无机高阻层对ZnO压敏电阻综合性能的影响

探究了涂覆不同Cr_(2)O_(3)/MgO比例无机高阻层对ZnO压敏电阻的微观结构以及电学性能的影响。通过研究发现,D2电阻片具有最佳的电气性能,其电位梯度E为222.5 V·mm^(-1),非线性数α为63.24,泄漏电流I_(L)为0μA,残压比K为1.69。最高可承受2 ms方波脉冲电流大小为300 A,老化系数Kct为0.85,且起始功率低,表现出良好的电学性能,更适合在电路中长期工作。

In_(2)O_(3)掺杂对低压ZnO压敏电阻显微结构及电气性能的影响

提出了掺杂In_(2)O_(3)对低压ZnO压敏电阻显微结构的影响及对其综合电气性能的研究。通过改变In_(2)O_(3)的用量,同时借助相关分析方法对压敏电阻的显微结构和电气性能进行综合分析。最终发现,随着In_(2)O_(3)含量的增加,低压ZnO压敏电阻的电气性能得到提升,但是过量的In_(2)O_(3)却会使其残压比和正反极性增加。I-3电阻片具有最佳的电学性能,其电位梯度为115.5 V·mm^(-1),漏电流为1.34μA,非线性系数α为68.1,以及残压比为2.20。其耐8/20μs、10 kA浪涌冲击正面变化变化率为-0.2%,反面变化率-4.8%。

镓离子掺杂量对ZnO压敏电阻性能的影响

研究了不同含量Ga^(3+)掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构,电学性能的影响。微观结构上,掺杂Ga^(3+)没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长,并使得尖晶石数量增多,尺寸减小;电学性能上,因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga^(3+)掺杂就显著增大了漏电流,降低了非线性,提高了压敏电阻的梯度。当Ga^(3+)掺杂量增加到0.014 mol%时,压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。

非线性直流氧化锌电阻片侧面无机绝缘涂层研究

针对现有非线性直流氧化锌电阻片的性能优化,笔者开展了电阻片侧面无机绝缘涂层的性能研究,并对比分析了不同涂层配方对电阻片方波通流容量、大电流冲击、老化系数、压比等参数性能的影响。通过对比测试涂覆4种不同无机绝缘涂层的氧化锌电阻片,涂覆最优配方绝缘涂层的氧化锌电阻片N4电位梯度为201 V/mm, 5kA雷电冲击残压比为1.76,非线性系数为24,50kA 4/10μs电流冲击以及300 A 2 ms方波电流冲击的通过率均为100%,老化系数为0.39,表现出良好的综合电学性能。