煤自燃过程中煤体表面微观孔洞变化特征研究

从煤的微观结构入手,通过绝热氧化实验来模拟煤自燃过程中煤体自身氧化产热累积升温的阶段,并运用扫描电镜观察特征温度下煤样表面孔洞的变化。最后用有限元分析软件ANSYS数值模拟分析了煤孔洞周边温度场的分布规律,初步验证了煤质表面孔洞的产生可以用来表征煤自燃反应的可行性。

采场覆岩失稳破坏的数值模拟研究

以某煤矿为例,通过数值模拟分析采场稳定性与采矿步距的关系。分析结果表明：煤层的开采破坏了岩层原始平衡状态,并使应力重新分布,随着采矿步距的增大,靠近边界的岩体最先发生破坏。当采矿步距推进至40 m时岩体边界出现破坏单元,当超过50 m时发生岩体的宏观破坏,之后便出现顶板冒落甚至坍塌现象。表明采空区跨度在40-50 m时,岩层还能靠自身的强度保持采场的稳定状态,随着采场的扩大便出现顶板坍塌现象,继而表现出地表沉陷。该模拟为后期煤层的开采提供了有利的技术支持。

煤层自燃危险性的模糊——可拓理论判别模型

首先确定了影响煤层自燃的因素指标,并对它隶属于不同自燃等级的取值进行了无量纲化处理,采用模糊层次分析法确定了各个因素权重,利用可拓学理论建立了煤层自燃危险性判别模型。其次,以山东新汶矿业孙村煤矿十三层煤为例,采用模型方法对其自燃危险性进行了评价,所得结果与煤科院的自燃鉴定结论一致。上述研究不仅丰富了煤层自燃危险性评价方法,而且也为预防此类灾害起到了一定的参考和借鉴作用。

基于模糊综合评价的煤自燃等级分类研究

为解决煤层自燃等级的合理评价问题,建立了基于模糊理论的二级评价模型,因素权重采用模糊层次分析法确定。利用该模型对鸡西某煤矿2426工作面煤层自燃危险性进行了评价,得到的结果为自燃,需要提前采取一定的预防措施。上述研究进一步丰富了煤层自燃等级评价方法,同时也为煤矿企业的相关决策提供了必要的参考。

电子科学与技术专业实验、实践教学改革研究

在新冠肺炎疫情和核心技术遭到封锁的双重困局下,我国集成电路产业正加速进入重大调整变革期。近年来国内大学已把培养集成电路行业相关人才列为重要发展目标。因此,探讨如何借新工科建设的东风,围绕电子科学与技术专业特色,在现有学科实验教学平台的基础上,引入虚拟现实技术等新技术,以及分级、分层次的实践教学新体系,对传统实验、实践教学体系进行改革,以实现提升学生动手能力、培养学生创新精神的目的,进而满足集成电路行业对各类层次人才的需求。

衬底泵的基础设计

在设计CMOS电路时,有时需要的直流电压不一定都在VSS～VDD之间,这时通常会用到电荷泵(charge pump),用以产生电路需要的工作电压。在数字电路中,电压产生电路的最常见应用是产生一个负的衬底偏压,提高器件性能减小寄生效应。这里介绍一种用于产生负衬底偏压的基本电路即衬底泵,它由振荡器、负电荷泵和调节器组成。通过仿真图像可以清楚的看到衬底泵的工作情况:把衬底电压维持在一定的负压范围内。

复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析

多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性,为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性,对这种薄膜的钝化层结构进行了研究。基于压力传感芯片的结构特点,建立了钝化层结构的有限元分析分析模型,给出了应力分布与SiO_2和Si_3N_4钝化层结构之间关系。结果表明:采用Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4复合钝化结构,适当控制各结构层厚度可有效降低热失配引起的内应力。从而给出了降低薄膜内应力的钝化方法,为多晶硅纳米薄膜在压阻式传感器上的应用提供了必要的技术支持。

