ZnSe／ZnS平板波导全光调制和电光调制特性

在室温，随着增加入射光强，我们首次在ＺｎＳｅ／ＺｎＳ平板被导中观测到由于“带填充”效应而引起的全光调制和由于施加电场而引起的电光调制特性．

制备多孔硅的一种新方法

自从Canham观察到多孔硅(PS)的可见光致发光后,由于其可望成为可与Ⅲ—Ⅴ族半导体材料相媲美的新型光电子材料而引起了科学界极大的兴趣.目前,制备多孔硅一般都采用电化学腐蚀方法. 本文首次报导用激光束照射制备多孔硅的一种新方法.这种方法与通常采用的电化学腐蚀法不同,不用制备电极、不用通电流、只要把激光束照射到浸在HF水溶液或HF+C_2H_5OH溶液中的硅样品表面上,就在被激光束照射处形成多孔硅.

一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极

主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖．采用各向同性腐蚀的方法在〈１１１〉晶面和〈１００〉晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖．实验结果表明〈１１１〉晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖．通过实验，调整了腐蚀剂的组成。

ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响.发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能.在此基础上首次采用新工艺在3×3mm^2面积上把GaAs衬底金部腐蚀掉,剩下均匀、光滑的ZnSe-ZnS超晶格层,在其上做出了300×300μm^2的列阵,为在ZnSe-ZnS超晶格上实现光学双稳的集成化提供了必要条件.

单面摩擦液晶盒显示特性的研究

单面摩擦盒由两块涂有P2层的玻璃基板构成,只对其中一片做摩擦处理,第一片不摩擦,靠液晶自身螺距控制扭曲角,这种模式的液晶盒减少了摩擦工艺,可以避免静电对TFT的影响,因而具有重要的实践意义。本文研究了具有不同d/P值的单面摩擦盒的显示特性和单面摩擦盒的最佳参数选择。实验还发现单面摩擦盒的阙值电压和响应时间随温度的变化不同于双面摩擦液晶盒。

液晶L-B膜的制备及取向效果

利用Langmuir-Blodgett技术,制备了液晶(6CHBT)L-B膜,研究了其稳定性及作为液晶取向层的取向效果.讨论了取向机理及进一步应用的可能性。

创设情境激趣拼音

兴趣是教学成功的秘诀所在，拼音教学的方法可以千变万化，只有教师不断创新，采用切合实际的教法，且多种方法相结合，使拼音教学融知识性、趣味性和实践性于一体，让学生趣中求知，知中有趣，充分调动学生的学习积极性。

无氢化学气相沉积法制备碳纳米管

采用无氢的化学气相沉积法(CVD)进行碳纳米管的制备技术研究,并成功地制备了φ20～φ80nm左右,长度为50～100μm左右的碳纳米管.通过改变气体的流量等影响因素实现了定向碳纳米管薄膜和多层碳纳米管薄膜以及其它各种形态的碳纳米管的制备.采用微区Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等方法对产物的形貌和结构进行了表征,结果表明采用无氢CVD法可以制备出多种形态的碳纳米管.

喷雾模式及喷雾形态用于口腔吸入及鼻用制剂的质量评价

口腔吸入及鼻用制剂(orally inhaled and nasal drug products,OINDPs)是指将药物制备成干粉或雾滴,利用给药装置,分别将药物运送至肺部或鼻腔黏膜,进而发挥局部或全身治疗作用的剂型。喷雾模式和喷雾形态是溶液及混悬型吸入及鼻用制剂体外评价的重要指标,可以采用激光成像系统进行测定。对喷雾模式及喷雾形态的测定方法和结果评价进行了详细讨论,同时对激光成像系统中自动触发器模块的参数选择进行了相关说明。