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电源关断技术在导航芯片的物理设计实现
被引量:
1
1
作者
孟少鹏
马强
《中国集成电路》
2014年第4期32-36,共5页
本文通过Cadence公司的EDI平台介绍了电源关断的物理设计流程,采用CPF文件定义了电源关断意图和功耗约束。通过对一款导航测试芯片采用电源关断技术,完成物理设计流程,并对芯片关断前后的漏电功耗进行了仿真分析。分析结果表明,采用电...
本文通过Cadence公司的EDI平台介绍了电源关断的物理设计流程,采用CPF文件定义了电源关断意图和功耗约束。通过对一款导航测试芯片采用电源关断技术,完成物理设计流程,并对芯片关断前后的漏电功耗进行了仿真分析。分析结果表明,采用电源关断技术,可以有效的降低芯片的漏电功耗。
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关键词
电源关断
物理设计
CPF
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职称材料
基于后端物理流程的触发器加固设计及验证
2
作者
孟少鹏
王秋实
+1 位作者
刘冠男
惠惠
《中国集成电路》
2019年第5期56-59,72,共5页
在太空等辐射环境条件下,数字集成电路内部的触发器受到辐射效应影响,易发生单粒子翻转错误。本文提出了一种数字电路触发器自动冗余加固方案,基于后端物理平台实现触发器的自动冗余及判决功能。利用寄存器堆网表进行试验评估,评估表明...
在太空等辐射环境条件下,数字集成电路内部的触发器受到辐射效应影响,易发生单粒子翻转错误。本文提出了一种数字电路触发器自动冗余加固方案,基于后端物理平台实现触发器的自动冗余及判决功能。利用寄存器堆网表进行试验评估,评估表明加固后的网表满足加固要求,并且通过逻辑一致性检查,保证了加固后网表的功能正确性。
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关键词
触发器
三模冗余
辐射加固
网表
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职称材料
基于VCD文件的动态电压降分析流程概述
3
作者
孟少鹏
马强
《中国集成电路》
2014年第5期20-23,共4页
随着先进工艺的发展,动态电压降成为必须考虑的因素。本文介绍了动态电压降的分析流程,采用Redhawk作为分析工具对一款SOC测试芯片进行动态电压降分析。分析结果表明该芯片动态电压降满足设计要求,并给出了改善动态电压降的几种技术手段。
关键词
电压降
VCD
APL
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职称材料
基于TSMC55工艺的ELC流程
4
作者
孟少鹏
马强
《中国集成电路》
2010年第6期44-47,共4页
相对于TSMC65纳米工艺,TSMC55纳米工艺提供了更小的面积、更快的速度。ELC不仅可以检查厂商提供的65纳米标准单元库,还可以产生相应的55纳米标准单元库。本文首先介绍了ELC特征化技术原理,在没有相应ARM55标准单元库的情况下,通过对ARM6...
相对于TSMC65纳米工艺,TSMC55纳米工艺提供了更小的面积、更快的速度。ELC不仅可以检查厂商提供的65纳米标准单元库,还可以产生相应的55纳米标准单元库。本文首先介绍了ELC特征化技术原理,在没有相应ARM55标准单元库的情况下,通过对ARM65标准单元库进行ELC特征化流程,得到速度更快的ARM55标准单元库。并将其应用在实际的设计中进行综合,综合结果与厂商提供的经验值一致。
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关键词
ELC
GDS
Shrink
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职称材料
基于雷达应用的多通道波形产生设计
5
作者
马强
孟少鹏
胡海生
《中国集成电路》
2014年第3期40-43,共4页
本文介绍了一种应用于雷达系统的16通道波形产生器。该波形产生器可以产生线性调频、非线性调频和相位编码三种信号,而且时宽、带宽以及其它参数通过光纤可调,大大减少了电路的输入接口,而且通过光纤配置可灵活远端控制。
关键词
线性调频
非线性调频
FPGA
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职称材料
一款抗辐射SRAM的后端物理设计
6
作者
孟少鹏
《电子世界》
2019年第11期12-13,16,共3页
随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余...
