现了用γ衍射法对Ge单晶中子单色器镶嵌分布的测量。

用中子活化分析滤毒罐内化学毒物的方法研究

提出了用中子活化无损检测滤毒罐内化学毒物的方法,通过理论分析和实验测量,证明了用中子活化分析方法检测滤毒罐内化学毒物的可行性,并证明了这种检测方法不会给滤毒罐的使用带来放射性安全问题。