烧结温度对Ti_(3)SiC_(2)/SiC陶瓷材料性能的影响

以微米级TiC粉和Si粉为主要原料,Al粉为烧结助剂,采用无压烧结工艺制备Ti_(3)SiC_(2)/SiC陶瓷材料,研究了烧结温度对陶瓷材料显微结构及力学性能的影响。结果表明,随着烧结温度的升高,Ti_(3)SiC_(2)/SiC陶瓷材料的弯曲强度先提高后降低。烧结温度为1500℃的陶瓷材料力学性能最佳,其密度为4.88 g/cm^(-3)。