Si_2C_(m-2)(m=4～15)团簇的结构与稳定性

用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6-31G*方法,对Si2Cm-2(m=4～15)团簇的几何构型、电子结构、振动频率等性质进行了研究,讨论了化学键的特征和热力学稳定性,比较了Si2Cm-2团中环状和线状结构的差异.结果表明,m=4～13的团簇为线状结构,m=14～15的团簇为环状结构.在线状结构中,随着m增大,自旋多重度出现1、3交替变化,并且Si原子倾向于在C链端部成键;环状结构中,C原子形成环状,2个Si原子处于椭圆环状构型的两端.m为奇数的Si2Cm-2团簇比m为偶数的更为稳定.

Pb_(1-x)Sn_xTe晶体的合成及电磁特性研究

:利用布里奇曼法合成了 Pb1 - x Snx Te单晶 ,测试了其密度、阻温特性、霍尔效应 .实验测得其载流子浓度和霍尔迁移率大约在 ( 3～ 1 6)× 1 0 1 7/ cm3和 1 0 2 cm2 /Vs;随着 x的增加晶体从 P型半导体向

化合物半导体PbTe单晶的制备及其特性

采用布里奇曼法合成了ＰｂＴｅ单晶，测试了其伏安特性、阻温特性、热电特性及光电导特性．实验发现，所合成的ＰｂＴｅ单晶是Ｐ型半导体，具有显著的温差电动势，对可见光灵敏度较高，是一种性能优良的热电材料．

YbBi_2单晶的电磁特性研究

本文主要研究了 Yb Bi2 单晶的电阻温度特性、磁化强度和温度的关系以及 2 K时的磁化特性 .实验发现 Yb Bi2 单晶具有金属特征 ;在 1 .8K以上没有表现出超导电性 ;其净电阻率之比高达 3 80 ;Yb Bi2 单晶是一种顺磁质 ;电阻温度特性曲线和磁化强度与温度关系都表明 :Yb Bi2 单晶在 5 5 K左右发生了明显的相变 .

PbTe薄膜及单晶的电磁特性研究

采用布里奇曼法在 Ar气气氛中于石英坩锅内合成了 Pb Te单晶 ,并运用真空蒸镀法制成了其多晶薄膜 ,测试了它们的伏安特性、热电特性、光电导效应 .实验发现 :所合成的 Pb Te单晶是 P型半导体 ,对可见光较敏感 ;Pb Te薄膜及单晶的温差电动势具有相同的数量级 ,均具有显著的热电效应 .

SiC多型体的电子结构和光学特性研究(英文)

在局域密度近似下 ,采用平面波超软赝势法对 Si C多型体的能带和光谱特性进行了研究。计算了 4种 Si C多型体的能带、介电常数等并进行了比较。计算表明 :4H-Si C导带最低点在布里渊区 M点 ,6H-Si C导带最低点在布里渊区 ML 线上 U( 0 ,0 .1 76,0 ) ( 2 π/ a)点。在布氏区垂直于 Z轴方向的AH和 L H段能带是二重简并的。能带得介电常数的计算表明 Si C是各向异性材料。局域密度近似下的密度泛函理论对能隙的计算结果小于实验结果。

研究透明液体的弯月面对He—Ne激光束作用的装置

本文设计、制作了一种研究透明液体的弯月面对He—Ne激光束作用的实验装置。结果表明利用该装置可以对液体弯月面的具体形状进行定性、定量的研究;可以演示光的衍射现象、光的干涉现象以及光的全反射现象。

Tb^(3+)掺杂SiO_2纳米核壳结构绿光材料的制备及性能研究

用Sol-Gel法合成了SiO2包覆SiO2∶Tb3+的纳米核壳颗粒(用SiO2∶Tb3+@SiO2表示),并研究了核壳配比和制备工艺对其发光性能的影响。TEM和EDS表明SiO2溶液成功包覆于SiO2∶Tb3+表面;通过测试荧光性能,发现制备工艺为壳层先陈化再放入核、核壳配比为1.2g∶25mL时,SiO2∶Tb3+@SiO2较未包覆SiO2∶Tb3+样品PL光谱强度增强,通过测试核壳结构材料的时间分辨光谱得到SiO2∶Tb3+纳米颗粒经SiO2包覆后的荧光寿命延长。

