脉冲激光用于钙钛矿CsPbBr_(3)半导体中载流子输运性能表征

钙钛矿半导体具有优异的光电性能,被认为是新一代室温核辐射探测半导体。准确测定其载流子输运性能对于获得高性能钙钛矿半导体核辐射探测器至关重要。该文发展了以脉冲激光为激发源的钙钛矿半导体载流子输运性能表征方法。基于所制备的Au/CsPbBr_(3)/Bi器件,将脉冲激光由阳极面入射,并采集探测器阴极的脉冲信号,通过不同偏压下脉冲信号的上升时间及幅值分布,拟合得到CsPbBr_(3)半导体中空穴载流子的迁移率μh为11.78 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),迁移率寿命积μτh为2.82×10^(-3)cm^(2)·V^(-1),与传统以241Amα粒子为激发源的表征结果相当。该工作证明了以脉冲激光为激发源表征钙钛矿半导体的输运性能的可行性。基于CsPbBr_(3)半导体较好的载流子输运性能,该探测器表现出良好的γ射线探测性能,对57Co@122 keVγ射线的能量分辨率为8.5%。

Cs_(3)Bi_(2)I_(9)晶体的生长及辐射探测性能

采用布里奇曼法成功制备出大尺寸(Φ15 mm×50 mm)、高质量的全无机金属卤化物类钙钛矿Cs_(3)Bi_(2)I_(9)单晶。室温下,该晶体属于六方晶系,空间群为P63/mmc,密度为5.07 g/cm3,晶胞参数为a=b=0.840 nm,c=2.107 nm,熔点为632℃。采用粉末X射线衍射谱、紫外-可见-近红外漫反射光谱、I-V测试等表征该晶体的性质。制备Au/Cs_(3)Bi_(2)I_(9)/Au三明治型器件结构,采用飞行时间技术测试Cs_(3)Bi_(2)I_(9)晶体的载流子迁移率,得到Cs_(3)Bi_(2)I_(9)晶体的电子迁移率为4.33 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。根据Hecht单载流子方程拟合得到Cs_(3)Bi_(2)I_(9)晶体的载流子迁移率寿命积(μτ)为8.21×10^(-5)cm^(2)·V^(-1),并且在500 V偏压下对α粒子的能量分辨率达到39%。

脑膜中动脉栓塞治疗慢性硬膜下血肿的临床应用研究进展

慢性硬膜下血肿(chronic subdural hematoma,CSDH)是成人中最常见的神经外科疾病。尽管常规的外科手术方法已成为其治疗的主要手段,但手术治疗后复发率很高。脑膜中动脉栓塞(middle meningeal artery embolism,EMMA)已成为一种有希望的替代治疗或辅助治疗的方法,本研究对EMMA治疗CSDH的病理生理学,临床研究及运用方面进行荟萃分析和系统性回顾。

异甘草素抗胶质瘤的研究进展

异甘草素(ISL)为一类黄酮类化合物。研究表明,ISL在多种类型的肿瘤中都能够发挥抗肿瘤作用。关于ISL抗胶质瘤的研究较为深入。该文就ISL抗胶质瘤研究的相关作用机制和进展进行综述。

BTPCs在胶质母细胞瘤治疗中的研究进展

胶质母细胞瘤(glioblastoma,GBM)是成人神经上皮性肿瘤中恶性程度最高、最具侵袭性、预后最差的肿瘤[1],中位生存期仅12~18.5个月[2]。脑胶质瘤的细胞来源仍众说纷纭,星形胶质细胞、神经干细胞和少突胶质前体细胞等均有可能是胶质瘤的起源细胞[3]。研究表明,高级别胶质瘤更有可能起源于神经干细胞(neural stem cell,NSCs)[4]。

颅底脊索瘤的研究进展

颅底脊索瘤(SBC)是一种局部侵袭性肿瘤,可沿颅底侵犯并向不同方向扩展。尽管它们在组织学上是低度恶性的,但易侵及周围血管神经,使得在大多数情况下几乎不可能完全切除,这导致手术后残留肿瘤。目前对其治疗主要是手术及放射治疗,但复发率高,预后差。该文就颅底脊索瘤最新研究进展做一综述,以便对颅底脊索瘤的治疗提供帮助。

