本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区...本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布。展开更多
目的观察雌激素处理对成年雄性小鼠黑质多巴胺神经元数量的影响及可能的调控机制。方法选用雄性C57/BL6小鼠10只,分成对照组、雌激素组(E2),采用免疫组化检测雌激素处理对小鼠黑质多巴胺神经元与calb ind in阳性神经元数量的改变;采用RT...目的观察雌激素处理对成年雄性小鼠黑质多巴胺神经元数量的影响及可能的调控机制。方法选用雄性C57/BL6小鼠10只,分成对照组、雌激素组(E2),采用免疫组化检测雌激素处理对小鼠黑质多巴胺神经元与calb ind in阳性神经元数量的改变;采用RT-PCR分析雌激素处理对小鼠中脑内多巴胺转运蛋白(DAT)、胰岛素样生长因子1受体(IGF-1R)与脑源性神经营养因子(BDNF)mRNA水平的影响。结果雌激素处理可以增加小鼠黑质多巴胺神经元数量[E2组(119.7±2.9)个vs对照组(93.5±5.1)个,P=0.004],并增加小鼠中脑内DAT的表达水平(P<0.05),而对calb ind in阳性神经元数量无影响[E2组(88.0±2.0)个vs对照组(86.2±1.5)个]。雌激素处理同时可以上调小鼠中脑内IGF-1R与BDNFmRNA水平(P<0.05)。结论雌激素通过调节IGF-1R与BDNF的表达增加小鼠中脑内多巴胺神经元数量。展开更多
文摘本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布。
文摘目的观察雌激素处理对成年雄性小鼠黑质多巴胺神经元数量的影响及可能的调控机制。方法选用雄性C57/BL6小鼠10只,分成对照组、雌激素组(E2),采用免疫组化检测雌激素处理对小鼠黑质多巴胺神经元与calb ind in阳性神经元数量的改变;采用RT-PCR分析雌激素处理对小鼠中脑内多巴胺转运蛋白(DAT)、胰岛素样生长因子1受体(IGF-1R)与脑源性神经营养因子(BDNF)mRNA水平的影响。结果雌激素处理可以增加小鼠黑质多巴胺神经元数量[E2组(119.7±2.9)个vs对照组(93.5±5.1)个,P=0.004],并增加小鼠中脑内DAT的表达水平(P<0.05),而对calb ind in阳性神经元数量无影响[E2组(88.0±2.0)个vs对照组(86.2±1.5)个]。雌激素处理同时可以上调小鼠中脑内IGF-1R与BDNFmRNA水平(P<0.05)。结论雌激素通过调节IGF-1R与BDNF的表达增加小鼠中脑内多巴胺神经元数量。