AlB_n^+(n=2-10)团簇结构和红外振动光谱研究

用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311G(d)水平上对AlB+n(n=2-10)团簇几何结构、稳定性、电子结构和成键特性进行了系统理论研究,得到了AlB+n(n=2-10)团簇的最稳定结构.结果表明,硼原子间容易聚集,铝原子处于整个硼原子集团的外围.与相应中性AlBn团簇相比,Al-B键作用变弱,使正价团簇(n=6和10除外)结构变化较大;对AlB+n(n=2-10)和相应中性团簇能隙的计算分析表明,AlB+n团簇的稳定性有所增强,其中AlB+3、AlB+5和AlB+8团簇尤为显著;通过对最稳定构型红外振动光谱的研究分析表明,硼原子间对称或非对称振动、铝原子不动的振动模式更容易出现较强谱峰,即硼原子间更容易成键.

银表面等离子体效应增强TiO_2纳米管阵列光解水制氢

采用阳极氧化法制备得到TiO2纳米管阵列(TiO2-NTA),同时借助光化学还原法将纳米Ag颗粒沉积于TiO2-NTA表面(Ag/TiO2-NTA)。利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、扫描电镜(SEM)对样品的晶型、光响应性能、表面形貌等进行了表征。分析结果表明,TiO2-NTA管径约为150nm,壁厚约为20nm,纳米Ag颗粒以单质形态分散于TiO2-NTA表面,其等离子体效应可以有效促进TiO2-NTA对可见光的吸收,共振吸收波长位于420nm。光解水制氢实验结果表明,Ag/TiO2-NTA的光催化活性高于纯的TiO2-NTA,前者约为后者的2.3倍。

B_mN(m=1～8)团簇结构和稳定性的密度泛函理论研究

使用泛函密度理论的B3LYP方法,在6-311G~*水平上对B_mN(m=1～8)团簇的几何结构、电子结构、振动频率等进行了研究。结果表明,以B_m团簇作为设计母体,考虑在不同位置上结合N原子可以较快找到B_mN类团簇基态结构;团簇的最稳定结构是平面结构,N原子倾向于在B团簇外端与两个B原子成键.通过对基态结构的平均束缚能和能量二次差分的计算,得到m=2和5的B_mN团簇较为稳定.

一种基于粒子群优化的K-均值彩色图像量化算法

目的利用粒子群优化算法和K-均值方法研究彩色图像的量化问题。方法针对K-均值聚类量化算法对初始值比较敏感,易陷入局部极小值从而使得算法得不到全局最优解,为局部搜索算法,以及粒子群优化算法是一种全局寻优方法的特征,把K-均值聚类方法和粒子群优化算法结合起来,将K-均值聚类方法中的聚类函数作为粒子群优化算法中的粒子适应度函数,对彩色图像进行聚类量化。结果实验表明新算法在峰值信噪比和均方根误差评判准则下可以得到更好的量化结果。结论新方法有效地克服了K-均值聚类方法和粒子群优化算法的不足。

硼化铝团簇Al-B_n(n=2～9)的密度泛函理论研究

基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT),对中性硼化铝团簇AlBn(n=2～9)的几何结构、稳定性以及红外振动光谱进行了理论研究,讨论了他们的不同点及AlB4、AlB5、AlB6和AlB7的基态构型和相对稳定性.对于中性AlBn(n=2～9)基态构型,对比讨论了其失去[AlBn+(n=2～9)]和得到[AlBn-(n=2～9)]一个电子后化学键强度的变化、掺入铝原子的影响以及团簇几何结构的演化.计算结果表明:虽然掺入Al之后,团簇的稳定性差异变小,但是硼团簇和硼化铝团簇都趋向于形成平面、准平面结构以获得更大的稳定性;硼团簇的构型对硼化铝团簇的结构和稳定性起着决定性的作用;AlB3、AlB5和AlB8更稳定;红外光谱的振动模式倾向于B原子和对称性优先的趋势.

B_n(n=2-8)团簇结构和稳定性的密度泛函理论研究

本文采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31G*水平上对Bn(n=2-8)团簇的各种可能的几何构型和电子结构进行了优化和振动频率计算,得到了多个平衡构型.结果表明,Bn微团簇的稳定结构大部分为平面结构,只有极少数立体结构属于基态稳定结构.平面结构又分为链状和环状结构两种,链状结构的所有原子均处于同一平面,而且处于链状结构两端的键长稍短,原子向内部收缩.环状稳定结构都是一个n元环中心有一个配位的硼原子.通过对基态结构的平均原子结合能和能量二次差分的计算,得到n为奇数时团簇较为稳定.

