基于GaAs pHEMT工艺的C波段低噪声放大器设计

本文提出一款两级C波段(4-8 GHz)低噪声放大器(LNA)。电路中采用了电感退化拓扑与并联RLC负反馈结构,对电路的输入阻抗进行补偿,从而降低输入匹配的难度,提高了功率转换效率;并通过设计最佳噪声源阻抗点,在实现最佳噪声匹配同时,实现了较好的输入输出回波性能与增益平坦度。文中提出的LNA采用基于GaAs pHEMT工艺研制,测试结果表明,在工作频段内,电路的小信号增益为14.7±0.5 dB,最大噪声系数1.9 dB。