2～4 GHz宽带高效率功放的设计

针对宽带高效率功放的设计要求,基于宽带匹配网络设计了一款GaN宽带高效率功率放大器,其工作频率覆盖整个S波段。仿真结果显示,该功放在整个S频段内漏极效率(DE)大于62%,功率附加效率(PAE)大于57%,增益大于10.6dB。实测结果表明,该功放在整个频段内DE大于54%,PAE大于48%,增益大于9 dB,增益平坦度在1 dB以内,实现了S波段高效率宽带功率放大器的设计。

基于硅MEMS工艺的窄带带通滤波器的设计

微波带通滤波器是微波通信系统中的关键器件。本文设计了一种利用硅MEMS腔体技术制作的微波窄带带通滤波器。采用交指结构四分之一波长短路谐振器级联结构,利用电磁场仿真设计软件HFSS进行了设计、建模、仿真和优化,得到了一款具有小型化、高抑制度、低插损、好的电磁屏蔽且易于集成等优点的硅MEMS腔体带通滤波器。

太赫兹固态放大器研究进展

随着半导体技术的发展,晶体管特征频率不断提高,已经进入到太赫兹(THz)频段,使得固态器件可以在THz频段工作。THz放大器可以将微弱的信号进行放大,在THz系统中起着关键作用。介绍了基于氮化镓(Gallium Nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件、磷化铟(Indium Phosphide,InP)HEMT器件和InP异质结双极晶体管/双异质结双极晶体管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor,HBT/DHBT)器件的THz单片放大器研究进展。