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绝缘栅PMOS的SUPREM──SEDAN联机模拟研究 被引量：1
1
作者 李惠军 龙莹山 孙光增 《山东科学》 CAS 1994年第2期19-22,共4页
本文分析及研究了作者对绝缘栅ＰＭＯＳ场效应结构所进行的ＳＵＰＲＥＭ—ＳＥＤＡＮ联机模拟．重点在衬底电阻率（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果．同时，定量地描述了栅氧层中电离电荷的... 本文分析及研究了作者对绝缘栅ＰＭＯＳ场效应结构所进行的ＳＵＰＲＥＭ—ＳＥＤＡＮ联机模拟．重点在衬底电阻率（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果．同时，定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为．揭示了上述效应的机理． 展开更多
关键词 工艺模拟 场效应器件 绝缘栅
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