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TiSi_2的形成及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用
被引量:
1
1
作者
孙微风
《微电子学》
CAS
CSCD
1995年第5期4-7,共4页
采用蒸发淀积、快速热退火(RTA)等技术,通过Ti/Si、Ti/多晶硅固相反应,形成高电导均匀的TiSi_2薄膜,并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中,自对准形成钛硅化物薄膜(Ti-SALICIDE)...
采用蒸发淀积、快速热退火(RTA)等技术,通过Ti/Si、Ti/多晶硅固相反应,形成高电导均匀的TiSi_2薄膜,并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中,自对准形成钛硅化物薄膜(Ti-SALICIDE),以形成良好的欧姆接触和减小器件互连线电阻。本文介绍了钛与单晶硅、多晶硅形成的硅化物及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用研究。
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关键词
难熔金属硅化物
多晶硅
发射极工艺
快速热退火
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职称材料
一种超高速触发器工艺技术的研究
2
作者
孙微风
俞慧强
+1 位作者
熊杰
蒋宗树
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期243-246,共4页
在等平面S工艺基础上,开发了一种ECL超高速D触发器的IC工艺制作技术,并优化其关键工艺,得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的晶体管截止频率fT最大值为5.4CHz(Vce=5V):制作的ECL超高速D...
在等平面S工艺基础上,开发了一种ECL超高速D触发器的IC工艺制作技术,并优化其关键工艺,得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的晶体管截止频率fT最大值为5.4CHz(Vce=5V):制作的ECL超高速D触发器,在功耗电流只有30mA情况下,工作频率典型值为850MHz,最高可达900MHz以上,较好地解决了器件速度与功耗的矛盾。
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关键词
集成电路
ECL
D触发器
双极工艺
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职称材料
一种超高速八位移位寄存器
3
作者
万天才
孙微风
《微电子学》
CAS
CSCD
1993年第3期17-22,共6页
介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃~85℃,比...
介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃~85℃,比常规的TTL或者COMS移位寄存器工作频率高40倍。
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关键词
移位寄存器
ECL电路
硅双极工艺
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职称材料
GeSi材料及其在数据转换器中的应用
被引量:
1
4
作者
李开成
孙微风
+2 位作者
张静
文尧
黄燕
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期243-246,共4页
GeSi材料是继Si和GaAs之后出现的一种性能优良的半导体材料。文章综合评述了GeSi材料生长技术的发展、基本特性以及GeSi器件的研究状况,给出了GeSi材料在数据转换器方面的应用成果。
关键词
异质结
双极晶体管
数据转换器
硅化锗
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职称材料
题名
TiSi_2的形成及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用
被引量:
1
1
作者
孙微风
机构
电子工业部第
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1995年第5期4-7,共4页
文摘
采用蒸发淀积、快速热退火(RTA)等技术,通过Ti/Si、Ti/多晶硅固相反应,形成高电导均匀的TiSi_2薄膜,并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中,自对准形成钛硅化物薄膜(Ti-SALICIDE),以形成良好的欧姆接触和减小器件互连线电阻。本文介绍了钛与单晶硅、多晶硅形成的硅化物及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用研究。
关键词
难熔金属硅化物
多晶硅
发射极工艺
快速热退火
Keywords
Refractory metal silicide,Polysilicon emitter process,RTA
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种超高速触发器工艺技术的研究
2
作者
孙微风
俞慧强
熊杰
蒋宗树
机构
电子工业部第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期243-246,共4页
文摘
在等平面S工艺基础上,开发了一种ECL超高速D触发器的IC工艺制作技术,并优化其关键工艺,得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的晶体管截止频率fT最大值为5.4CHz(Vce=5V):制作的ECL超高速D触发器,在功耗电流只有30mA情况下,工作频率典型值为850MHz,最高可达900MHz以上,较好地解决了器件速度与功耗的矛盾。
关键词
集成电路
ECL
D触发器
双极工艺
Keywords
IC process, ECL . D-type flip-flop , Bipolar process EEACC 2550
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN783.05 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种超高速八位移位寄存器
3
作者
万天才
孙微风
机构
电子工业部第
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1993年第3期17-22,共6页
文摘
介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃~85℃,比常规的TTL或者COMS移位寄存器工作频率高40倍。
关键词
移位寄存器
ECL电路
硅双极工艺
Keywords
Shift register,ECL circuit,Si bipolar process,Micro-assembly
分类号
TP332.11 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
GeSi材料及其在数据转换器中的应用
被引量:
1
4
作者
李开成
孙微风
张静
文尧
黄燕
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期243-246,共4页
文摘
GeSi材料是继Si和GaAs之后出现的一种性能优良的半导体材料。文章综合评述了GeSi材料生长技术的发展、基本特性以及GeSi器件的研究状况,给出了GeSi材料在数据转换器方面的应用成果。
关键词
异质结
双极晶体管
数据转换器
硅化锗
Keywords
Semiconductor,GeSi,Heterojunction bipolar transistor,Data converter
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TP335 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TiSi_2的形成及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用
孙微风
《微电子学》
CAS
CSCD
1995
1
下载PDF
职称材料
2
一种超高速触发器工艺技术的研究
孙微风
俞慧强
熊杰
蒋宗树
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
下载PDF
职称材料
3
一种超高速八位移位寄存器
万天才
孙微风
《微电子学》
CAS
CSCD
1993
0
下载PDF
职称材料
4
GeSi材料及其在数据转换器中的应用
李开成
孙微风
张静
文尧
黄燕
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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职称材料
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