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φ76.2mm区熔〈100〉单晶硅的研制
1
作者
辛荣生
章云杰
+2 位作者
牛道明
李强
姚进虎
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期255-259,共5页
本文采用正籽晶、平置小内径线圈工艺成功地制备了φ76.2mmFZ〈100〉晶向单晶硅,研究了单晶生长机理与工艺。产品纯度高、质量好,加工性能优于同类产品,已日益得到广泛应用。
关键词
单晶硅
研制
下载PDF
职称材料
题名
φ76.2mm区熔〈100〉单晶硅的研制
1
作者
辛荣生
章云杰
牛道明
李强
姚进虎
机构
洛阳单晶硅厂
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期255-259,共5页
文摘
本文采用正籽晶、平置小内径线圈工艺成功地制备了φ76.2mmFZ〈100〉晶向单晶硅,研究了单晶生长机理与工艺。产品纯度高、质量好,加工性能优于同类产品,已日益得到广泛应用。
关键词
单晶硅
研制
分类号
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
φ76.2mm区熔〈100〉单晶硅的研制
辛荣生
章云杰
牛道明
李强
姚进虎
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991
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