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MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
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作者 杨帆 马瑾 +2 位作者 冯先进 孔今沂 张凯 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期292-293,共2页
用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以O2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和(222... 用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以O2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和(222)方向择优取向生长,电阻率~6.40×10^-3Ω·cm,在可见光区域的平均透过率达到了90%以上。 展开更多
关键词 MOCVD In2O3薄膜 结构性质 光电性质
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