微通道板打拿极导电层ALD制备技术研究进展

微通道板是具有高长径比结构的二维通道电子倍增器,在微光夜视领域有广泛应用。传统铅硅酸盐玻璃微通道板受到制备工艺和基体材料选择的限制,不能满足小孔径、高分辨率、低噪声等要求。先进技术微通道板打拿极导电层电阻率不易控制且难以做到基体绝缘。原子层沉积技术具有自限性、厚度可精确控制和沉积温度低等优势,为打拿极的制备提供了新的思路。本文介绍了原子层沉积技术原理,导电层结构设计,介绍了ZnO/Al2O3、W/Al2O3、Mo/Al2O3以及Nb2O5/Ta2O5作为导电材料的研究进展。最后分析了原子层沉积微通道板导电层存在的问题以及发展方向。

基于硅微通道阵列的光纤面板制备

基于光纤面板传像原理,提出了一种新型光纤面板的制作方法。采用光辅助电化学方法制备了硅微通道阵列,并将其作为光纤面板的骨架结构,通过氧化工艺在通道内壁制备二氧化硅层作为光纤包层,内部填充高折射率玻璃作为纤芯,制备出一种新结构的传像器件。其理论数值孔径为1.37,经初步测试,其分辨率可达到57 lp/mm。利用此方法制备的光纤面板不会有光串扰问题,可完全避免刀口响应,增加对比度。此方法能有效提高分辨率,有望成为制造高分辨率、高质量传像器件的新方法。

N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响

该论文研究了N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响。分别用含有阳离子、阴离子、非离子表面活性剂和无表面活性剂的HF腐蚀液进行宏孔硅光电化学腐蚀实验,测试了电化学阻抗谱EIS和Mott-Schokkty曲线,分析了N型宏孔硅电化学反应过程中的电荷转移电阻和Si/HF界面处Si基体一侧的空间电荷层电容。结果表明,表面活性剂的存在改变了Si/HF电解液界面的性质,阴离子表面活性剂比阳离子表面活性剂存在条件下腐蚀的N-Si具有更高的电荷转移电阻。