直流磁控反应溅射法制备的钒氧化物薄膜及其光谱研究

用直流磁控反应溅射法和不同基底温度下在玻璃底上沉积微纳结构的氧化钒薄膜,通过X射线衍射、电子扫描显微镜、UV-Vis透射、红外和拉曼光谱研究了薄膜的结构特性。在低温下制备的薄膜表现出高的光学透过特性,在基底温度低于200℃下制备的薄膜具有无定形结构,而在基底温度高于200℃时制备的薄膜具有多晶结构。薄膜的光学参数使用经典模型计算,通过测量和拟合透射光谱获得了薄膜的禁带宽度变化规律。

可防误翻转高精度欠压锁存电路设计

在分析传统欠压锁存电路(UVLO:Under voltage lockout)工作原理的基础上,利用VIS 0.4μm BCD工艺设计一种具有防误翻转功能的高精度欠压锁存电路。该电路由3部分组成,以带隙比较器为核心,引入具有迟滞特性的防误翻转电路以保证欠压锁存信号能安全可靠地输出,并通过调整带隙基准的温度特性保证欠压锁存阈值精度,最后经过放大输出电路放大后,输出稳定的欠压锁存信号。采用Cadence软件对所设计的电路进行仿真。研究结果表明:在-40~125℃范围内欠压锁存阈值偏差最大为100 m V,阈值分辨率可达10-5 V,在3~5 V工作电压下,防误翻转电路开启阈值为2.95 V,能有效防止欠压锁存电路误翻转。该电路的设计理念和仿真结果有助于后期电源芯片的开发。

YbBi_2单晶的合成及其X射线衍射的实验研究

利用 flux法成功合成了高纯的 Yb Bi2 单晶 .实验发现本文合成的 Yb Bi2 单晶是片状晶体 ,平均面积为 4 8mm2 ,厚度 1 mm,在常温下处于亚稳态 ,容易氧化 .利用粉末法仅有一个衍射峰可以明确判定为 Yb Bi2 的衍射峰 ;利用 Yb Bi2 单晶进行射线衍射实验 ,仅能获得 ( 0 1 0 )面的一系列衍射峰 ,其它衍射峰却很难获得 .本文首次采用了对尺度逐渐减小的晶粒进行 X射线衍射的方法 ,成功获得 Yb Bi2 的 XRD谱 .

YbBi_2单晶的合成及导电特性研究

本文主要研究了YbBi2单晶的合成和电阻温度特性。实验发现YbBi2单晶具有金属特征;在1.8K以上没有表现出超导电性;其净电阻率之比高达380;电阻温度特性曲线表明:YbBi2单晶在55K左右发生了明显的相变。

Li_nC团簇的结构稳定性与振动光谱

基于光学材料中锂元素的含量对物质稳定性及光学性质的影响,利用Gaussian 03程序包,采用密度泛函理论中的B3LYP方法,在6-31G（d）水平上对光学材料LinC（n=1～9）团簇进行了结构稳定性及振动光谱的研究.结果表明：当n〉3时团簇的结构为三维立体结构,碳原子被俘获在锂原子笼内.除了Li2C外,其它团簇的体系基态都处于低电子态,当n为偶数时为单重态,n为奇数时为双重态.在团簇稳定性上,明显的奇偶振荡效应出现在能量的二阶差分和最高占据轨道与最低空轨道的能隙中.对于LinC,n为偶数的团簇比相邻的奇数团簇更稳定.碎片能量分析表明最有可能的团簇生长路径是在Lin-1C团簇上结合一个锂原子成为LinC团簇.LinC团簇的光谱落在指纹区域.随着锂原子数的增加,振动频率减小.当锂原子数为偶数时,基态结构的频率差是最小的,当锂原子数为奇数时,基态结构的频率差却是最大的.

LiBH_4高压相电子结构第一性原理

目的研究LiBH4高压相的电子结构。方法采用基于密度泛函理论(DFT)的VASP计算程序包在广义梯度近似(GGA)下选用(PBE)赝势处理电子与电子之间的泛函、第一布里渊区k点采样用Monkhorst-Pack方案对能带、态密度(DOS)及分波态密度(PDOS)进行了计算。结果 LiBH4高压相是一种共价键与离子键混合的绝缘体。结论这类绝缘体是由于高压晶相内存在着非金属元素原子和H原子间极强的共价键所导致。在高压相中非金属元素原子与不同H原子形成的共价键不同。