有源矩阵显示现状

从80年代初到80年代末AM—LCD发展最快的十年(1)(2)，开始从2″的小尺寸摄象显示器，到6″彩色电视，到了90年代初不仅尺寸扩大到14″而且已形成了商品和市场。AM—LCD之所以发展的如此之快是由它在性能方面的优越性决定的，早期的单一多路传输显示的性能是无法与AM—LCD相比的。

LCoS场序彩色显示控制器的设计

介绍了一种采用LCoS显示芯片的场序彩色显示控制器的设计方案,该方案采用VHDL语言进行设计,在Xilinx公司的Fundation2.1i环境中,进行了编译、综合和仿真。并通过XCS系列FPGA进行了功能验证。对显示控制器的各部分电路功能进行了讨论,给出了具体的设计方案和实现方法。

时序彩色LCoS数据接口的优化设计

介绍一种在时序彩色LCoS微显示集成电路芯片内部运用的串入并出数据变换方法,即将外部串行输入的数据作并行输出处理,使得在同一时钟周期内可写入更多的像素数据,减少像素数据的写入时间,为液晶响应和光照留下更多的时间,保证图像亮度,提高图像显示质量。使用该方法可以节省芯片外部管脚数目,降低产品成本。该方法在单片和三片式LCoS中都可运用。采用Verilog HDL对该数据变换模块进行设计,并进行了逻辑功能仿真,仿真结果表明该方法能将像素数据写入时间缩短约一半,能完成预期功能。

EL-5825及其在微型显示系统中的应用

介绍了可编程多通道TFT-LCD参考电压发生器专用电路EL-5825的工作原理、特点及应用。利用C8051F330单片机控制EL-5825设计了一种基于LCoS芯片的头盔显示系统电路,该设计方案具有电路结构简单、外围器件少、系统结构微型化等特点,有利于实现系统的轻便灵活,提高整机性能。介绍了硬件接口电路的设计方法,给出了单片机软件流程图。

彩色硅基液晶显示芯片的研制

设计了一种适合 ＬＣｏＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）显示技术彩色化的时序彩色方式及其相应的电路结构，叙述了运用“自顶向下”的现代ＥＤＡ设计方法，在Ｃａｄｅｎｃｅ平台上按照常规０．６μｍ的 ｎ－阱双层金属 ＣＭＯＳ艺研制彩色 ＬＣｏＳ显示芯片的全过程，并给出部分电路版图。

基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现

介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用,重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式,可以简化系统电路设计,降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点,并给出了相关电路的设计方案。

彩色LCoS微型显示器设计

介绍一种用常规０．８μｍ的ｐ阱双层金属 ＣＭＯＳ工艺设计彩色ＬＣｏＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）微型显示器（ＶＧＡ）的方法，并且设计了一种适合ＬＣｏＳ彩色ＶＧＡ模式显示的时序彩色方式。设计在硅基衬底上的数模混合电路不仅使每个基色具有１６级灰度，而且能与 ＶＬＳＩ工艺兼容。另外概述了用先进 ＣＡＤＥＮＣＥ软件设计ＬＣｏＳ芯片的一种方法，井给出部分电路版图。

金属预置层后硒化法制备的CuInSe_2薄膜结构特性研究

CuInSe2 (简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料。利用连续溅射金属层后硒化法制备CuInSe2 薄膜。薄膜的XRD图样显示 :CuInSe2 薄膜的形成与制备条件密切相关 ;在较大Cu、In原子比的范围内 ,在一定的硒化条件下 ,都可以形成以CuInSe2 为基体的薄膜。SEM图样显示 ,不同Cu/In比值的表面形貌有较大的不同。Cu/In接近 1时 ,薄膜的表面形貌均质且颗粒致密。Raman谱图显示 ,Cu、In配比不当会使薄膜中出现少量的杂相组织 ,在 6 32 .8nm激发波波长下 ,还有 2 10cm-1和 2 2 9cm-1两处的特征峰。通过光吸收测量得到CuInSe2 的带隙是 1.0 5eV ,通过电导率测量得到其激活能为 0 .4 86eV。

掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究

对掺硼（Ｂ）材料的固相晶化进行了研究。通过对不同掺Ｂ浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ样品退火前后的Ｘ射线衍射、光吸收系数、电导率、激活能及Ｈａｌｌ迁移率的测量发现，Ｂ原子在固相晶化过程中起晶核作用，晶化后的样品具有较高的迁移率及电导率，同时具有较大的禁带宽度。当接Ｂ浓度仅为０．１７％时，晶化后样品的电导率为４．３５ｓｃｍ－１，迁移率为１４０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，禁带宽度Ｅ０４＝２．１６ｅＶ。该材料是一种较好的太阳电池窗口材料。

