期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
单晶硅衬底上Ge填埋层低温应力诱导重结晶制备多晶硅薄膜
被引量:
2
1
作者
孙启利
邓书康
+4 位作者
申兰先
胡志华
李德聪
晒旭霞
孟代义
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期1082-1086,共5页
本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM...
本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理。结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5 h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si(111)择优取向。样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长。退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20μm。然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5 h后,薄膜依然是非晶硅状态。差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜。
展开更多
关键词
多晶硅薄膜
应力诱导
非晶硅
电子束蒸发
下载PDF
职称材料
题名
单晶硅衬底上Ge填埋层低温应力诱导重结晶制备多晶硅薄膜
被引量:
2
1
作者
孙启利
邓书康
申兰先
胡志华
李德聪
晒旭霞
孟代义
机构
云南师范大学教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期1082-1086,共5页
基金
the International Cooperation in Science and Technology Project(2011DFA62380)
文摘
本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Si substrate,并在真空中进行后续退火。采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理。结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5 h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si(111)择优取向。样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长。退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20μm。然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5 h后,薄膜依然是非晶硅状态。差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜。
关键词
多晶硅薄膜
应力诱导
非晶硅
电子束蒸发
Keywords
poly-silicon thin film
stress-induced re-crystallization
amorphous silicon
electron beam evaporation
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶硅衬底上Ge填埋层低温应力诱导重结晶制备多晶硅薄膜
孙启利
邓书康
申兰先
胡志华
李德聪
晒旭霞
孟代义
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部