高温工作寿命试验技术研究

介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行。并获得了微波低噪声GaAs FET在室温条件下的平均失效率已低于10^(-9)/h的结果。

电磁兼容试验及试验方法研究

介绍了电磁敏感度（ＥＭＳ）试验系统的筹建及自制设备的研制过程， 对试验方法进行了一些探讨。

微波器件失效率快速试验方法研究

介绍了微波低噪声ＧａＡｓＦＥＴ恒定应力加速寿命试验结果，沟道温度Ｔｃｈ为１４５℃时，平均寿命ＭＴＴＦ为９．６４×１０＾６ｈ，最主要的失效模式是源漏饱和电流ＩＤｓｓ退化降低。建立了表征ＧａＡｓＦＥＴ稳定性的敏感参数ＩＤｓｓ的退化模型ＩｎＰ＝α＋ｂｌｎｔ，分析了ＩＤｓｓ退化与温度应力的加速关系。提出了快速推断器件可靠性的建议。

GaAsFET辐射退化研究

低噪声ＧａＡｓＦＥＴ和功率ＧａＡＳＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效。直流偏置状态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流Ｉ＿（ＤＳＳ）的退化降低，据此提出了Ｉ＿（ＤＳＳ）退化失效与快中子注量ф＿ｎ之间的解析关系式ｌｎｙ＝α＋ｂｌｎф＿ｎ。

振荡器的高可靠性研究

1 前言随机抽取了5部x波段GaAsFET高Q介质谐振振荡器进行额定工作寿命试验,连续工作了4年多而无一失效;然后接着进行室温条件下非工作状态贮存寿命试验,历经7年未发现实质性恶变,统计数据证实该振荡器的可靠性是相当高的。本文给出了试验测量结果,并对其可靠性进行了评价分析。2 振荡器简介高Q介质谐振振荡器是产生固定频率的理想振荡器。在1—5GHz频段通常使用双极晶体管做为振荡器的有源器件,而在4—18GHz频段一般使用GaAsFET作为振荡器的有源器件。

家用视频设备中射频调制器的质量研究

介绍了目前国内部分射频调制器的结构，通过测试试验对射频调制器的质量进行了分析研究，对一些已用于或尚未用于射频调制器的器件进行试验研究。