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TiSi_2的形成及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用 被引量:1
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作者 孙微风 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第5期4-7,共4页
采用蒸发淀积、快速热退火(RTA)等技术,通过Ti/Si、Ti/多晶硅固相反应,形成高电导均匀的TiSi_2薄膜,并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中,自对准形成钛硅化物薄膜(Ti-SALICIDE)... 采用蒸发淀积、快速热退火(RTA)等技术,通过Ti/Si、Ti/多晶硅固相反应,形成高电导均匀的TiSi_2薄膜,并将这种钛硅化物形成技术应用于浅结多晶硅发射极工艺中,自对准形成钛硅化物薄膜(Ti-SALICIDE),以形成良好的欧姆接触和减小器件互连线电阻。本文介绍了钛与单晶硅、多晶硅形成的硅化物及其在浅结多晶硅发射极工艺中的应用研究。 展开更多
关键词 难熔金属硅化物 多晶硅 发射极工艺 快速热退火
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一种超高速触发器工艺技术的研究
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作者 孙微风 俞慧强 +1 位作者 熊杰 蒋宗树 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期243-246,共4页
在等平面S工艺基础上,开发了一种ECL超高速D触发器的IC工艺制作技术,并优化其关键工艺,得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的晶体管截止频率fT最大值为5.4CHz(Vce=5V):制作的ECL超高速D... 在等平面S工艺基础上,开发了一种ECL超高速D触发器的IC工艺制作技术,并优化其关键工艺,得出一套新的工艺控制方案和参数。用该工艺技术制作的晶体管截止频率fT最大值为5.4CHz(Vce=5V):制作的ECL超高速D触发器,在功耗电流只有30mA情况下,工作频率典型值为850MHz,最高可达900MHz以上,较好地解决了器件速度与功耗的矛盾。 展开更多
关键词 集成电路 ECL D触发器 双极工艺
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一种超高速八位移位寄存器
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作者 万天才 孙微风 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第3期17-22,共6页
介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃~85℃,比... 介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃~85℃,比常规的TTL或者COMS移位寄存器工作频率高40倍。 展开更多
关键词 移位寄存器 ECL电路 硅双极工艺
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GeSi材料及其在数据转换器中的应用 被引量:1
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作者 李开成 孙微风 +2 位作者 张静 文尧 黄燕 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期243-246,共4页
GeSi材料是继Si和GaAs之后出现的一种性能优良的半导体材料。文章综合评述了GeSi材料生长技术的发展、基本特性以及GeSi器件的研究状况,给出了GeSi材料在数据转换器方面的应用成果。
关键词 异质结 双极晶体管 数据转换器 硅化锗
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