新型低功耗低温漂带隙基准电路设计

本文提出了一种新型参考电压电路设计方式,其产生的输出参考电压,又被称为带隙基准,具有超低功耗、低温漂系数的特点,电路简单易于实现,非常适合于低功耗领域芯片设计的应用。与传统的带隙基准电路不同,此电路利用具有负温度系数的双极晶体管基极-发射极电压和工作在亚阈值区域具有正温度系数的MOS管栅极-源极电压相加权,构成一个带隙基准电压。设计采用110nm半导体工艺,电源电压1.8V,在典型工艺角下,-40℃~105℃温度范围内平均功耗电流为948nA,温漂系数为11.64ppm/℃。