“以学生为中心”的共同体构建及其在实践课中的应用

在本科生的人才培养计划中,专业实践课程是人才培养的重要环节,是培养学生创新创业能力的主要抓手。依托专业实践课程—电子器件制备工艺创新实践,基于“以学生为中心”的理念,构建了“学生团队(项目主体)—责任教授(项目顾问)—项目导师(项目平台)”三位一体的学习共同体。

5G时代传统纸媒与新兴媒体融合的挑战、机遇与发展策略研究

在5G技术日益成熟的背景下,物联网、云计算、区块链和视频社交等新技术、新产业蓬勃发展,为新兴媒体带来了前所未有的独特优势。与此同时,作为传统媒体代表的纸媒,出版方式、出版内容、出版周期相对固定,难以跟上新媒体新技术的发展。文章深入分析新兴媒体在5G时代的崛起,同时探讨传统纸媒与新兴媒体融合所面临的重大挑战,如内容时效性滞后、传播方式不适应以及经营模式须转型等。通过对《辽宁教育》这一传统纸质期刊在5G时代的优势与不足进行调研,发现新兴媒体的个性化平台功能为传统纸媒的传播开辟了新空间,而传统纸媒的内容优势则为适应新兴媒体传播提供了坚实基础。基于以上分析,文章提出一系列策略:首先,突出各自优势,弥补不足,找准融合发展定位;其次,积累新兴媒体传播经验,打造精品传播内容;再次,培养具备综合素质的人才,提升核心竞争力;最后,探索融合的盈利点,实现社会效益和经济效益双赢。文章旨在探寻传统纸质媒体与新兴媒体融合发展新路径,为媒体行业未来发展提供新的思路和方法。

新时期义务教育教学类学术期刊选题策划的四个维度

在“互联网+”时代,国家的快速发展对未来社会需要培养的人才提出了新要求.作为义务教育教学类学术期刊的编辑,要深入研究《义务教育课程方案(2022年版)》和2022年版各学科义务教育课程标准,关注稿件中教师在培养学生核心素养时的目标导向;要深入研究教师的教学实践模式与成果,关注稿件中课堂教学具体细节的成败之处;要深入研究教师在教育教学中的方法实施的特色,关注稿件中教学方法的创新之处;要深入研究各项法律法规、政策导向、行业要求、学科内容、论文内容规范和语言文字规范等,关注稿件中学术水平和综合质量的提高.

高储能密度聚合物基多层复合电介质的研究进展

薄膜电容器是现代电力装置与电子设备的核心电子元件,受限于薄膜介质材料的介电常数偏低,当前薄膜电容器难以获得高储能密度(指有效储能密度,即可释放电能密度),从而导致薄膜电容器体积偏大,应用成本过高。将具有高击穿场强的聚合物与高介电常数的纳米陶瓷颗粒复合,制备聚合物/陶瓷复合电介质,是实现薄膜电容器高储能密度的有效策略。对于单层结构的0-3型聚合物/陶瓷复合电介质,其介电常数与击穿场强难以同时获得有效提升,限制了储能密度的进一步提高。为了解决此矛盾,研究者们叠加组合高介电常数的复合膜与高击穿场强的复合膜,制备了2-2型多层复合电介质,能够协同调控极化强度与击穿场强来获取高储能密度。研究表明,调控多层复合电介质的介观结构与微观结构,可以实现优化电场分布、协同调控介电常数与击穿场强等目标。本文综述了近年来包括陶瓷/聚合物和全有机聚合物在内的多层聚合物基复合电介质的研究进展,重点阐述了多层结构调控策略对储能性能的提升作用,总结了聚合物基多层复合电介质的储能性能增强机制,并讨论了当前多层复合电介质面临的挑战和发展方向。

ZnO对(Pb_(0.915) Ba_(0.04) La_(0.03))(Zr_(0.65) Sn_(0.3) Ti_(0.05))O_(3)反铁电陶瓷微结构和储能特性的影响

电介质陶瓷因其高功率密度而成为脉冲功率电子系统的理想材料。为满足日益增长的电子器件集成化、轻量化和小型化的要求,高介电常数、高储能密度和高储能效率的储能陶瓷具有重要的研究价值。采用传统固相反应法制备了(Pb_(0.915) Ba_(0.04) La_(0.03))(Zr_(0.65) Sn_(0.3) Ti_(0.05))O_(3)∶xZnO(x=0%,1%,2%,3%,4%,质量分数)反铁电复合陶瓷,系统研究了ZnO第二相对PBLZST陶瓷的微观结构、介电性能、铁电性能和储能性能的影响。结果表明:ZnO晶粒聚集在晶界处,具有细化晶粒的作用。随着ZnO含量的增加,复合陶瓷的介电常数、最大极化强度和击穿电场均呈现出先增大后减小的趋势;x=2%时复合陶瓷样品在外加电场强度为215 kV·cm^(-1)时,有效储能密度达到最高值5.40 J·cm^(-3),对应的储能效率为81.3%。

退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响

应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA /mm2.

