双异质型蓝色OLED器件的研究

采用真空蒸镀法制备了ITO/NPB/BAlq3/Alq3/Mg∶Ag(双异质型)和ITO/NPB/BAlq3/Mg∶Ag(传统型)两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了器件结构对OLED光电性能的具体影响。实验结果表明,器件结构对OLED的发光光谱没有影响,其谱峰均位于480nm。但是器件结构却显著影响OLED的发光性能,与传统型结构器件相比,双异质型结构OLED的最大发光效率和最大发光亮度分别提高了4.5倍和5.5倍,达到1.90lm/W和10000cd/m2。这是因为双异质型器件结构中引入了电子传输层Alq3和空穴阻挡层BAlq3,从而使得能级匹配更加合理,载流子注入更加平衡的缘故。

蓝光OLED的掺杂研究

采用蓝色发光材料ADN为主体发光材料、BAlq3为掺杂材料,通过改变BAlq3的掺杂浓度制备了结构为ITO／NPB／ADN:BAlq3／Alq3／Mg:Ag的一系列蓝光有机发光器件(OLED)。研究了器件各有机层之间的能级匹配和BAlq3的掺杂浓度对载流子注入、传输、复合以及发光色纯度的影响。实验结果表明,空穴阻挡材料BAlq3的掺入显著影响OLED的电流密度、发光亮度、发光效率和发光光谱,当BAlq3的掺杂浓度为25％时,OLED的发光效率为1．0 lm／W,发光光谱的峰值为440 nm,色纯度为(0．18,0．15),未封装器件的半衰期为950小时,器件同时满足了高效率和高色纯度的要求。

超高导热金刚石铜复合材料在GaN器件中的应用

金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数,可用于大功率芯片的散热热沉。未做处理的金刚石表面非常光滑,不易附着其他金属,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱进行表面处理。采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理,而对铜无损伤,提升了金刚石表面结合力。金刚石铜镀层对金锡(AuSn)和锡铅(PbSn)焊料的润湿性满足GJB548B-2005要求。GaN功率放大器芯片采用金刚石铜热沉比铜钼铜热沉结温可以降低12℃。金刚石铜载板镀层润湿性良好,焊接后芯片底部的空洞率不大于3%,热沉焊接后空洞率不大于5%,满足高功率芯片散热要求。按照产品环境适应要求,对GaN功率放大器做了高低温冲击和机械振动两种环境筛选实验,最终满足可靠性考核要求。

基于硅铝合金微电子集成工艺研究

研究了基于硅铝合金的LTCC基板焊接、微矩形连接器气密焊接和激光封焊等微电子集成工艺。通过优化焊接温度曲线和激光焊接参数,焊接空洞、连接器气密性和激光封焊密封性满足军标要求,形成了基于硅铝合金微电子集成制造技术体系,并应用在了多个产品上。

双层有机电致发光器件AlQ厚度优化的研究

采用真空蒸发法制备了双层结构(ITO/NPB(15nm)/AlQ(x)/Mg:Ag)有机电致发光器件(OLED)。测试分析了8-羟基喹啉铝(AlQ)厚度对OLED的B-V、J-V和η-V特性的影响,结果表明AlQ厚度对OLED器件的性能有显著的影响;当AlQ厚度在40nm时器件的发光亮度、发光效率以及稳定性都是最佳,但是当厚度变化时对光谱影响不大。

氧等离子体处理改善ITO电极表面湿润性

采用氧等离子体处理对有机发光器件ITO电极进行表面改性,基于接触角的测量,利用几何平均法计算了ITO的表面能和极性度,研究了氧等离子体处理对ITO电极表面湿润性的影响。实验数据和计算结果表明:氧等离子体处理后,ITO表面极性度增加,表面能增大,接触角减小,其表面湿润性得到很大改善。同时,进一步研究了氧等离子体处理对有机发光器件性能的影响,结果显示:ITO电极表面湿润性的改善,提高了发光亮度和效率,降低了启亮电压和驱动电压,有效地改善了器件的光电性能。

