一种16位高速数模转换器(DAC)的设计与实现

基于Mixed-Signal CMOS工艺,设计了一种采用分段式电流舵结构的高速高精度DAC.电路设计中同时在该DAC的内部电路中采用了一种新的电流校准技术,既保证了DAC电路的高精度,又减小了梯度误差的影响.电路流片后的实际测试结果表明,该16位DAC在400MSPS转换速率下仍具有良好的性能.

一种16位高速数模转换器(DAC)的设计与实现

基于Mixed-Signal CMOS工艺,本文设计了一种采用分段式电流舵结构的高速高精度DAC。同时在该DAC的内部电路中采用了一种新的电流校准技术,既保证了DAC电路的高精度,又减小了梯度误差的影响。电路流片后的实际测试结果表明,该16位DAC在400MSPS转换速率下仍具有良好的性能。

基于产业集群的工业园区发展研究——以北京经济技术开发区为例

产业集群的理论在近年来得到了很快的发展,特别是基于FDI的产业集群。FDI在选择投资地时主要从规模经济、基础设施、人才利用、政策环境和长夜服务体系几个方面考虑。在龙头企业投资后能否形成产业集群还取决于龙头企业的示范作用。本文将用产业集群的相关理论来研究北京经济技术开发区电子信息产业集群的形成原因。

一种14位210MSPS校准电流DAC设计

本文设计了一种3.3V 14位210MSPS电流型DAC。该转换器包括高速模拟开关、带隙参考电路、电流调整电路和高速锁存器等。采用了分段电流沉结构,同时还采取了电流源调整技术,改善了芯片的线性参数。电路基于0.35μm CMOS工艺设计,芯片面积3.8mm2。测试表明,其刷新率可达210MSPS,INL为±0.8LSB,DNL为±0.5LSB,SFDR@fclk=210MSPS为72dBC@fout=5.04MHz,在3.3V电压下工作时功耗小于120mW。本文网络版地址:http://www.eepw.com.cn/article/233873.

用于GaN驱动芯片的低功耗高可靠高侧供电电路

高侧供电电路对GaN驱动芯片的可靠性和功耗有非常重要的影响。设计并实现了一种低功耗高可靠的高侧供电电路。考虑到GaN器件的低栅源击穿电压及其反向导通特性,通过自举钳位稳压设计将低压差线性稳压器(LDO)直接搭建在高侧通路以实现对GaN器件栅源电压的保护,此外通过设计抗高侧地HS负压的电平位移电路以实现在高频、高噪声条件下GaN驱动芯片能够正常工作。该高侧供电电路基于0.18μm BCD工艺设计并流片,测试结果表明,集成该高侧供电电路的GaN驱动芯片的高侧输出端能够在最大90 V/ns的电压转换速率或最小25 ns脉宽的输入脉冲下输出最大压差5 V的方波信号,具有良好的性能。

CDM:开发过程和风险评估

项目业主及大多数中介机构,都缺乏运作CDM项目的能力,缺乏对CDM规则的了解。申请CDM项目的每个阶段都包含大量有针对性的条款以及相应的英文文件,经验和能力缺乏带来的直接影响就是项目注册和获益的延迟．这对“时效性”极强的 CDM项目来说是严重的损失。

一种应用于LDO的可编程电流限电路设计

提出了一种应用于线性稳压器(LDO)的可编程电流限电路,可实现调整管电流的精准采样。根据输入—输出压差和负载电流的不同工作情况,通过调节片外的限流电阻来改变电流限值的大小。基于TSMC 0.25μm BCD工艺进行设计,采用H-spice进行仿真验证。仿真结果表明,LDO在2 V～5.5 V的输入电压、1.2 V～5 V的输出电压范围内,实现了最大3 A带载能力的输出,该可编程电流限电路可将电流限值在0.2 A～4.5 A内编程。

阿尔卡特并购贝尔引发并购风暴?

阿尔卡特并购贝尔,看似只是一场并购行为。

新型工业化选择哪条路更好——访中国人民大学商学院贸易经济系主任谷克鉴

一进入2004年,产业投资就掀起阵阵热潮。中国的产业投资究竟路在何方?外资的进入会对我们造成哪些影响?面对国外资本的进入,我们该如何进行产业结构调整,如何实现新型工业化呢?就此,我们采访了中国人民大学商学院教授、博士生导师、贸易经济系主任谷克鉴教授。谷教授现为中国国际贸易学会常务理事、中国商业经济学会常务理事、中国市场学会常务理事,曾担任中南财经大学工商管理学院院长,著有《HBS推断的验证与拓展:中国国民与外贸部门出口波动差异的实证分析》,获得了“安子介国际贸易研究奖”优秀论文一等奖;他的《制度变迁与市场国际化》获得了“安子介国际贸易研究奖”优秀著作奖和“第二届全国高校人文社会科学研究优秀成果奖”