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高性能2~18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器
被引量:
9
1
作者
戴永胜
李平
+1 位作者
孙宏途
徐利
《微波学报》
CSCD
北大核心
2012年第6期80-83,92,共5页
介绍了一种高性能2~18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-...
介绍了一种高性能2~18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB;插入相移:+6.28°/-1.53°;64态幅度均方根误差<1.0dB;64态相移均方根误差<1.3°;芯片尺寸:2.89mm×1.22mm×0.1mm。工艺成品率高达85%。
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关键词
数字衰减器
微波单片集成电路
砷化镓
超宽带
赝配高电子迁移率晶体管
下载PDF
职称材料
题名
高性能2~18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器
被引量:
9
1
作者
戴永胜
李平
孙宏途
徐利
机构
南京理工大学电子工程与光电技术学院
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2012年第6期80-83,92,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划"973"计划(2009CB320200)
国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
文摘
介绍了一种高性能2~18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB;插入相移:+6.28°/-1.53°;64态幅度均方根误差<1.0dB;64态相移均方根误差<1.3°;芯片尺寸:2.89mm×1.22mm×0.1mm。工艺成品率高达85%。
关键词
数字衰减器
微波单片集成电路
砷化镓
超宽带
赝配高电子迁移率晶体管
Keywords
digital attenuator, MMIC, GaAs, uhra wideband, PHEMT
分类号
TN715 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能2~18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器
戴永胜
李平
孙宏途
徐利
《微波学报》
CSCD
北大核心
2012
9
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职称材料
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