使用AlQ的高效率红色有机电致发光器件

以8-羟基喹林铝(AlQ)为主体材料,通过4(Dicyanomethylen)-2-methyl-6-(P-dimethylaminostyryl)-4H-pyran(DCM)红色发光材料的掺杂,制备了AlQ:Rubrene:DCM体系的高效率、高亮度的红色电致发光器件。器件结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/AlQ:Rubrene(3%):DCM(3%)/AlQ/Mg:Ag/Al,亮度为4330cd/m2,色坐标为(0.51,0.44),最大流明效率为6.77lm/W。

有机层界面电荷聚集及其对OLED性能的影响

采用金属A l、合金Mg∶Ag以及复合层LiF-A l作为阴极材料,利用真空加热蒸镀法制备了异质结有机发光器件(OLED),研究了阴极材料与器件有机层界面电荷聚集之间的关系。结果表明,界面电荷聚集与阴极材料密切相关,LiF-A l复合层阴极器件的界面聚集电荷最少,而A l金属阴极器件的界面聚集电荷最多。同时,通过测试器件的光电性能,进一步研究了阴极材料对OLED发光特性的影响。实验结果显示,LiF-A l复合层阴极器件具有最大的发光亮度和效率、最小的启亮电压和驱动电压。

ADN掺杂的高效率红光有机电致发光器件的制备

针对目前红光有机电致发光器件普遍存在效率低的缺点,以9,10-di-beta-naphthylanthracene(AND)为主体材料,利用真空蒸镀双掺杂的方法,制备了基于ADN的结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamineNPB/ADN:AlQ(20%):DCJTB(2%)/AlQ/Mg:Ag/Al的红光掺杂器件。测试结果表明该器件亮度可以达到3000cd/m2,EL光谱的峰值为598nm,色纯度CIE坐标为(0.59,0.41),最大流明效率为2.54lm/W,比AlQ为单一主体材料的红光掺杂器件性能有很大的提高。

ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。

PVK空穴传输层对有机电致发光器件性能的影响

以聚乙烯基咔唑poly(N-vinylcarbazole)(PVK)旋涂层为空穴传输层,着重研究了PVK层厚度对双层器件氧化铟锡(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/Mg∶Ag/Al器件性能的影响。测试结果表明,当Alq3层厚度一定时(50nm),只有PVK层为适当厚度(18nm)时双层器件才有最优良的器件性能,即最低的起亮电压,最高的发光亮度和效率。同时对比了不同PVK层厚度的PVK/Alq3双层器件之间以及PVK/Alq3与N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/Alq3双层器件寿命的差异。测试结果表明,尽管越厚的PVK层对应的PVK/Alq3双层器件发光性能并不是越好,但器件寿命越长。原因是器件Alq3层内形成的Alq3+越少,因此器件稳定性越好;而PVK/Alq3与NPB/Alq3双层器件寿命的差异来自不同空穴传输层的制备工艺和能级结构的不同。

双层异质结器件载流子复合位置的研究

载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节，它直接影响着器件的效率，稳定性，寿命等性能。以双层器件ITO／N，N＇-Diphenyl-N，N＇-bis（1-naphthyl）-（1，1＇-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxy-quinoline）-aluminum（Alq3）／Mg：Ag为基础，以红光掺杂剂4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）为探针，通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度，研究了双层异质结器件中载流子的复合位置。结果表明，对于双层器件NPB／Alq3，载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0～10nm范围内。

小线径键合金丝熔断电流测试与分析

键合引线的电流承载能力是封装设计的重要考虑因素之一,如果设计不当会导致引线熔断失效。目前小线径键合金丝在高集成度、多I/O、高频率封装中的应用越来越多,但对小线径金丝熔断特性的研究较少。文中分析了熔断电流理论计算的局限性,设计了熔断电流测试样件及测试软件,对小线径金丝的熔断电流进行了测试,并给出了安全设计电流建议。

