热处理及激光多道搭接对激光熔化沉积TC18钛合金组织的影响

研究了3种热处理制度及激光多道搭接对激光熔化沉积TC18钛合金显微组织的影响。结果表明:按照去应力退火-等温退火-双重退火的顺序,晶界α和晶内α片层都逐渐粗化,大柱状晶逐渐分裂,小晶粒逐渐趋于等轴化;激光扫描搭接区域,温度梯度大,重熔间隔时间短,生成大柱状晶;非搭接区域温度梯度较小,重熔间隔时间长,难以满足柱状晶外延生长的条件,从而形成小晶粒带。

碳氮比对平菇HP-1发育的影响

一般认为,适宜食用菌菌丝生长的碳氮比为20:1;还认为,食用菌子实体的发育和菌丝生长,对营养要求是各不相同的。其中碳氮比对食用菌发育有什么影响,少见报道。现将碳氮比对平菇HP-1发育影响的研究结果报道如下。一、材料和方法（一）材料菌种为平菇HP-1,本所提供。发菌用培养基为PDA。发育培养基组成:磷酸二氢钾2g,硫酸镁1g,维生素B13片,硫酸亚铁0.02g,石膏1g,琼脂20g,水1000ml,pH 自然。葡萄糖为碳源,蛋白胨与硫酸铵各半为氮源,总氮量0.41gN/L,加入不同的葡萄糖量,配制成10∶1、30∶1、50∶1、70∶1和90∶1五个碳氮比的培养基。（二）方法①菌丝培养:在直径9cm 的无菌培养皿内,倒入制备好的培养基30ml,冷却至30℃后,在平皿内接入一块0.5cm2的菌膜,置24～26℃培养7天。②碳氮比对HP-1发育影响试验:把已长好的菌落,整个转移至不同碳氮比的培养基上,每处理重复6次。先在黑暗处培养2天,然后置室内试验台上,自然光照,室温23～26℃培养。每2天观察记录原基形成及子实体的分化,称取菌丝体和子实体鲜重。

显示屏SMD LED的失效机理探析和预防解决方案

本文主要分析LED显示屏用SMD LED的几种失效机理,从SMD LED的湿应力、热应力、抗静电能力、显示屏电路隐患和显示屏制作工艺缺陷等方面进行详细的研究分析,并基于上述分析结果提出可行的预防解决方案。