MIS（Au－SiO_2－Si）隧道发光结

在研究一般ＭＩＭ（Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－Ａｕ）结的基础上，为了克服Ａｌ的不稳定性和改善结的性能，我们采用半导体材料Ｓｉ代替Ａｌ，研制成功ＭＩＳ（Ａｕ－ＳｉＯ２－Ｓｉ）隧道结，观察到了稳定的发光现象．介绍了ＭＩＳ结的基本结构和工艺流程，分析了结中ＳＰＰ的各个模式，讨论了结的发光光谱，阐明了ＭＩＳ结的发光机理．

MIM隧道发光结的光谱分析及负阻现象

在MIM隧道发光结的研究过程中,结的发光是SPP快模还是慢模起主要作用,一直是许多学者争论的主题。本文利用扫描电子显微镜估计MIM隧道结的表面粗糙度,然后根据对结的发光光谱的数据分析,得出快模在发光中占主要地位的结论,并以此解释MIM结I—V特性中的负阻现象。

正电子湮没技术(PAT)的开发与应用(五)——样品测试与正电子湮没寿命谱的解谱分析

一、正电子源和样品实验中所用正电子源为^(22)Na,^(22)Na的β^+衰变放出一个正电子,过3PS后放出1.28Me_v的γ射线,因为3PS相对于正电子寿命来说可以忽略,所以用1.28Mev的γ射线产生的时刻作为所研究事件的起始时间是合理的.正电子进入样品后的热化时间也只有几个PS,所以用1.28Mev和0.511Mev的两种γ射线间的时间间隔代表正电子湮没寿命也是合理的.由于^(22)Na有起始γ射线作为时间零点,加上^(22)Na的半衰期长,约为2.6年,使用方便,β^+衰变效率高,所以是理想的正电子源.本实验用的^(22)Na源,系用^(22)NaCl密封于几个μm厚的镍箔或密勒(Mylar)膜内,再将源夹于两个相同的样品之间,形成所谓的“夹层”排到.这样会有一部分正电子在镍箔或密勒膜中湮没,精确测量时,可在计算机程序中扣除^(22)Na源的载体效应.本实验源强为8μci.

正电子湮没技术(PAT)的开发与应用(二)——进口正电子湮没寿命谱仪的改造与特性指标测定

扼要介绍了进口正电子湮没寿命谱仪的改造,以及谱仪的时间刻度、时间分辨率、计数率等指标的测定.

表面等离子体激元和极化激元在MIM隧道结发光中的地位及负阻现象讨论

本文研究了一种掺有稀土元素D_y的Al-Al_2O_3-D_y-Au发光隧道结新结构。并认为表面等离子体极化激元中的快模还是慢模在发光中占有优势、取决于制作工艺和结的物理结构所决定的结的粗糙度,快模和慢模在发光中具有同等的地位;D_y元素的掺入增加了结的发光强度;对伏安特性曲线中的负阻现象用离子晶体中电子自陷态理论进行了解释。

MIM隧道结发光现象的研究

本文介绍MIM隧道结结构的发光现象的机理,说明SPP(表面等离电磁激元)和表面粗糙度在发光过程中的意义和作用,简单地介绍我们的工作.

声表面波(ASW)在MIM结发光中的作用

本文介绍了一种制作在声表面波器件上的新型MIM发光结器件,和这种器件的结构设计以及制作工艺,讨论了这种器件的电流电压特性曲线、发射光谱曲线并与以玻璃为基片的发光结进行了对比,对声波在发光机理中的作用进行了控讨.

设置在声表面波场中的MIM隧道发光结

我们将MIM（金属膜—绝缘层—金属膜）隧道发光结设置在以LiNbO_3为基底的声表面波场中,发现发光过程中有明显的负阻现象,以及在可见光波段处发射光谱峰增多.