碳化硅超细粉末形核生长过程的研究

用热化学气相合成法制备的超细SiC粉末的组织结构,保留了许多与形核生长过程直接有关的许多特点,为用高分辨电子显微术研究其形核生长过程提供了有利条件。据此,本文讨论了SiC超细粉末形成的主要机制——均相形核生长过程。它可分为5个主要方面:非晶相核的形成;SiC旋涡状生长及受阻;亚稳的SiC旋涡的析晶;聚结;表面非晶SiC的形成。另外,也分析了固态Si上的SiC的异相成核、外延以及固态Si的碳化过程。

微氮硅单晶中氧沉滨

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用．

微氮硅单晶中的热受主

本文研究了微氮硅单晶在经历不同温度热处理时电阻率的变化,发现在700℃以上退火时,n型微氮硅单晶的电阻率首先上升,随后逐渐下降,保持一稳定值,而p型微氮硅单晶的电阻率变化则相反.实验证明微氮硅单晶在 7 00℃以上退火时,产生了热受主(T A),其浓度可达 2 ×10^(14)个/cm^3,它的产生是氧氮杂质共同作用的结果,可能是一种硅中氮氧复合物.

氮气氛下直拉硅单晶的杂质控制

通过改变埚转、氮气流量及多晶熔化时间等拉晶参数,便能简单而有效地控制其氧碳氮杂质,并在实际生产中运用获得成功。

热化学气相合成法制备的超细碳化硅粉末的显微结构

在高分辨电镜观察的基础上,描述了用热化学气相合成法制备的超细 SiC 粉末的组织结构,其颗粒的最外层是暴露于大气后形成的吸附层,次外层是非晶的 SiC,内部是β型 SiC 微晶,微晶组态往往呈环状排布,微晶间易形成孪晶界,也会形成多次微孪晶。颗粒中还保留了非晶和微晶的中间态,在高分辨电镜中表现为旋涡状 SiC 晶格条纹。用高分辨电镜还观察到了 Si 晶体的碳化和 SiC 在 Si 晶体上的外延生长。

硅晶片切割损伤层微观应力的研究

作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力，在一定范围内，切割速率越大，损伤层的微观应力越小，并运用Ｖｏｉｇｔ函数分析法，分析了硅晶片切割层的微观应力。

超高真空退火及X射线辐照对多孔硅发光膜的影响

研究X射线及超高真空退火对发光多孔硅膜（PSL）发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现X射线辐照及其空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Si2p光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。

微氮硅单晶热处理性质研究

实验对微氮硅单晶进行了不同温度、时间、时序的热处理研究，着重调查了硅晶体中氮杂质浓度在热处理时的变化．实验指出，热处理时氛浓度的下降取决于样品热历史，热处理温度及其它杂质的影响，实验发现微氮样品高温热处理时，氮浓度消失，低温再退火时氮浓度重新回升，以及碳杂质抑制氮浓度下降的新事实，并结合红外吸收光谱的研究，提出微氮硅单晶中存在稳定性不同的二种氧氮复合体的观点．

TEM电子束诱导硅表面氧化的分析

洁净硅表面在电子束的作用下产生诱导氧化现象,在AES分析中已得到证实。本文利用TEM 200CX型电镜研究了洁净硅表面在电子束作用下的结果,实验表明,在TEM中同样存在着电子束诱导硅表面氧化的现象,氧化生成了SiO_2微晶,其氧主要来自硅晶体内氧的局部富集和电镜中残余气体在硅表面的吸附。

金相实验技术的现状及其发展

金相学的创立始于人们在显微镜下研究金属样品并发现了金属材料的显微组织。本文简要叙述了金相学的建立、发展历史与当前现状。 金相学在发展过程不同时期包含了各不同学科的知识与技术,现代金相技术包括光学、电子光学及其他物理方法。但最普遍日常使用的金相研究方法是传统的光学显微镜法,传统金相发展十分活跃,包括制样新技术、设计精良的金相赤微镜及近代金相研究方法。

微氮硅单晶中新的氧沉淀形态

直拉(CZ)硅单晶中的氧杂质在器件制造的热处理工艺中,结合原生微缺陷或其它杂质原子,形成氧沉淀,严重影响着硅材料的器件的质量,引起了人们的重视.近年来,研究者对氧沉淀的形核、生长、形态和杂质原子的关系等方面,进行了广泛的探索.

