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基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术
被引量:
5
1
作者
孟茜倩
程加力
高建军
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第3期263-266,共4页
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以...
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以及采用这6个模型仿真MOSFET直流特性时的RMS误差结果来看,这6个常用的MESFET非线性模型可以表征MOSFET的直流特性,参数越多模型精度越高。
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关键词
CMOS器件
MOSFET模型
参数提取与模型仿真
MESFET模型
直流模型
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职称材料
题名
基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术
被引量:
5
1
作者
孟茜倩
程加力
高建军
机构
华东师范大学信息科学技术学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第3期263-266,共4页
文摘
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以及采用这6个模型仿真MOSFET直流特性时的RMS误差结果来看,这6个常用的MESFET非线性模型可以表征MOSFET的直流特性,参数越多模型精度越高。
关键词
CMOS器件
MOSFET模型
参数提取与模型仿真
MESFET模型
直流模型
Keywords
CMOS device
MOSFET model
parameter extraction and model simulation
MESFET model
DC model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术
孟茜倩
程加力
高建军
《电子器件》
CAS
北大核心
2012
5
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