期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
MOS硅外延技术
1
作者
孙膺九
《稀有金属》
EI
CAS
1986年第1期50-53,共4页
本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。
关键词
MOS
外延工艺
外延技术
电阻率
电阻系数
外延层
硅外延
吸除工艺
内吸除
器件工艺
下载PDF
职称材料
题名
MOS硅外延技术
1
作者
孙膺九
机构
电子工业部第
出处
《稀有金属》
EI
CAS
1986年第1期50-53,共4页
文摘
本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。
关键词
MOS
外延工艺
外延技术
电阻率
电阻系数
外延层
硅外延
吸除工艺
内吸除
器件工艺
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOS硅外延技术
孙膺九
《稀有金属》
EI
CAS
1986
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部