纳米柱GaN基多量子阱(MQW)拥有量子尺寸效应以及应变释放等特性,对于提高GaN基发光二极管(LED)的发光效率具有重要意义。采用快速热退火(RTA)形成的自组装Ni纳米颗粒作为刻蚀掩膜,利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)制...纳米柱GaN基多量子阱(MQW)拥有量子尺寸效应以及应变释放等特性,对于提高GaN基发光二极管(LED)的发光效率具有重要意义。采用快速热退火(RTA)形成的自组装Ni纳米颗粒作为刻蚀掩膜,利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)制备纳米柱InGa N/Ga N MQW。通过改变RTA温度发现在800℃以上才能有效形成Ni纳米颗粒掩膜。不同的ICP和射频(RF)功率条件下制备的纳米柱MQW光致发光强度相比于相同结构的平面MQW会发生显著变化。通过优化ICP-RIE的刻蚀条件,可以获得发光强度显著提高的纳米柱MQW结构。同时,纳米柱MQW中压电极化场的减弱会形成光致发光峰位蓝移。展开更多
文摘纳米柱GaN基多量子阱(MQW)拥有量子尺寸效应以及应变释放等特性,对于提高GaN基发光二极管(LED)的发光效率具有重要意义。采用快速热退火(RTA)形成的自组装Ni纳米颗粒作为刻蚀掩膜,利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)制备纳米柱InGa N/Ga N MQW。通过改变RTA温度发现在800℃以上才能有效形成Ni纳米颗粒掩膜。不同的ICP和射频(RF)功率条件下制备的纳米柱MQW光致发光强度相比于相同结构的平面MQW会发生显著变化。通过优化ICP-RIE的刻蚀条件,可以获得发光强度显著提高的纳米柱MQW结构。同时,纳米柱MQW中压电极化场的减弱会形成光致发光峰位蓝移。