随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余的加固手段,最后对物理设计结果进行了分析。
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关键词
物理设计
抗辐射
SRAM
冗余技术
时间交织
半导体工艺
特征尺寸
辐射效应
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职称材料
基于Innovus工具的28 nm DDR PHY物理设计方法
7
作者
王秋实
张杰
孟少鹏
《雷达科学与技术》
北大核心
2020年第4期457-460,共4页
随着CPU、DSP等器件的处理速度迅速提高,对内存的速度和各方面的需求迅速增加。早期的SDRAM工作频率发展到133 MHz已到极限,成为系统性能的瓶颈。DDR(双倍数据率)技术随之应运而生,目前DDR4的性能已经可以达到3200 Mbps级别。DDR PHY作...
随着CPU、DSP等器件的处理速度迅速提高,对内存的速度和各方面的需求迅速增加。早期的SDRAM工作频率发展到133 MHz已到极限,成为系统性能的瓶颈。DDR(双倍数据率)技术随之应运而生,目前DDR4的性能已经可以达到3200 Mbps级别。DDR PHY作为存储控制器和DRAM颗粒物理接口之间的通用接口,是制约DDR读写速度提升的关键。本文以TSMC 28 nm工艺的DDR PHY设计为例,结合Innovus工具,在描述流程之外,重点研究解决了后端物理设计中时序路径的时间预算、延时优化、路径对齐等问题。最后该DDR PHY在一款工业级DSP中成功集成,并且板级测试结果表明其物理设计结果达到指标要求。
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关键词
DDR
PHY
物理设计
Innovus
时间预算
延时优化
路径对齐
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职称材料
自校验技术在LVDS传输中的应用
8
作者
马强
孟少鹏
《中国集成电路》
2009年第9期60-62,77,共4页
随着LVDS技术在高速数字系统中的应用,由于布局、布线等原因使LVDS数据和时钟出现错位情况。本文提出了自校验技术在接收AD9252LVDS信号时的应用,可以使接收到的数据实现自动纠错的功能,从而增加了LVDS数据传输的稳定性。此技术通过Veri...
随着LVDS技术在高速数字系统中的应用,由于布局、布线等原因使LVDS数据和时钟出现错位情况。本文提出了自校验技术在接收AD9252LVDS信号时的应用,可以使接收到的数据实现自动纠错的功能,从而增加了LVDS数据传输的稳定性。此技术通过Verilog HDL实现,已通过FPGA验证。
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关键词
LVDS
自校验技术
FPGA
AD92
52
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职称材料
在线测量和智能修正技术在数控机床上的应用
被引量:
5
9
作者
孟少鹏
《世界制造技术与装备市场》
2018年第3期58-60,共3页
随着现代制造业对零件加工要求的不断提升,越来越多的制造企业都在向着智能化高效生产的方向进行转型,而在这种高效稳定的智能化生产过程中,离不开机械加工中在线测量技术的强力支撑。目前,这项技术在机械行业内已经逐渐被应用到了实际...
随着现代制造业对零件加工要求的不断提升,越来越多的制造企业都在向着智能化高效生产的方向进行转型,而在这种高效稳定的智能化生产过程中,离不开机械加工中在线测量技术的强力支撑。目前,这项技术在机械行业内已经逐渐被应用到了实际生产当中,确实帮助制造企业提升了产品的生产效率,改善了生产品质,降低了生产成本。
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关键词
在线测量技术
修正技术
智能化
数控机床
应用
生产过程
制造企业
生产品质
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职称材料
先进工艺芯片填充冗余金属后的时序偏差分析及修复
10
作者
王秋实
孟少鹏
吴宏强
《电子技术应用》
2022年第6期42-44,49,共4页
在芯片物理设计的完成阶段,为了满足设计规则中金属密度要求,需要填充冗余金属。增加的金属层会产生额外的寄生电容,导致芯片的时序结果恶化。40 nm以上的工艺节点中,这些额外增加的寄生电容对于时序的影响在0.12%左右,这个时序偏差甚...
