锑化铟锭条的全自动霍耳效应测试系统

为了解决InSb锭条霍耳效应的测试任务‘研制出一套微机控制的全自动测试系统,可对各种截面形状的半导体锭条进行无破坏性的霍耳效应测量。本系统包括一台HP-85型计算机和705型扫描器、220型恒流源以及195型数字多用表,一个自制的多功能测试单元。本文叙述了系统的测量原理,分析了系统中各部分仪器和机构的连接配合控制及其具有的功能,介绍了抗干扰问题的解决方法并进行了误差分析。进行了大量的室温下的测量,并与本征理论值比较,证明系统的测量精度与误差分析是相一致的。此系统大大提高了InSb锭条的测量速度和精度,是研究InSb材料(包括其他半导体材料)十分有用的工具。

碲镉汞外延晶膜的不稳定性

利用变温和变磁场霍尔测试对在空气室温环境长期存放的碲镉汞液相处延晶膜作了定期的检测。结果表明，晶膜的电学性质随时间有明显的改变。本文采用非均匀晶膜的层状模型对晶膜的不稳定性作了详细的分析。

半导体温差电元件接触性能的评估

半导体温差电元件接触电阻和接触热阻是影响器件性能的重要参数，它们在很大程度上是器件制备工艺水平的反映。根据元件温差发电输出功率与元件电偶臂长度的相互关系模型，可以简单地通过测量系列化元件的开路电压和短路电流对接触特性作出评估。实测了两种不同来源的半导体制冷器以说明其实际应用。

高温超导薄膜红外探测器初探

主要介绍用本实验室研制的YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导薄膜制成几何形状不同的Bolometer实验芯片,采用低温恒温装置,进行了原理性实验,结果表明,几种超导Bolometer在液N_2温区都有明显的红外辐照响应,在给定的测试条件下,其灵敏度对蛇形、大桥、微桥芯片分别为6V/W、284V/W、1.1×10~4V/W。采用电调制和机械光调制,对不同结构测试系统,响应时间分别为2s和0.2(?)。