测量单晶硅片晶面弯曲的X射线方法

本文将单晶硅片的弯曲分成硅片整体弯曲和晶面弯曲两种情况,利用X射线多晶衍射仪和单晶体的结构特性,提出通过确定晶体表面和衍射晶面的法向偏差角来测量晶面弯曲的一种新方法。对(111)硅单晶片的测试表明,将此种方法和其它描述硅片弯曲的方法结合起来,可以成为研究硅片弯曲的有效工具之一。

义齿磁体固位系统的研制

作者对先进磁体材料Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ进行了分析并应用于义齿修复。根据义齿根管钉帽和帽状磁轭的具体要求，探讨了软磁材料的性状及选用。即采用一块体积很小的钕铁硼磁体镶嵌在义齿基托的相应部位，使之与用工业纯铁制成的根管钉帽之间能获得足够强的吸力，以增强义齿固位。考虑到强磁力线对人体的影响，磁性固位系统的设计应尽量降低漏磁程度。磁性固位系统的特点是：①合理的材料选配；②固位牢固可靠；③使用安全；④价廉；⑤工艺简单，操作方便。

利用高通滤波去除高分辨电镜图像的模糊

一般认为,样品受入射电子的弹性散射形成高分辨电镜图象的衬度,而非弹性散射电子形成低分辨的非周期性的背底叠加在图像上,使图像的村度降低。本文指出,应用频率域高通滤波法对高分辨电镜图像进行计算机处理,可以大大减弱非弹性散射引起的背底,使图像的村度得到显著改善。

电解法腐蚀硅片过程中产生的晶态二氧化硅

本文用富里叶红外光谱及Ｘ射线衍射对在氢氟酸中电解硅片时形成的多孔硅膜进行了分析，发现除了硅以外，其中还有晶态的二氧化硅（鳞石英）存在，由此说明多孔硅表面的硅氧化合物并非都是样品制备后在大气中氧化造成的，它对多孔硅发光有很大的关系．

微氮直拉硅单晶中的原生氧沉淀

本文利用红外光谱技术研究了氮保护气氛下生长直拉微氮硅单晶中原生氧沉淀．研究发现，微氮硅单晶中除了有和１２２４ｃｍ－１红外吸收峰相对应的ａ。方石英原生氧沉淀外，还存在和１０２６，１０１４，９９６和８０１ｃｍ－１红外吸收峰相对应的氧氮复合体的原生氧沉淀．实验还研究了原生氧沉淀在微力硅单晶中的分布，以及和氧碳氢杂质的关系，进一步指出，上述除１２２４ｃｍ－１之外的红外吸收峰，并不是某一种氧现复合体的振动吸收，而是对应着几种不同形态的氧氨复合体。

多孔硅发光膜的研究

Canham在1990年报道了多孔硅光致发光,并提出发光多孔硅具有尺度为几个纳米的量子线阵结构。其后不久,Richter等制作了第一个多孔硅光发射器件。目前,有关多孔硅发光的机理研究,提出了几种设想。多数研究者倾向于多孔硅的量子线阵结构使带隙增宽,导致可见荧光。但是,到目前为止,发光多孔硅的量子线阵结构尚无直接的实验证据。另外一些观点有:多孔硅中的硅氢烷发光;附着在硅表面的某种分子发光。

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移.

样品表面层有微观应变梯度时Warren-Averbach方法的修正

本文讨论了样品表面层有微观应变梯度时X射线衍射线形分析的方法.设样品表面层微观应变随深度t的变化满足关系式,从而改进了Warren-Averbacb方法,使之可以应用到表面层存在微观应变梯度的情形.