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MOS硅外延技术
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作者 孙膺九 《稀有金属》 EI CAS 1986年第1期50-53,共4页
本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。
关键词 MOS 外延工艺 外延技术 电阻率 电阻系数 外延层 硅外延 吸除工艺 内吸除 器件工艺
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