中波紫外线(UV-B)辐照处理对糯玉米种子萌发影响的转录组分析

为了解中波紫外线(UV-B)对糯玉米种子活力影响的分子机理,设置0 min(对照)、30 min、1 h、2 h、4 h和8 h共6个不同时长的UV-B辐照对糯玉米自交系N51种子进行处理,同时进行相关活力指标和转录组学分析。结果表明,糯玉米自交系N51各处理与对照及各处理间差异均不显著。在0 min、30 min、1 h、2 h、4 h、8 h范围内,发芽势、发芽指数和活力指数均呈先上升后下降的趋势,且在1 h处理下达到最高,综合各个活力指标表明,UV-B辐照处理1 h促进玉米种子萌发效果最显著。依据0 min、1 h、2 h等3个时长处理下,糯玉米种子活力指标呈先升后降的趋势,转录组测序分析共筛选出先上调再下调的差异表达基因5个,先下调后上调的差异表达基因869个。GO注释分类表明,UV-B处理主要通过影响类囊体、光合系统光合作用、光合膜、光合作用-天线蛋白、代谢途径、氮代谢途径等影响糯玉米自交系N51种子萌发;KEGG通路富集包括苯丙素类生物合成、类黄酮生物合成、淀粉和蔗糖代谢等途径。

甜玉米苗期耐铝性状QTL定位

为挖掘甜玉米耐铝基因资源,以耐铝性状差异显著的甜玉米自交系‘T 49’(♀)和‘T 56’(♂)为亲本配制杂交组合‘T49×T56’,以208个F2单株作为遗传作图群体,构建玉米遗传连锁图谱,选取苗高系数、苗重系数、根长系数、根重系数和整株鲜重系数作为玉米耐铝性的评价指标。用复合区间作图法检测耐铝性状相关QTL。结果表明:在甜玉米10对染色体上获得10个SSR标记连锁群,全长1199.10 cM,平均间距7.83 cM。共检测到3个苗高系数QTL、4个苗重系数QTL、4个根长系数QTL、3个根重系数QTL、3个整株鲜重系数QTL,单个QTL可解释6.46%~25.37%的表型变异。在第9染色体上phi065-umc1271(bin 9.03-9.04),苗高系数、苗重系数、根长系数、根重系数、整株鲜重系数均检测到1个主效QTL,贡献率为13.1%~25.3%。结合GO、KEGG数据库,在phi065-umc1271内存在2个稳定的甜玉米非生物逆境胁迫耐受性相关的基因Zm00001d045472和Zm00001d046391。