在芯片物理设计的完成阶段,为了满足设计规则中金属密度要求,需要填充冗余金属。增加的金属层会产生额外的寄生电容,导致芯片的时序结果恶化。40 nm以上的工艺节点中,这些额外增加的寄生电容对于时序的影响在0.12%左右,这个时序偏差甚至比静态时序分析与SPICE仿真之间的误差还小,在芯片设计时通常忽略它。然而在使用FinFET结构的先进工艺节点中,这个时序偏差必须要进行修复。以一款FinFET结构工艺的工业级DSP芯片为实例,使用QRC工具对比了芯片填充冗余金属前后寄生电容的变化;使用Tempus工具分析了芯片时序结果发生偏差的原因;最后提出了一种基于Innovus平台的时序偏差修复方法,时序结果通过签核验证,有效提高了时序收敛的效率。
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关键词
先进工艺
物理设计
冗余金属
寄生电容
时序修复
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职称材料
合理的栏间跑技术能有效提高跨栏速度
11
作者
杨书君
赵艳萍
孟少鹏
《少年体育训练》
2004年第4期31-32,共2页
步长:步长的大小直接影响栏间跑节奏的好坏,栏间每一步步长的比例应该由最适应的自然步长决定,合适的步长对提高跨栏成绩有着直接的重大意义。
关键词
跨栏跑
栏间跑技术
跨栏速度
技术特点
步长
步速
步时
步幅结构
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职称材料
题名
电源关断技术在导航芯片的物理设计实现
被引量:
1
1
作者
孟少鹏
马强
机构
中国电子科技集团公司第三十八研究所
出处
《中国集成电路》
2014年第4期32-36,共5页
文摘
本文通过Cadence公司的EDI平台介绍了电源关断的物理设计流程,采用CPF文件定义了电源关断意图和功耗约束。通过对一款导航测试芯片采用电源关断技术,完成物理设计流程,并对芯片关断前后的漏电功耗进行了仿真分析。分析结果表明,采用电源关断技术,可以有效的降低芯片的漏电功耗。
关键词
电源关断
物理设计
CPF
Keywords
Power Shut Off
Physical Design
CPF
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于后端物理流程的触发器加固设计及验证
2
作者
孟少鹏
王秋实
刘冠男
惠惠
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《中国集成电路》
2019年第5期56-59,72,共5页
文摘
在太空等辐射环境条件下,数字集成电路内部的触发器受到辐射效应影响,易发生单粒子翻转错误。本文提出了一种数字电路触发器自动冗余加固方案,基于后端物理平台实现触发器的自动冗余及判决功能。利用寄存器堆网表进行试验评估,评估表明加固后的网表满足加固要求,并且通过逻辑一致性检查,保证了加固后网表的功能正确性。
关键词
触发器
三模冗余
辐射加固
网表
Keywords
Data flip-flop
Triple modular redundancy
Radiation harden
Netlist
分类号
TN79 [电子电信—电路与系统]
TN783 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于VCD文件的动态电压降分析流程概述
3
作者
孟少鹏
马强
机构
中国电子科技集团公司第三十八研究所
出处
《中国集成电路》
2014年第5期20-23,共4页
文摘
随着先进工艺的发展,动态电压降成为必须考虑的因素。本文介绍了动态电压降的分析流程,采用Redhawk作为分析工具对一款SOC测试芯片进行动态电压降分析。分析结果表明该芯片动态电压降满足设计要求,并给出了改善动态电压降的几种技术手段。
关键词
电压降
VCD
APL
Keywords
Ir Drop
Value Change Dump
Apache Power Library
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于TSMC55工艺的ELC流程
4
作者
孟少鹏
马强
机构
华东电子工程研究所
出处
《中国集成电路》
2010年第6期44-47,共4页
文摘
相对于TSMC65纳米工艺,TSMC55纳米工艺提供了更小的面积、更快的速度。ELC不仅可以检查厂商提供的65纳米标准单元库,还可以产生相应的55纳米标准单元库。本文首先介绍了ELC特征化技术原理,在没有相应ARM55标准单元库的情况下,通过对ARM65标准单元库进行ELC特征化流程,得到速度更快的ARM55标准单元库。并将其应用在实际的设计中进行综合,综合结果与厂商提供的经验值一致。