有机LED平板显示器电致发光材料的研究

有机LED平板显示器具有效率高、亮度强、能耗低、色彩丰富以及响应速度快等优点,是近年来发光显示领域的研究热点。作为有机LED平板显示器的物质基础,电致发光(EL)材料是直接影响其器件性能的关键因素。本文在阐述器件结构和发光机理的基础上,重点介绍了有机LED器件的电致发光材料,并对其应用前景进行了展望。

有机电致发光材料的研究

有机LED平板显示器具有效率高、亮度强、能耗低、色彩丰富以及响应速度快等优点,是近年来发光显示领域的研究热点。作为有机LED平板显示器的物质基础,电致发光(EL)材料是直接影响其器件性能的关键因素。本文在阐述器件结构和发光机理的基础上,重点介绍有机LED器件的电致发光材料,并对其应用前景进行展望。

高低频复合基板研究

高低频复合基板技术是在同一块基板上同时实现低频信号和高频信号的传输。主要介绍了高低频复合基板制造面临的挑战以及高低频复合基板的主要特性。较为详细地介绍了高低频复合基板主要的三种实现方式,即FR4印制电路板与微波印制电路的复合结构、低温共烧陶瓷技术以及液晶聚合物基板。

无空洞真空共晶技术及应用

在采用功率芯片集成产品时,往往要求热阻小,可靠性高。在这方面,真空共晶技术与传统的芯片贴装方法如环氧粘结或者手动氮气保护共晶技术相比更具优势。分析了真空环境对共晶焊接的影响,同时对影响真空共晶焊接的工艺因素进行了剖析,通过这些因素的控制,可以得到无空洞的焊接。同时给出了真空共晶技术可能的应用。

掺杂材料对蓝光OLED器件性能的影响

采用ADN作为主体材料,并且对其使用NPB、BA lq3和TBP等材料进行掺杂,制备了一系列蓝光OLED,研究了掺杂对器件性能的影响。实验结果表明,掺杂NPB的器件由于载流子注入和传输趋向平衡,其光电性能明显优于未掺杂的器件;掺杂BA lq3的器件则具有最佳的色纯度,CIE坐标为(0.15,0.18);而掺杂TBP的器件则具有高效的能量传递,其流明效率和电流效率分别达到了1.43 lm/W和3.86 cd/A,发光寿命最长,并具有较窄的发光光谱,其色纯度为(0.18,0.19)。这些结果说明掺杂不仅改善了器件的发光亮度和色纯度,而且提高了器件的发光效率和寿命。

超高导热金刚石铜表面镀涂技术研究

金刚石铜复合材料具有高导热率和低膨胀系数,在微电子领域用作Ga N和Si C等高功率芯片的散热热沉,可以显著降低大功率芯片的结温,提高电子产品的可靠性和寿命。通过在金刚石铜复合材料表面上化学镀镍金的方法使表面金属化以改善其焊接性。未做处理的金刚石表面非常光滑,难以和其他金属附着,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱表面处理,铜较活泼,采用一般处理方法容易使铜处理过度,而金刚石没反应。对比采用了硝酸、硫酸、氢氧化纳、喷砂、人工打磨等多种方法对金刚石铜表面前处理,效果有限。根据金刚石铜材料特性采用JG-01金刚石铜粗化处理液,能够有效对金刚石进行粗化处理,且对铜无损伤,在金刚石表面形成了连续的蜂窝状微孔,提升金刚石表面镀涂结合力。金刚石铜粗化后通过活化、敏化、化学镍、镀金等镀涂工艺,镍金镀层附着力满足军标热震试验、高温烘烤要求,镀金层覆盖率达到100%,镀层粗糙度显著降低,镀层对金锡和锡铅焊料的可焊性满足产品使用要求。

蓝光OLED器件载流子复合区域的研究

制备了结构为ITO/NPB/BAlq3/Mg:Ag的有机电致发光器件(OLED),研究了有机层厚度对器件载流子复合区域的影响。实验结果表明当改变各有机层厚度时,OLED器件的电致发光光谱将发生从绿光到蓝光的变化。经分析这是由于各有机层电场强度变化影响了空八和电子的隧穿几率,从而导致载流子的复合区域发生改变而发射不同颜色的光。