一种阳极连接P型埋层的AlGaN/GaN肖特基二极管

在传统AlGaN/GaN肖特基二极管中,阳极漏电始终是制约器件耐压提高的一个重要因素。因此文中研究了在缓冲层中生长P型埋层并与阳极相连的AlGaN/GaN肖特基二极管结构AC-PBL FPs SBD来抑制阳极的泄漏电流。同时,在二极管的两级均加上场板来调制该器件的表面电场分布。经过仿真验证可知,该结构的阳极关断泄漏电流得到了有效抑制,同时辅助耗尽沟道内的2DEG,扩大空间电荷区,进而提高了器件的耐压特性。该结构的击穿电压为733 V,与传统GET SBD器件相比,击穿电压提高了近3.4倍,Baliga优值提升了近11.6倍,说明该器件可以应用在电力电子线路中。

具有垂直漏极场板的GaN HEMT器件结构设计

设计并研究了一种带有由表面漏极场板和垂直漏极场板组成的复合漏极场板的GaN HEMT器件结构。表面漏极场板能在栅漏之间引出新的表面电场峰值从而进一步提高表面电场的分布,而垂直漏极场板通过在体内引入漏极侧纵向电场峰值也能提高栅漏间的表面电场分布,如再结合表面漏极场板就能在二维方向上实现对器件漏电极区域附近电场的调制作用。采用仿真软件Sentaurus TCAD进行仿真和优化,结果表明:在器件栅漏间距为6μm的条件下,通过添加长度为0.5μm的栅极场板、0.2μm的表面漏极场板和1.8μm的垂直漏极场板以及长度为1.7μm、厚度为0.1μm、距离栅电极为0.1μm、掺杂浓度为5×1017 cm-3的P型GaN埋层,器件的击穿电压最大值能达到1 531 V。

市政工程施工进度管理与控制探析

在现代化城市建设中。市政工程的作用不可忽视。有效的市政工程项目施工进度的控制与管理不但可以满足施工秩序的需求，推动项目施工的顺利开展，同时还可以减少施工成本，帮助工程项目提升其经济和社会双重效益。