无铅装配制程中耐高温OSP膜的性能及厚度评估

为了满足电子工业对于无铅化的迫切要求，印制线路板（PWB）的最后表面处理工艺正逐渐由热风整平（SnPb）转移到其他适合无铅焊接的表面处理工艺，这类工艺包括有机保护膜（OSP）、沉银、沉锡以及化学沉镍金。其中因为OSP膜的可焊性优异、工艺简单且操作成本低而成为无铅化表面处理工艺的最佳选择之一。最新研发的耐高温有机保护膜（HTOSP）是符合工业标准的新一代OSPI艺，它能够满足无铅化对可焊性更严格的要求。 本文将介绍HTOSP的化学特性，包括膜层成分分析，主要唑类衍生物和OSP膜的热分析，以及OSP膜的表面分析。气相色谱一质谱分析法（GC／MS）可以测定交链反应中夹带在OSP膜中的小分子有机化合物。热重量分析法／差动扫描测热法（TGA／DSC）用于测试唑类衍生物和OSP膜的热稳定性。光电子能谱分析法（XPS）用于分析HTOSP膜经过多次无铅回流后的表面的氧化情况。 本文也将从实际的生产经验出发，介绍OSP膜厚控制的稳定性。HTOSPI艺提供了稳定而灵活的膜厚控制方法。厚度分析显示OSP膜在膜形成的过程中具有微整平效果，而且所形成的膜厚度能够完全保护在工业生产中经过不同微蚀处理的各种板材的铜面不被氧化。HTOSP膜的耐高温性及稳定的膜厚控制确保TPWB在无铅焊接时具有优异的可靠性。

两种家兔乳酸脱氢酶的电泳变种和组织特异性的研究

本文对两个品系家免的心肌、骨骼肌、肝、肺、脑、肾、胃以及睾丸等8种组织的乳酸脱氢酶(LDH)同工酶进行了电泳比较.发现两者的 LDH 同工酶中组织分布,除骨骼肌和肝组织有较明显区别外,其余组织无显著差异.从其电泳图谱发现 LDH 同工酶的变异体.根据 LDH—1(H 或称 B 亚基纯合体)出现亚成分,而 LDH—5(M 或称 A 亚基纯合体)未发现亚成分,确定变异体的出现是由于 H 亚基位点发生突变,出现等位基因所致.由于电泳图谱上变异体亚带数普遍少于按自由聚合规律所得的理论值,为此,对正常的 H 亚基、变异的 H~*亚基以及 M 亚基相互间亲和力的差异进行了分析和讨论.

胺催化硅烷偶联剂反应机制的FTIR原位测定研究

本文采用FTIR原位测定,研究碱性硅烷偶联剂的自缩合反应.硅烷上的碱性基因对自缩合反应有催化作用,使之自缩合成交联产物.对于中性硅烷偶联剂,外加胺基或含胺基的有机化合物,也可加速反应进程.自缩合反应形成有柔韧性的物质,从而提高了界面的粘接力.