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一种实用的PECVD腔体检漏工具设计方法 被引量:1
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作者 周梁 韩大伟 +3 位作者 孙泉钦 王丹名 李华 陈垚 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期813-818,共6页
在TFT-LCD行业,PECVD设备主要用于Array TFT基板工艺中的气相沉积;产生的非金属膜层,为金属电路提供保护、开关作用;在PECVD工艺制程中,腔体设计复杂,反应条件苛刻,产生的制程物会造成产品不良,故需要定期进行PM(pre maintenance预防性... 在TFT-LCD行业,PECVD设备主要用于Array TFT基板工艺中的气相沉积;产生的非金属膜层,为金属电路提供保护、开关作用;在PECVD工艺制程中,腔体设计复杂,反应条件苛刻,产生的制程物会造成产品不良,故需要定期进行PM(pre maintenance预防性维护)。本文以PECVD PM作业为背景,针对设备PM耗时长的问题,制定了改善方法,并着重介绍了腔体检漏工具的设计过程。设计制作了一台国产化检漏工具,成功运用于量产。通过测试,检漏工具3min内达到10mT(1mT=0.133Pa),漏率为0.45mT/min,基本符合设备Spec.(标准)要求。 展开更多
关键词 TFT-LCD PECVD 腔体检漏工具 自主设计
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应用于AMOLED薄膜封装的高应力氮化硅工艺探讨
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作者 杨国波 赵文星 +2 位作者 孙泉钦 李端明 郜明浩 《电子世界》 2020年第9期42-43,46,共3页
研究了AMOLED柔性薄膜封装PECVD系统中射频功率和反应压力对氮化硅薄膜应力的影响,结果表明,射频功率的改变影响离子对衬底的轰击效应,反应压力的改变影响气体分子的平均自由程。增大射频功率和降低反应压力,膜层压应力均相应变大。此外... 研究了AMOLED柔性薄膜封装PECVD系统中射频功率和反应压力对氮化硅薄膜应力的影响,结果表明,射频功率的改变影响离子对衬底的轰击效应,反应压力的改变影响气体分子的平均自由程。增大射频功率和降低反应压力,膜层压应力均相应变大。此外,通过调节反应气体中的氮气流量,可以使反应气体分解的更完全、促使反应前驱物迁移到基板合理位置,改善膜层结构从而提高膜层均匀性及光学特性。 展开更多
关键词 射频功率 AMOLED 薄膜封装 反应气体 平均自由程 氮化硅薄膜 柔性薄膜 氮气流量
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提高OLED蒸镀稳定性的滤波参数及其优化设计
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作者 杨国波 赵希瑾 +2 位作者 肖昂 刘洋 孙泉钦 《电子世界》 2020年第10期125-126,129,共3页
为了提高OLED有机蒸镀过程的稳定性,设计引入4种滤波参数对设备及环境噪音形成的信号干扰进行消除或降低,并通过DOE实验,分析引入的4种滤波参数对蒸镀稳定性的影响并找到滤波参数的最佳组合,将结果应用到实际生产后稳定性及良率得到显... 为了提高OLED有机蒸镀过程的稳定性,设计引入4种滤波参数对设备及环境噪音形成的信号干扰进行消除或降低,并通过DOE实验,分析引入的4种滤波参数对蒸镀稳定性的影响并找到滤波参数的最佳组合,将结果应用到实际生产后稳定性及良率得到显著提升. 展开更多
关键词 滤波参数 环境噪音 信号干扰 蒸镀 OLED 最佳组合 优化设计 稳定性
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