关键词
ELC
GDS
Shrink
Keywords
ELC
GDS
Shrink
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于雷达应用的多通道波形产生设计
5
作者
马强
孟少鹏
胡海生
机构
中国电子科技集团公司第三十八研究所
出处
《中国集成电路》
2014年第3期40-43,共4页
文摘
本文介绍了一种应用于雷达系统的16通道波形产生器。该波形产生器可以产生线性调频、非线性调频和相位编码三种信号,而且时宽、带宽以及其它参数通过光纤可调,大大减少了电路的输入接口,而且通过光纤配置可灵活远端控制。
关键词
线性调频
非线性调频
FPGA
Keywords
Linear Frequency Modulation
Nonlinear Frequency Modulation
FPGA
分类号
TN741 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一款抗辐射SRAM的后端物理设计
6
作者
孟少鹏
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子世界》
2019年第11期12-13,16,共3页
文摘
随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余的加固手段,最后对物理设计结果进行了分析。
关键词
物理设计
抗辐射
SRAM
冗余技术
时间交织
半导体工艺
特征尺寸
辐射效应
分类号
TN949.27 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
基于Innovus工具的28 nm DDR PHY物理设计方法
7
作者
王秋实
张杰
孟少鹏
机构
中国电子科技集团公司第三十八研究所
出处
《雷达科学与技术》
北大核心
2020年第4期457-460,共4页
文摘
随着CPU、DSP等器件的处理速度迅速提高,对内存的速度和各方面的需求迅速增加。早期的SDRAM工作频率发展到133 MHz已到极限,成为系统性能的瓶颈。DDR(双倍数据率)技术随之应运而生,目前DDR4的性能已经可以达到3200 Mbps级别。DDR PHY作为存储控制器和DRAM颗粒物理接口之间的通用接口,是制约DDR读写速度提升的关键。本文以TSMC 28 nm工艺的DDR PHY设计为例,结合Innovus工具,在描述流程之外,重点研究解决了后端物理设计中时序路径的时间预算、延时优化、路径对齐等问题。最后该DDR PHY在一款工业级DSP中成功集成,并且板级测试结果表明其物理设计结果达到指标要求。
关键词
DDR
PHY
物理设计
Innovus
时间预算
延时优化
路径对齐
Keywords
DDR PHY
physical design
Innovus
timing budget
delay optimization
path balancing
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
自校验技术在LVDS传输中的应用
8
作者
马强
孟少鹏
机构
华东电子工程研究所
出处
《中国集成电路》
2009年第9期60-62,77,共4页
文摘
随着LVDS技术在高速数字系统中的应用,由于布局、布线等原因使LVDS数据和时钟出现错位情况。本文提出了自校验技术在接收AD9252LVDS信号时的应用,可以使接收到的数据实现自动纠错的功能,从而增加了LVDS数据传输的稳定性。此技术通过Verilog HDL实现,已通过FPGA验证。
关键词
LVDS
自校验技术
FPGA
AD92
52
Keywords
LVDS
self-checking technology
FPGA
AD9252
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
TM452 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
在线测量和智能修正技术在数控机床上的应用
被引量:
5
9
作者
孟少鹏
机构
北京精雕科技集团有限公司
出处
《世界制造技术与装备市场》
2018年第3期58-60,共3页
文摘
随着现代制造业对零件加工要求的不断提升,越来越多的制造企业都在向着智能化高效生产的方向进行转型,而在这种高效稳定的智能化生产过程中,离不开机械加工中在线测量技术的强力支撑。目前,这项技术在机械行业内已经逐渐被应用到了实际生产当中,确实帮助制造企业提升了产品的生产效率,改善了生产品质,降低了生产成本。
