vf-BGA封装焊球热疲劳可靠性的研究

采用有限元分析方法对 vf- BGA焊球的热疲劳特性进行了模拟 .通过扫描电镜 (SEM)对温度循环试验后焊球金属间化合物 (IMC)层和剪切强度试验后的断裂面进行了形貌、结构和组分的观察及分析 .实验和模拟结果表明 :热疲劳负载下焊球的剪切疲劳强度 ,受到焊球塑性应变能量的积累和分布以及金属间化合物层的厚度和微结构变化导致的界面脆性等因素的影响 .使用

多能级闪存的总剂量辐射效应

介绍了一种新型的存储技术——多能级存储 ,并对应用此技术的多能级闪存进行 γ射线辐射 ,研究了多能级闪存的阈值电压及存储单元的电性能曲线等随辐射剂量、辐射剂量率以及时间的关系规律 .

化学镀镍、模版印刷法制备倒扣芯片焊料凸点

回顾了低成本制备芯片上焊料凸点的方法,即化学镀镍制备凸点下金属层、模版印刷焊料,最后回流形成焊料凸点,并综述了该方法的最新研究进展。

智能卡的卡片级可靠性测试方法

基于智能卡的物理特点以及应用领域,从电性能相关、机械类相关、化学类相关以及辐射相关等四方面,分析目前智能卡常做的卡片级可靠性测试项目。阐述这四类可靠性测试可能会导致的失效模式。

封装可靠性及其通用数据的复用规则

基于芯片级的常规封装可靠性试验项目,阐述封装可靠性中的预处理试验、温度循环试验、HAST/THB试验、无偏压加速试验、高温存储试验这5种试验的通用数据复用以及具体实施规则,从而为芯片公司提高研发效率、节省运营成本提供理论依据。