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采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT低噪声放大器设计 被引量:1
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作者 孙博韬 张万荣 +5 位作者 谢红云 陈亮 沈珮 黄毅文 尤云霞 王任卿 《电子器件》 CAS 2010年第4期456-459,共4页
宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配。通常,这两个指标是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度。提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路... 宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配。通常,这两个指标是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度。提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路,在输出端消除了输入匹配网络引入的噪声,实现阻抗匹配和噪声匹配的去耦。基于Jazz0.35μmSiGe工艺,设计了一款采用该噪声抵消技术的宽带低噪声放大器。放大器的工作带宽为0.8-2.4GHz,增益在16dB以上,噪声系数小于3.25dB,S在-17dB以下。 展开更多
关键词 低噪声放大器 阻抗匹配 噪声匹配 噪声抵消技术 SIGE工艺
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宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化
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作者 孙博韬 张万荣 +4 位作者 金冬月 谢红云 丁春宝 尤云霞 王任卿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期31-35,共5页
噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条件。并给出了该条件下,噪声抵... 噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条件。并给出了该条件下,噪声抵消结构的噪声系数随频率变化的解析表达式。通过与仿真结果对比,验证了该解析表达式的准确性。在此基础上,分析了匹配器件的高频噪声不能完全抵消时该结构的噪声系数。最后,提出了一种噪声抵消结构的优化设计方法。 展开更多
关键词 噪声抵消结构 噪声系数 解析表达式 优化设计 有源匹配电路
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3~6GHz SiGe HBT Cascode低噪声放大器的设计 被引量:5
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作者 丁春宝 张万荣 +5 位作者 谢红云 沈珮 陈亮 尤云霞 孙博韬 王任卿 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1162-1166,共5页
基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3~6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平... 基于Jazz 0.35μm SiGe工艺设计一款满足UWB和IEEE802.11a标准的低噪声放大器.采用并联电感峰化技术与Cascode结构来展宽带宽;完成了芯片版图的设计,芯片面积为1.16 mm×0.78 mm;在带宽为3~6 GHz范围内,最大增益为26.9 dB,增益平坦度为±0.9 dB.放大器的输入输出匹配良好,其回波损耗S11和S22均小于-10dB,输入与输出驻波比小于1.5,1 dB压缩点为-22.9 dBm.在整个频段内,放大器无条件稳定. 展开更多
关键词 低噪声放大器 SIGE异质结双极晶体管 达林顿对
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Cascode射频有源电感的设计 被引量:3
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作者 尤云霞 张万荣 +4 位作者 金冬月 谢红云 沈珮 丁春宝 孙博韬 《电子器件》 CAS 2011年第1期40-43,共4页
基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分... 基于Cascode结构,提出了采用双共基异质结双极型晶体管级联反馈射频有源电感的设计方法,并与电阻反馈、单共基晶体管反馈构成的两种有源电感进行了比较。分别从理论上推导出了这三种不同反馈支路的有源电感的输入阻抗与等效电感,同时分析了影响其性能的因素。最终采用Jazz0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用安捷伦射频仿真软件ADS,对电路进行了验证。结果表明,采用双共基晶体管级联反馈构成的有源电感,兼具有电感值大,品质因数高等优点。 展开更多
关键词 有源电感 反馈 品质因数 自谐振频率
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基于SiGe HBT的射频有源电感的设计 被引量:3
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作者 尤云霞 张万荣 +5 位作者 金冬月 谢红云 沈珮 陈亮 丁春宝 孙博韬 《电子器件》 CAS 2010年第4期424-427,共4页
基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论。在带... 基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论。在带宽为1~15.8GHz的范围内,其电感值可以达到1nH以上,电感的品质因数最大值达到75.4。通过调节晶体管的偏置电压,有源电感的电感峰值在1.268nH-1.914nH范围内变化。电感值的可调谐性对增强电路设计的可复用性及灵活性具有现实意义。 展开更多
关键词 有源电感 回转器 品质因数 自谐振频率
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双频段低噪声放大器的设计 被引量:3
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作者 谢红云 王文军 +4 位作者 张万荣 沈珮 丁春宝 尤云霞 孙博韬 《电子器件》 CAS 2010年第5期582-586,共5页
适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹... 适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器。放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹配的耦合,输入匹配电路采用单通道串并联LC电路,计算串并联电感和电容值,可以在两个工作频点发生谐振。输出端通过调整负载阻抗到50Ω,采用简单的电路实现功率输出。ADS的仿真结果表明,本文设计的低噪声放大器在800 MHz和1.8 GHz两个工作频段的S21分别达到了24.3 dB和21.3 dB,S11均达到了-13 dB,S22均在-27 dB以下,两个频段的噪声系数分别为3.3 dB和2.0 dB。 展开更多
关键词 双频段 低噪声放大器 匹配
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新型3.1~6GHz高增益超宽带低噪声放大器 被引量:1
7
作者 沈珮 张万荣 +4 位作者 金冬月 谢红云 尤云霞 孙博韬 肖盈 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1181-1185,共5页
在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和... 在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1~6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5~2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定. 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 达林顿对 电流增益
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基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
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作者 王任卿 张万荣 +5 位作者 金冬月 陈亮 丁春宝 肖盈 孙博韬 赵昕 《电子器件》 CAS 2010年第6期680-683,共4页
针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温... 针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况。结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGeHBT的指上的温度分布更加均匀、不同指上的温差和集电结结温明显降低,自热效应得到有效抑制,器件的热稳定性得到增强。 展开更多
关键词 SIGE HBT 热模拟 分段结构 自热效应