结实期不同时段低温对寒地粳稻品质的影响

为明确结实期不同时段低温对寒地粳稻品质的影响,于2019年以黑龙江省第一和第二积温带主栽的8份粳稻品种为试材,在水稻结实期分段(花后1~7 d、8~14 d、15~21 d)进行低温处理(昼/夜:17℃/13℃),测定稻米的外观、营养、蒸煮食味品质以及RVA谱特征值。结果表明:不同粳稻品种品质存在极显著差异,‘垦粳8’外观品质最优,‘龙稻18’蛋白质含量最低、食味品质最佳;不同品种对低温的响应存在差异;品种和低温互作对稻米品质存在极显著影响。花后1~7 d低温处理对外观品质影响较小;花后8~14 d和15~21 d低温后,垩白粒率和垩白度较对照分别显著提高73.22%、81.71%和105.57%、115.85%;籽粒长宽比受低温影响较小。低温处理显著提高了稻米的总蛋白含量(1.46%~2.76%)和醇溶蛋白含量(6.33%~17.47%),显著降低了球蛋白含量(4.55%~5.69%),花后1~7 d低温显著降低了清蛋白含量(2.84%),花后8~21 d低温显著提高了清蛋白含量(3.58%~3.88%)。稻米的最高黏度、热浆黏度、崩解值、冷胶黏度以及起始糊化温度在花后1~14 d受低温处理后显著降低;消减值、回复值以及峰值时间在花后1~7 d受低温处理后显著提高;花后15~21 d低温处理对淀粉RVA谱特征值的影响较小。稻米的光泽、味道、口感以及综合评分受低温处理后呈现显著降低趋势。综合分析表明,结实期低温通过提高蛋白质含量以及改变RVA谱特征值进而降低了稻米的蒸煮食味品质。

基于FPGA和VHDL的序列检测器设计

介绍了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的序列检测器设计方法。给出了XilinxISE集成开发软件的设计流程,应用VHDL硬件描述语言进行编程,能够较好地实现序列检测功能。

一种比较启动Brokaw带隙基准电压设计

在分析比较启动结构工作原理的基础上,设计了一种比较启动Brokaw带隙基准电压电路。该电路结构简单,性能优异,可以实现启动带隙基准电压电路和低压关断功能。Specture仿真结果表明,其启动结构可以实现低于0.83V自关断。在-40℃～85℃温度范围内,得到1.204V带隙基准电压,102dB电源抑制比,2.088ppm/℃温度系数。

基于逻辑功效模型的数字电路延迟估算与优化

CMOS数字集成电路中,延迟是影响电路速度的重要参数。介绍了如何建立CMOS数字集成电路的逻辑功效模型,快速估算出延迟的时间,并且发现来源,找出缩短延迟方法,以及如何选择逻辑的级数、逻辑门类型和MOS管尺寸来对逻辑和电路优化。

集成电路产教研融合助力辽宁产业结构转型

人才培养是集成电路产业发展的核心要素,为培养基础理论扎实、实践动手能力突出、胸怀壮志兼具时代担当的集成电路专业人才,提出了以“产教研融合”理念为核心、以“共生、共赢”理论为指导、以面向企业实际需求的实践教学方式及校企联合“双师型”教学团队为抓手、以课程思政与企业文化融合共建为着力点的多元化教学新途径,以期充分发挥辽宁作为东北老工业基地龙头、高等教育资源丰富的优势,推动传统产业的升级转型,助力新兴产业的布局发展。

Tunnelling piezoresistive effect of grain boundary in polysilicon nano-films

The experiment results indicate that the gauge factor of highly boron doped polysilicon nanofilm is bigger than that of monocrystalline silicon with the same doping concentration, and increases with the grain size decreasing. To apply the unique properties reasonably in the fabrication of piezoresistive devices, it was expounded based on the analysis of energy band structure that the properties were caused by the tunnel current which varies with the strain change forming a tunnelling piezoresistive effect. Finally, a calculation method ofpiezoresistance coefficients around grain boundaries was presented, and then the experiment results ofpolysilicon nanofilms were explained theoretically.