双施主掺杂BaTiO_3半导体陶瓷材料的研究

以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3+ Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。

涡街流量计用压电陶瓷材料的研究

在分析Ｐｈ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３＋ＢｉＦｅＯ３＋Ｓｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｐｈ［（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）（Ｔｉ，Ｚｒ）］Ｏ３系列压电性能的基础上，通过调整系统中的锆钛比，得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。实验结果表明，减少ＰＺＴ系统中的锆钛比，可提高系统的居里温度，这一点对开发高温压电陶瓷材料有指导意义。

AST液相掺杂对低电阻率、高抗电强度BaTiO_3半导瓷显微结构及电性能影响

通过改变低电阻率BaTiO3半导体陶瓷中液相添加剂AST的含量 ,采用XRD和SEM显微分析方法研究了AST含量对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷显微结构的影响。研究结果指出 :BaTiO3半导体陶瓷中AST的引入量对晶界厚度的控制存在两个临界点 ,晶界厚度对低电阻率、高抗电强度BaTiO3半导体陶瓷的显微结构和电性能产生重要影响。

MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响

ＭｎＯ对Ｐｂ_（１－ｘ）Ｓｒ_ｘ［（Ｓｂ_（１／２）Ｎｂ_（１／２））_ｙＴｉ_（１－ｙ）］Ｏ_３改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明，添加适当的ＭｎＯ可以得到介电常数εｒ＝２４０，机电耦合系数是ｋｔ＝２４８．５％，机械品质因数Ｑｍ＝１５００，居里温度Ｔｃ＝４３５℃的高稳定性压电陶瓷材料。该材料在高温及高频器件的应用方面有重要的应用价值。

Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响

为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器 ,利用新型Sol Gel方法研究了Cr2 O3 掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响 .复合先驱体溶液由Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3 COO) 2 ,Bi2 O3 ,Sb2 O3 ,MnO及Cr2 O3 的溶胶中制成 .研究结果表明 :利用新型Sol Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中 ,ZnCr2 O4相在较低的Cr2 O3 添加量时出现 ,当Cr2 O3 的摩尔分数为 0 .75 %时 ,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为 7,压敏电压为 6V ,漏电流密度为 0 .7μA/mm2 .

改进sol-gel技术BST薄膜的制备及性能研究

为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶 凝胶(sol gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料。SEM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善。得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405,介电损耗为0.011,剩余极化强度为Pr=2.3μC·cm-2,矫顽场为Ec=45kV/cm。

铁电陶瓷基光子晶体发展现状及其应用

铁电陶瓷基光子晶体在外场激励作用下发生铁电相变,可用于制备带隙可调光子晶体。主要介绍了不同维度铁电陶瓷基光子晶体的常用制备方法,总结了每种方法的特点及代表性的研究成果,阐述了铁电陶瓷基光子晶体的应用,最后提出了铁电陶瓷基光子晶体的发展趋势。

多工位PTCR自动耐电压测试仪

为克服目前PTCR生产中耐电压测试仪的各种缺点 ,研制了多工位PTCR自动耐电压测试仪。采用PC机、智能化仪表及各种外围接口电路 。

B位掺杂对Pb[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.5)]_x(Zr_(0.825)Ti_(0.175))_(1-x)O_3系陶瓷铁电畴反转的影响

用传统陶瓷工艺制备了Pb[(Mn1/3Nb2/3)0.5(Mn1/3Sb2/3)0.5]x(Zr0.825Ti0.175)1-xO3(其中x为B位掺杂的摩尔分数,下同)系铁电陶瓷,研究了室温条件下电滞回线的特性。结果显示:当x≤0.1时,电滞回线出现“束腰”;当x=0.2时,“束腰”消失。用X射线光电子能谱、X射线衍射分析手段研究了“束腰”现象,并用氧缺位内偏场理论分析该现象的微观机理。结果表明:过量Mn偏析于晶界,使材料的晶界具有p型导电性,偏析Mn的量越多,晶界p型导电性越强,氧缺位钉扎电畴的能力下降,电畴容易反转,进而导致“束腰”现象消失。另外,随着x增大,剩余极化强度先增大后减小,矫顽场逐渐增大。

改性 PbTiO_3 压电陶瓷工艺的研究

针对改性ＰｂＴｉＯ３压电陶瓷制造过程中ＰｂＯ挥发严重的问题，通过降低烧结温度和增加ＰｂＯ气氛两种方法对系统的压电性能进行了研究，得到了烧结温度低、ＰｂＯ挥发量低、压电性能优良的改性ＰｂＴｉＯ３陶瓷．

液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响很大，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低；ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大；过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响，适当过量ＴｉＯ２含量，可得到性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷。

改性PbTiO_3压电陶瓷各向异性的研究

以改性ＰｂＴｉＯ＿３压电陶瓷的结构为基础，对其各向异性进行了探讨。认为产生大的压电各向异性在于其钙钛矿结构ＡＢＯ＿３中Ａ位取代离子的特定离子半径和电子态。并依据一些实验现象进行了分析。

高温、高频压电陶瓷材料研究进展

主要介绍了不同系列高温高频压电陶瓷材料的结构及性能特点,针对不同应用条件提出了相应的陶瓷材料系列,指出改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究是高温高频压电陶瓷研究工作的重要组成部分。

UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究

利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.