3D打印技术在神经外科中的应用研究进展

随着3D打印技术的不断发展,3D打印技术在神经外科中的应用越来越广泛,包括颅脑损伤后术后颅骨修补及颅内肿瘤、脑血管疾病、功能神经外科。应用影像后处理软件多模态融合技术可重建颅内病灶及其病灶周围神经和血管,将重建的模型应用3D技术打印出来,可优化手术方案,模拟手术入路。本文对3D打印技术在神经外科各个亚专业领域中的应用研究进展进行综述。

颅骨修补术后出现突眼1例

病例男,58岁,因“脑外伤术后1年,颅骨修补术后20 d”入院。患者缘于1年前不慎发生车祸,在医院行“颅内血肿清除术+去颅骨骨瓣减压术”,术后给予对症治疗,恢复良好。20 d前患者行“颅骨修补术”,术后病情平稳出院(图1 A~B)。现患者出现双眼突出,眼睑闭合不全,无怕热、多汗、食欲亢进、心率快等症状,为求进一步治疗来医院就诊,门诊以“脑外伤恢复期、突眼待查”收治入科。

炎性瘤样脱髓鞘病变的研究进展

炎性瘤样脱髓鞘病变(inflammatory tumor-like demyelinating disease,ITDD),又称脱髓鞘假瘤或瘤样炎性脱髓鞘病,是中枢神经系统免疫介导的炎性脱髓鞘病变的一种比较特殊的类型[1]。既往有学者认为ITDD介于急性播散性脑脊髓炎和多发性硬化(multiple sclerosis,MS)之间[2,3],但近年来的研究发现,大多数ITDD为单次病程,少数可转化为复发-缓解型MS(ralapse-remission multiple sclerosis,RRMS)或与视神经脊髓炎谱系疾病(neuromyelitis optica spectrum disorder,NMOSD)重叠[4]。

面向核医学成像的半导体探测器研究现状与展望

核辐射探测器是核医学成像设备的核心部件,探测器技术的发展不断带动核医学影像技术的发展。与传统的闪烁体探测器不同,半导体探测器具有卓越的能量分辨率、像素级的位置分辨率、极高的光电转换效率等优点,被认为是新一代高性能核医学成像系统的发展方向之一。针对核医学成像领域,首先,概述半导体探测器的工作原理和性能以及其在核医学领域的应用。其次,介绍3种主要的半导体探测器的研究进展。其中,碲锌镉探测器已应用于商业化单光子发射计算机断层成像系统,其他半导体材料如铯铅溴单晶,其γ射线探测性能与碲锌镉材料相当,且成本低廉,具有应用潜力。最后,结合核医学成像应用的需求,展望半导体探测器的发展趋势和研究重点。

颅骨修补术后并发症及其影响因素分析

目的探讨颅骨修补术后并发症的相关影响因素并进行临床分析。方法选取联勤保障部队第九四〇医院神经外科自2015年3月至2020年5月诊治的203例颅骨修补患者的临床资料,收集可能与患者颅骨修补术后并发症存在相关性的因素,采用单因素分析和多因素Logistic回归分析相关因素与患者并发症的关系。结果术后44例患者出现并发症,其中感染6例,继发癫痫15例,钛网暴露9例,颅内出血7例,硬膜外积液6例,死亡1例。通过单因素和多因素Logistic回归分析发现年龄(>50岁)、颅骨缺损面积(>10 cm×10 cm)及修补时间(>6个月)为患者颅骨修补术后并发症出现的独立危险因素(P<0.05)。结论患者年龄、颅骨缺损面积及修补时间是颅骨修补术后并发症发生的独立危险因素,重点评估上述指标并严格规范操作,争取早期行颅骨修补,重视其全身疾病,可以有效减少并发症的发生。