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MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究 被引量:1
9
作者 杨尊松 王立新 +5 位作者 肖超 宋李梅 罗小梦 李彬鸿 陆江 孙博韬 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第2期250-253,共4页
通过交流电导法,对经过不同时间N_2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N_2O RTP对Si-SiO_2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO_2界面陷阱密度随N_2O快速热处... 通过交流电导法,对经过不同时间N_2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N_2O RTP对Si-SiO_2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO_2界面陷阱密度随N_2O快速热处理时间先增加再降低;零偏压总剂量辐照使氧化层陷阱电荷显著增加,而Si-SiO_2界面陷阱电荷轻微减少。 展开更多
关键词 Si-SiO2界面 电导法 界面特性 辐照特性
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Thermal stability improvement of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations using non-uniform finger spacing 被引量:1
10
作者 陈亮 张万荣 +6 位作者 金冬月 沈珮 谢红云 丁春宝 肖盈 孙博韬 王任卿 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期667-671,共5页
A method of non-uniform finger spacing is proposed to enhance thermal stability of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations. Temperature distribution on the emi... A method of non-uniform finger spacing is proposed to enhance thermal stability of a multiple finger power SiGe heterojunction bipolar transistor under different power dissipations. Temperature distribution on the emitter fingers of a multi-finger SiGe heterojunction bipolar transistor is studied using a numerical electro-thermal model. The results show that the SiGe heterojunction bipolar transistor with non-uniform finger spacing has a small temperature difference between fingers compared with a traditional uniform finger spacing heterojunction bipolar transistor at the same power dissipation. What is most important is that the ability to improve temperature non-uniformity is not weakened as power dissipation increases. So the method of non-uniform finger spacing is very effective in enhancing the thermal stability and the power handing capability of power device. Experimental results verify our conclusions. 展开更多
关键词 heterojunction bipolar transistor thermal coupling power dissipation
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甲状腺癌中m6A甲基化调控因子的表达及其预后价值 被引量:3
11
作者 王文龙 沈聪 +4 位作者 孙博韬 白宁 李新营 陈嘉欣 彭婀敏 《中国普通外科杂志》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期934-941,共8页
背景与目的:甲状腺癌发病率逐年升高,但其发病机制仍不清楚,阐述甲状腺癌的发病机制对改善甲状腺癌患者的预后至关重要。研究表明,m6A甲基化调控因子高度参与癌症发生发展,具有良好的潜在预后价值。因此,本研究通过生物信息学方法分析... 背景与目的:甲状腺癌发病率逐年升高,但其发病机制仍不清楚,阐述甲状腺癌的发病机制对改善甲状腺癌患者的预后至关重要。研究表明,m6A甲基化调控因子高度参与癌症发生发展,具有良好的潜在预后价值。因此,本研究通过生物信息学方法分析甲状腺癌中m6A甲基化调控因子的表达并构建基于m6A甲基化调控因子的甲状腺癌预后模型。方法:从TCGA数据库下载甲状腺癌m6A甲基化调控因子的表达数据和相应的临床病理资料,通过Wilcoxon检验分析20个m6A甲基化调控因子在肿瘤和正常组织的差异表达;用一致性聚类分析将甲状腺癌患者分为两个聚类,比较两个聚类患者临床病理因素和总体生存率的差异;Lasso Cox回归分析构建风险预测模型并用ROC曲线下面积(AUC)评估模型的预测能力。结果:19个m6A甲基化调控因子在甲状腺癌和正常组织表达具有统计学差异(均P<0.05),其中HNRNPC、IGF2BP2、FMR1在甲状腺癌组织中明显高表达,而其余表达下调。聚类分析示,cluster 1生存期低于cluster 2(P<0.05),颈淋巴结转移发生率明显高于cluster 2(P<0.01)。基于Lasso Cox回归分析筛选的4个基因(IGF2BP2、RBM15、YTHDF1、YTHDF3)构建风险评估模型,相比低风险组患者,高风险患者生存期明显缩短(P=0.007);ROC曲线示,该模型可以预测甲状腺癌患者的预后(AUC=0.731)。结论:m6A甲基化调控因子在甲状腺癌中存在差异表达,基于甲状腺癌中关键m6A甲基化调控因子所构建的预后风险模型具有较好的预测能力,可为临床决策提供一定的依据。 展开更多
关键词 甲状腺肿瘤 RNA甲基化调控因子 预后 计算生物学
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Analysis of a wavelength selectable cascaded DFB laser based on the transfer matrix method
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作者 谢红云 陈亮 +5 位作者 沈珮 孙博韬 王任卿 肖盈 尤云霞 张万荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期50-53,共4页
A novel cascaded DFB laser,which consists of two serial gratings to provide selectable wavelengths,is presented and analyzed by the transfer matrix method.In this method,efficient facet reflectivity is derived from th... A novel cascaded DFB laser,which consists of two serial gratings to provide selectable wavelengths,is presented and analyzed by the transfer matrix method.In this method,efficient facet reflectivity is derived from the transfer matrix built for each serial section and is then used to simulate the performance of the novel cascaded DFB laser through self-consistently solving the gain equation,the coupled wave equation and the current continuity equations.The simulations prove the feasibility of this kind of wavelength selectable laser and a corresponding designed device with two selectable wavelengths of 1.51μm and 1.53μm is realized by experiments on InP-based multiple quantum well structure. 展开更多
关键词 transfer matrix method cascaded DFB laser selectable wavelengths
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