关键词
在线测量技术
修正技术
智能化
数控机床
应用
生产过程
制造企业
生产品质
分类号
TG659 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
先进工艺芯片填充冗余金属后的时序偏差分析及修复
10
作者
王秋实
孟少鹏
吴宏强
机构
安徽芯纪元科技有限公司
出处
《电子技术应用》
2022年第6期42-44,49,共4页
文摘
在芯片物理设计的完成阶段,为了满足设计规则中金属密度要求,需要填充冗余金属。增加的金属层会产生额外的寄生电容,导致芯片的时序结果恶化。40 nm以上的工艺节点中,这些额外增加的寄生电容对于时序的影响在0.12%左右,这个时序偏差甚至比静态时序分析与SPICE仿真之间的误差还小,在芯片设计时通常忽略它。然而在使用FinFET结构的先进工艺节点中,这个时序偏差必须要进行修复。以一款FinFET结构工艺的工业级DSP芯片为实例,使用QRC工具对比了芯片填充冗余金属前后寄生电容的变化;使用Tempus工具分析了芯片时序结果发生偏差的原因;最后提出了一种基于Innovus平台的时序偏差修复方法,时序结果通过签核验证,有效提高了时序收敛的效率。
关键词
先进工艺
物理设计
冗余金属
寄生电容
时序修复
Keywords
advanced process node
physical design
dummy metal fill
parasitic capacitance
timing repair
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
合理的栏间跑技术能有效提高跨栏速度
11
作者
杨书君
赵艳萍
孟少鹏
出处
《少年体育训练》
2004年第4期31-32,共2页
文摘
步长:步长的大小直接影响栏间跑节奏的好坏,栏间每一步步长的比例应该由最适应的自然步长决定,合适的步长对提高跨栏成绩有着直接的重大意义。
关键词
跨栏跑
栏间跑技术
跨栏速度
技术特点
步长
步速
步时
步幅结构
分类号
G822.6 [文化科学—体育训练]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电源关断技术在导航芯片的物理设计实现
孟少鹏
马强
《中国集成电路》
2014
1
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职称材料
2
基于后端物理流程的触发器加固设计及验证
孟少鹏
王秋实
刘冠男
惠惠
《中国集成电路》
2019
0
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职称材料
3
基于VCD文件的动态电压降分析流程概述
孟少鹏
马强
《中国集成电路》
2014
0
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职称材料
4
基于TSMC55工艺的ELC流程
孟少鹏
马强
《中国集成电路》
2010
0
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职称材料
5
基于雷达应用的多通道波形产生设计
马强
孟少鹏
胡海生
《中国集成电路》
2014
0
下载PDF
职称材料
6
一款抗辐射SRAM的后端物理设计
孟少鹏
《电子世界》
2019
0
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职称材料
7
基于Innovus工具的28 nm DDR PHY物理设计方法
王秋实
张杰
孟少鹏
《雷达科学与技术》
北大核心
2020
0
下载PDF
职称材料
8
自校验技术在LVDS传输中的应用
马强
孟少鹏
《中国集成电路》
2009
0
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职称材料
9
在线测量和智能修正技术在数控机床上的应用
孟少鹏
《世界制造技术与装备市场》
2018
5
下载PDF
职称材料
10
先进工艺芯片填充冗余金属后的时序偏差分析及修复
王秋实
孟少鹏
吴宏强
《电子技术应用》
2022
0
下载PDF
职称材料
11
合理的栏间跑技术能有效提高跨栏速度
杨书君
赵艳萍
孟少鹏
《少年体育训练》
2004
0
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职称材料
已选择
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