用于锂离子电池负极的多孔硅材料制备

多孔硅具有大量孔洞,能有效缓解体积膨胀带来的压力,有望成为锂离子硅基负极材料的一个研究方向.采用光助电化学腐蚀、二次化学腐蚀制备高孔隙率n型多孔硅材料,通过优化后的光助电化学腐蚀,样品的孔径约为800～1 000nm,多孔层厚度(平均孔深)约为155μm,孔隙率约74%.二次腐蚀后,样品孔径增加到1.1μm,多孔层厚度减小到110μm,孔隙率增加到84%,表明二次腐蚀增加了样品的孔径和孔隙率.以二次腐蚀的多孔硅材料为负极的锂离子半电池在0.05C的恒流充放电循环测试下,循环20次后充放电比容量保持在188和198mAh/g,效率保持90%以上.实验结果表明,多孔硅锂电极比单晶硅锂电极具有更长的循环寿命,可有效提高锂电池的性能.

非营利组织的商业化探讨

受外在环境变迁的影响,非营利组织面临着成本增加、捐赠和资助减少,营利性公司成为竞争对手等威胁,越来越多的开始向商业领域拓展。通过对非营利组织商业化产生的原因、商业化的途径,以及商业化过程中存在的风险与防范等问题的初步探讨,初步回答了非营利组织如何使得利润产生行为与组织的使命相结合,更好地服务于社会等问题。

铝分层诱导晶化非晶硅的研究

铝诱导晶化(AIC)法是一种低成本、低温制备高质量多晶硅薄膜的方法.采用磁控溅射和自然氧化法在石英衬底上生长铝/三氧化二铝/非晶硅结构的材料,然后进行低温(低于硅铝共熔温度577℃)退火处理.通过共焦显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)和X射线衍射(XRD)手段进行表征.结果表明,退火后薄膜分为两层,上层是铝、非晶硅和多晶硅的连续混合膜,随退火时间增加,上层晶化率快速增加;下层形成了完全晶化的大尺寸多晶硅晶粒,晶粒结晶质量接近单晶硅;增加退火时间,下层晶粒增长很缓慢;降低退火温度,下层晶粒尺寸明显增大;形成的多晶硅薄膜均具有高度(111)择优取向.并且,进一步地对上述退火过程中样品的变化行为作出分析.

不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响

绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料。喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%。对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移。同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差。该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件。

(001)面双轴应变锗材料的能带调控

本文基于形变势理论构建(001)面双轴应变Ge材料的能带结构模型。计算结果表明(001)面双轴应变可以将Ge的能带从以L能谷为导带底的间接带半导体调控到以Δ4能谷为导带底的间接带半导体或者以Г能谷为导带底的直接带半导体。同时室温下Ge的带隙与应变的关系可用四段函数来表示:当压应变将Ge材料调控为以Г能谷为导带底的间接带半导体后,每增加1%的压应变,禁带宽度将线性减小约78.63meV;当张应变将Ge材料调控为直接带半导体后,张应变每增加1%,禁带宽度将线性减小约177.98meV;应变介于-2.06%和1.77%时,Ge将被调控为以L能谷为导带底的间接带半导体,禁带宽度随着压应变每增加1%而增加11.66meV,随着张应变每增加1%而线性减小约88.29meV。该量化结果可为研究和设计双轴应变Ge材料及其器件提供理论指导和实验依据。

链式管理体系下中医护理技术结合原位再生治疗对院外压疮入院患者的应用观察

目的:观察链式管理体系下中医护理技术结合原位再生治疗对院外压疮入院患者的应用效果。方法:选取2019年1月至2022年8月收入的60例院外压疮入院患者,依据采用的护理方案差异分为了两组,各30例。对照组实施传统护理,观察组在传统护理基础上实施链式管理体系下中医护理技术结合原位再生治疗。分别在护理前、护理后(出院时)利用压疮愈合计分量表(PUSH)测定PUSH总评分,于出院时统计创面愈合时间、住院时间、护理服务总满意率,并比较以上观察指标差异。结果:观察组的创面愈合时间、住院时间均短于对照组(P<0.05),护理服务总满意率高于对照组(P<0.05),护理后的PUSH总评分低于对照组(P<0.05)。结论:在院外压疮入院患者的护理中链式管理体系下中医护理技术结合原位再生治疗可促进创面愈合,缩短其住院时间,融洽护患关系,值得临床使用。

工程教育专业认证理念下的《电工与电子技术》课程教学改革

福建工程学院电子信息与电气技术国家级实验教学示范中心以培养"基础扎实、工程实践能力强、适应面广"的应用型人才为出发点,在工程教育专业认证理念的指导下,《电工与电子技术》课程通过优化整合教学内容,改进教学方法等方面的教学改革,进一步提高教学质量,满足学校各相关专业的工程教育认证要求。

基于谷间光学声子驱动的锗锡谷间电子转移效应

谷间电子散射机制对锗锡材料的电子输运及光电性能的影响至关重要.本文构建了锗锡材料Γ和L能谷之间的谷间光学声子散射模型,研究其谷间电子转移效应.结果表明:散射率R_(ΓL)高于R_(LΓ)约一个数量级,同时RΓL随Sn组分的增加而减小,并在Sn组分大于0.1时趋于饱和;而R_(LΓ)几乎与Sn组分无关.谷间电子转移模型表明,Γ能谷电子填充率随Sn组分的增大呈现先增大后趋于饱和的规律,且与注入电子浓度关系不大.不考虑散射模型时,间接带Ge_(1–x)Sn_(x)材料Γ能谷电子填充率与注入电子浓度关系不大;直接带Ge_(1–x)Sn_(x)材料Γ能谷电子填充率与注入电子浓度相关,且电子浓度越低,Γ能谷电子填充率越大.研究成果有助于理解锗锡材料的电子迁移率、电输运和光电转换等微观机制,可为锗锡材料在微电子和光电子等领域提供理论参考价值.

张应变Ge(1-x)Snx合金导带结构调控

采用形变势理论系统地研究了(001)、(110)、(111)晶面双轴张应变以及[001]、[110]、[111]晶向单轴张应变Ge(1-x)Snx导带结构。结果表明:在(001)、(110)晶面施加双轴张应变以及[001]晶向施加单轴张应变时,直接带隙Γ能谷的下降速度快于间接带隙L能谷;在(111)晶面施加双轴张应变以及[110]、[111]晶向施加单轴张应变时,间接带隙L能谷的下降速度快于直接带隙Γ能谷。因此,可利用(001)、(110)晶面双轴张应变以及[001]晶向单轴张应变实现通过减小Sn的组分将Ge(1-x)Snx合金调控为直接带隙材料的目的。相关结论可为Ge(1-x)Snx合金的实验制备及器件仿真等提供关键参数和理论指导。