自蔓延高温合成Ti_2SnC粉体及反应机理的研究

采用自蔓延高温合成技术制备了Ti_2SnC粉体材料,利用XRD、SEM、EDS、TEM及DTA等分析手段对其形貌结构进行表征,在室温条件下其晶格参数a和c分别为3.186和13.630。分析了Ti2SnC的形成机制。在Ti-Sn-C反应体系中,Sn在232℃时熔化为液态,随着温度的升高,钛包裹在碳的外面形成钛碳层,继续加热Ti和Sn反应生成Ti-Sn金属间化合物TixSny,如Ti_6Sn_5和Ti_5Sn_3,在800℃左右钛碳层形成了TiC,在1100℃左右TiC与TixSny发生反应生成类盘状的Ti_2SnC。

高介电常数聚合物基复合材料的研究进展

综述了高介电常数聚合物基复合材料的研究进展,介绍了高介电常数聚合物基复合材料的分类:陶瓷填充聚合物基高介电复合材料、全有机高介电复合材料、导电填料填充聚合物基高介电复合材料,以及高介电常数聚合物基复合材料的优异性能及广泛应用,并评述了高介电常数聚合物基复合材料今后的研究发展趋势。

TiC的含量对自蔓延高温合成Ti_2SC粉体的影响

以钛粉、硫粉、碳粉及碳化钛粉为原料,采用自蔓延高温合成制备Ti_2SC粉体,研究Ti C的含量对自蔓延高温合成Ti_2SC粉体的影响。研究表明,在Ti-S-C/Ti C的合成产物中主相为Ti_2SC,有少量的Ti C和Ti_3S_4,当Ti C的含量为1.05 mol时仅存在Ti_2SC和Ti C,并且促进Ti_2SC片层结构的形成,在反应体系中,S先变为液态,随着温度的升高钛包裹在碳的外面形成钛碳层,继续加热Ti和S反应生成Ti_3S_4及液态的Ti-S,温度逐步升高钛碳层形成Ti C,最后Ti C与Ti_3S_4发生反应生成片状的Ti_2SC。Ti C的添加可以有效避免合成Ti_2SC过程中产生的热爆反应。

氧化石墨烯修饰碳糊电极循环伏安法测定铜离子

采用改进的Hummers法合成氧化石墨烯,利用挤压填充法将氧化石墨烯修饰到碳糊电极内,成功地制备了氧化石墨烯修饰碳糊电极并探讨了在此电极上铜离子的循环伏安行为。实验表明:石墨粉与氧化石墨烯材料配比为8∶1,底液p H值为3.0,扫描速率为120 m V/s测定铜离子时为最优实验条件,氧化峰电流与铜离子浓度在4.0×10-8mol/L^1.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为4.559×10-8mol/L。氧化石墨烯修饰碳糊电极对铜离子的测定表现出良好的重现性与稳定性。

基于第一性原理对Cr_2AlC和Ti_2SnC光学性质的研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,通过Materials Studio 5.5 CASTEP计算软件,对三元层状陶瓷211相中的Cr_2AlC和Ti_2SnC的光学性质进行计算分析.通过Cr_2AlC和Ti_2SnC的复介电常数和反射率的计算,从电子结构角度分析了它们光学性质的共性.二者在可见光区反射率较小,可知它们在可见光区具有良好的热稳定性,结合它们自身具有的高电导率,预测其可以作为良好的导电复合材料第二相添加剂;在紫外光区反射率相对较大,预测其可以作为潜在的防紫外线涂层材料.

慕课在中学化学教学中的应用研究

为了满足化学教学发展的需求,提高化学教学的效率,文章主要对慕课在中学化学教学中的应用策略进行了研究,包括教师转变教学观念和方式;根据化学知识特点,有选择地"翻转";获取多方支持。