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功能化氮化硼纳米管磁性的理论研究
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作者 孙明爱 李峰 康英杰 《泰山学院学报》 2010年第6期64-71,共8页
本文采用密度泛函理论计算研究了氢化/氟化BN纳米管的自发磁化现象.研究结果表明:单个H原子/F原子倾向于吸附在B位,且均能够诱导自发磁化.两个H原子/F原子吸附在B位上时也可以使体系发生自发磁化,而具有磁性的氢化BN纳米管是一种亚稳结... 本文采用密度泛函理论计算研究了氢化/氟化BN纳米管的自发磁化现象.研究结果表明:单个H原子/F原子倾向于吸附在B位,且均能够诱导自发磁化.两个H原子/F原子吸附在B位上时也可以使体系发生自发磁化,而具有磁性的氢化BN纳米管是一种亚稳结构.与此相反,具有磁性的氟化BN纳米管是稳定结构,其磁矩随着覆盖率的增加而增大,其电子学性质与氟原子在BN纳米管表面的覆盖结构有关.因此,具有磁性的氟化BN纳米管比氢化BN纳米管在实验上更容易实现.可以预见,磁性氟化BN纳米管将在自旋电子器件的制作中发挥巨大的应用价值. 展开更多
关键词 氮化硼纳米管 氢化 氟化 自发磁化
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