ONO反熔丝的研究

反熔丝器件广泛地应用在FPGA、DRAM、PROM、EPROM芯片中.介绍了多晶硅/ONO(氧化层-氮化物-氧化层)/多晶硅结构的反熔丝.描述了半导体技术制造反熔丝的工艺流程和工艺条件.未编程的反熔丝表现为电容特性,电阻即off-state电阻较大;经高电压编程的反熔丝即on-state电阻阻值较低.高压编程过的反熔丝的上下导电层短路(阻值在几十欧姆范围内),形成电流通路.研究中采用生长氧化层-氮化-生长氧化层的方法形成ONO结构.试验数据表明:ONO结构反熔丝介质漏电低于1×10-14A,稳定性高,在较大温度范围内on-state电阻变化小.反熔丝编程电压在15 V以下.

溅射条件对SiO_2膜力学特性的影响

介绍了在不锈钢衬底和Ｎｉ－Ｃｒ应变电阻间ＳｉＯ２薄膜的制做方法，在不宜用热氧化和ＣＶＤ法制做ＳｉＯ２膜的情况下，利用该法是行之有效的．探讨了溅射工艺条件对膜附着力和应力的影响，并指出了制备具有较好附着力和较低应力的方法．

溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In的氧化及热处理保护

介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时 ,如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明 ,只要控制好工艺条件 ,可以获得较好的效果。

热敏薄膜制备工艺研究

介绍在聚酰亚胺基底上由溅射方法制备热敏薄膜的工艺条件对膜热敏特性的影响。合理的选择薄膜的制备工艺条件和热处理条件可以得到良好特性的热敏薄膜，其温度系数大于４５００ｐｐｍ／℃。

基于DSP的星载光纤陀螺数据采集电路设计

陀螺及陀螺信息采集系统是航天器的重要部件,光纤陀螺是一种新型的陀螺.介绍了光纤陀螺的基本工作原理———Sagnac效应;设计了陀螺的信息采集系统硬件和软件,采用DSP芯片进行数据采集和处理,速度快、精度高,满足了实时性的要求;介绍了光纤陀螺组合的基于TI公司的DSP产品TMS320VC5402芯片数据采集和温度采集电路的实现技术;根据应用的环境不同,给出了电路的可靠性设计.本设计可灵活扩展应用于其它惯性产品的嵌入式系统的设计之中.

PROM器件中Ni-Cr熔丝的设计

介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体版图布局设计出可应用到PROM中的Ni-Cr熔丝.采用磁控溅射方法,通过控制工艺条件得到所需的薄膜厚度,经光刻形成所需图形.通过产品的读取测试实验,取得了良好的效果.

热式气体质量流量传感器研究与发展

本文详细地介绍了热式气体流量传感器的工作原理,同时概括了其发展和应用情况。最后对其目前发展过程中一些尚待解决的问题及其未来的发展趋势进行了讨论。

溅射条件对湿敏薄膜特性的影响

本文介绍了 RF溅射制备湿度敏感膜技术 ,讨论了衬底温度、工作气体及压力、放电电压及时间对湿敏膜感湿特性的影响。实验结果表明 。

ANSYS在梁-膜-岛结构设计中的应用

本文利用ANSYS 软件对扩散硅力敏器件进行了力学分析，给出了不同尺寸梁—膜—岛结构的应力分布曲线以及力敏电阻灵敏度分布曲线，为力敏电阻的合理布置提供了理论依据。

溅射SiO_2薄膜的电气性能

本文介绍了一种在金属弹性体和应变电阻之间制作SiO_2绝缘膜的方法,并对基底表面状况,溅射条件对SiO_2膜绝缘性能的影响做了实验研究 实验结果表明,在良好的基底表面,合适的基底温度和调谐偏压下可制备出性能良好的SiO_2膜.

超微粒子气敏膜的制备

文中介绍用高频溅射方法制备了超微粒子气体敏感膜,研究了工艺参数对气敏膜的质量、性能的影响,并对气敏膜进行了测试,给出了试验曲线。

制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术

本文介绍了制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术,这种探测器是为接受1.06μm波长的光而设计的,由于锂的特殊性质不能采取常规的扩散技术,而是在真空镀膜机中进行,漂移是在恒温箱中加一定电压来完成。经过漂移可使探测器的峰值响应波长移向1.06μm。本文也从理论上计算了漂移补偿区的厚度,与实验值基本符合。

塑封微电子器件失效机理研究进展

塑封器件在现在的封装产业中具有无可比拟的优势,相关研究引起了人们广泛关注。简要介绍了塑封微电子器件的发展史,以及国内外塑封器件可靠性的研究现状。对塑封器件的主要失效机理研究进展进行深入探讨,如腐蚀、分层、开裂等,提出了几种提高塑封器件可靠性的措施。论述了用于塑封器件质量评估的试验方法,并展望了塑封器件在军工领域的潜在应用前景。

溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In与Sb的原子比问题

介绍一种基于原子比为 1:1的InSb靶制备原子比为 1:1的InSb薄膜的方法 ,实验结果表明 。

基于SOI晶圆材料的硅微压传感器

为解决硅微压传感器制作过程中存在的问题,以SOI晶圆材料为基础,使用有限元方法优化设计岛-膜型1kPa压力敏感结构,采用MEMS工艺完成传感器芯片制作,并对封装后的传感器进行了测试。测试结果表明,传感器输出灵敏度大于60 mV/kPa,非线性小于0.1%FS,精度小于0.5%FS,器件具有较好的性能指标。

耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制

如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器，一直备受关注。在SIMOX技术SOI晶圆的基础上，设计了压力敏感芯片结构，并基于MEMS工艺制作了芯片。电桥采用1mA恒流源供电，在300℃下，满量程输出≥180mV，灵敏度为30-40mV/（mA.MPa），非线性≤1‰FS，重复性≤1‰FS。与常温测试结果相比，300℃高温下，敏感芯片的静态性能没有明显差异。

无阀微泵工作机理的研究

介绍了无阀微泵的发展状况,阐述了其工作机理,对扩散口和喷嘴的工作进行了分析.对无阀微泵在流体流动时的能量损失、输入输出流量、一个周期的净流量以及影响微泵工作效率的因素进行了讨论.提出了优化结构设计的思想方法.

社区矫正的二元价值思考

近年来,社区矫正成为理论界与司法实务部门关注的一个热点问题。对社区矫正制度的发展及其本质进行分析,有利于了解其惩罚性和恢复性二元性价值构建,为我国的刑罚体系的完善和刑罚执行制度的改革指明方向。

智能磁敏电阻转速仪研究

介绍一种智能化小型转速仪，分析了它的工作方式、电路结构和误差。转速传感器选用金属强磁体磁阻元件制成。

热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响

文中从理论和实验分析了热处理条件对溅射法制得的InSb薄膜特性的影响。热处理温度、时间和升降温速率都对薄膜特性有影响 ,通过实验得出了最佳的热处理温度、恒温时间和升降温速率。最后讨论了热处理过程中所采用的