用于非晶硅太阳电池的p型a-SiC:H:B窗口材料及其前后界面的研究

本文报道了非晶硅p-i-n结构太阳电池窗口材料a-Si C∶H∶B及其前后界面SnO_2膜和本征a-Si∶H膜的研究结果。太阳电池的这三部分与性能参数V_(oc)、I_(sc)和FF直接有关,界面性质在一定程度上也影响太阳电池的稳定性。

SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。

H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用

在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出的a-SiTFT矩阵，其性能得到明显改善．

CMOS数字集成电路I/O单元设计分析

按使用时焊点(PAD)排列方式的不同,CMOS I/O 库可分为两大类:直排式(inline)和交错式(stag-gered).以双向输入/输出单元为例详细介绍了一般 CMOS I/O 单元的主要组成部分及设计分析.其主要电路组成部分包括输出电平转换,输入/输出驱动以及静电保护,在工作频率要求较高时还应设计电源噪声抑制模块.电路设计配合一定工艺的 spice 模型进行仿真,根据仿真结果判断设计正确与否并进行优化.

EDA在新型硅基平板显示设计中的应用

介绍了一种具有复杂数模混合电路结构的高集成度 LCo S显示芯片的设计 ,详细阐述了采用电子设计自动化 ( EDA)技术设计全定制 IC芯片的流程。文章运用了“自上而下”的现代 EDA设计思想。

硅基液晶显示器(LCoS)核心——显示系统芯片的设计分析

LCo S的核心——显示芯片既不同于普遍的 IC芯片 ,又非传统的TFT-LCD驱动电路与显示矩阵简单组合的芯片 ,而是一块多功能、多结构、与现代 CMOS制造工艺息息相关的片上系统 ( SOC:system on chip) ,即整个显示系统集成到一个芯片上 ,因此 SOC类芯片的设计必须全盘考虑整个系统的各种情况 ,也正是因为如此综合周全 ,与普通 IC组成的系统相比 ,SOC可以在同样的工艺技术条件下 ,实现更高性能的系统指标。以新型的系统芯片方式设计生产的新一代微型显示器—— LCo S应用前景预计将非常广阔。

采用LCoS芯片的头盔显示系统视频接口电路的方案设计

LCo S技术的发展使头盔显示器成为个人显示器 (personal display)的主流 ,在不远的将来 ,HMD或 NTE会象手机一样跟随着人们。为了实现高显示容量和轻巧的体积 ,其显示方式不能再采用传统 TFT-LCD的彩色滤光膜空间混色法 ,而采用彩色时序方式实现全彩色显示。根据 LCo S芯片的特点设计头盔显示器的视频接口电路 ,是实现头盔显示的关键技术。

双拍双存储伪并行LCoS微显示器交流驱动的研究

双拍双存储式驱动的LCoS微显示器引入了一些新的问题,对此提出了应用于双拍双存储式驱动的LCoS微显示器的新的交流驱动方式,通过互补驱动信号电压和浮动公共电极电压相结合的方法,不但满足了LCoS的要求,而且降低了工作电压。

CMP平坦化技术在LCoS显示器中的应用

作为一类新型 L CD技术的 LCo S显示屏是一种反射式液晶显示器 ,其镜面反射电极的平整性决定了整个显示器的亮度和对比度等主要显示参数。本文详细讨论了 CMP技术在LCo

新型近眼显示系统的分析与设计

显示技术是信息技术中的一个重要领域 ,在百舸争流的现代显示技术中 ,以多晶硅薄膜晶体管、硅基液晶和有机发光二极管等为代表的微显示技术近年来发展迅速 ,成了众多研究人员和投资者所注目的热点。本文对基于 L Co S微显示器的近眼显示系统进行了较为详细的分析 。

硅基液晶显示器研究进展

硅基液晶 (LiquidCrystalonSilicon)显示器是一种反射式液晶显示器 ,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上 ,并以该晶片为基底封装液晶盒 ,因而拥有小尺寸和高显示分辨率的双重特性。详细讨论了LCoS显示器的结构和用途 ,展示了LCoS显示芯片的实际设计结果及其设计方法。