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一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源
1
作者
娄义淳
杜承钢
+3 位作者
闵睿
郑倩
杨发顺
马奎
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期742-748,共7页
基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基...
基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基极-发射极电压作为电流源,利用电流镜为其他模块提供电流;在钳位运放中引入负反馈,以提高电路的输入电压范围。芯片实测数据表明,在4~36 V的工作电压范围内,2.5 V和3 V输出电压的温漂系数均小于3×10^(-6)/℃;2.5 V和3 V输出电压的线性调整率分别为7.3μV/V和2.5μV/V,实现了超低的温度漂移和线性调整率。
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关键词
双极型
带隙基准源
超低温漂
Brokaw模型
二阶补偿
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职称材料
题名
一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源
1
作者
娄义淳
杜承钢
闵睿
郑倩
杨发顺
马奎
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
贵州辰矽电子科技有限公司
半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期742-748,共7页
基金
贵州省科技计划项目(黔科合支撑[2023]一般283)。
文摘
基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基极-发射极电压作为电流源,利用电流镜为其他模块提供电流;在钳位运放中引入负反馈,以提高电路的输入电压范围。芯片实测数据表明,在4~36 V的工作电压范围内,2.5 V和3 V输出电压的温漂系数均小于3×10^(-6)/℃;2.5 V和3 V输出电压的线性调整率分别为7.3μV/V和2.5μV/V,实现了超低的温度漂移和线性调整率。
关键词
双极型
带隙基准源
超低温漂
Brokaw模型
二阶补偿
Keywords
bipolar
bandgap reference source
ultra-low temperature drift
Brokaw model
second-order compensation
分类号
TN710.4 [电子电信—电路与系统]
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源
娄义淳
杜承钢
闵睿
郑倩
杨发顺
马奎
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
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职称材料
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