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一种用于模拟电路修调的EEPROM电路 被引量:3
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作者 季赛健 刘文平 徐俊华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第7期198-201,共4页
介绍了一种用在模拟电路中修调的EEPROM电路.该电路采用一种新型的单层多晶EEPROM结构,与传统的双栅EEPROM结构相比,该结构与数字CMOS工艺兼容,成本低、成品率高.使用在一个基准电压电路中时,其基准电压的调节范围达到±4.82%,调节... 介绍了一种用在模拟电路中修调的EEPROM电路.该电路采用一种新型的单层多晶EEPROM结构,与传统的双栅EEPROM结构相比,该结构与数字CMOS工艺兼容,成本低、成品率高.使用在一个基准电压电路中时,其基准电压的调节范围达到±4.82%,调节精度达到4mV.EEPROM修调电路可广泛应用于各种高精度需求的电路中. 展开更多
关键词 单层多晶EEPROM 数字校调 浮栅 基准电压
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一种可修调的高精度低温漂带隙基准电压源 被引量:6
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作者 支知渊 唐威 +2 位作者 魏海龙 季赛健 尤路 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期746-749,753,共5页
设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现2阶曲率温度补偿,减小了基准电压的温漂;设计了电阻修调网络,保证了... 设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现2阶曲率温度补偿,减小了基准电压的温漂;设计了电阻修调网络,保证了基准电压的高精度。电路基于标准双极工艺进行设计和制造,测试结果表明:在-55℃~125℃温度范围内,15V电源电压下,基准源输出电压为2.5(1±0.24%)V,温度系数为1.2×10-5/℃,低频时的电源电压抑制比为-102dB,静态电流为1mA,重载时输出电流能力为10mA。 展开更多
关键词 带隙基准 电阻温度系数 电源电压抑制比 电阻修调
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