高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路

设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242 V。该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10μs),过温保护性能良好。

一种抗辐照加固1553B总线差分接收器的研制

介绍了一种低功耗的抗辐照加固5 V1 Mbit.s-11553B总线差分接收器的研制,该电路可实现总线信号接收的功能。电路设计采用商用BCDMOS Process,不仅对总线上的高频噪声有滤波作用,而且对总线上的共模信号进行抑制,在解决输出脉宽、接收阈值、输出多脉冲、输出脉宽展宽、总线偏移等问题的同时,降低了芯片的功耗。此外,基于普通商用体硅BCD工艺线,通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数的辐射效应进行加固。流片测试试验结果表明,电路的性能良好,可广泛用于1553总线系统。

一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计

采用恒流源充放电技术，以比较器为核心，利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号，设计一种基于0．5μmCMOS工艺的扩展频谱振荡器，振荡频率在1～1．6MHz的范围内。通过Cadencespectre仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明，该方案能够在1～1．6MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC／DC转换器的噪声性能。

一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现

针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片结果表明:在典型工艺角下,基准在-55℃～125℃内,温度系数为1.7×10-6～6.0×10-6/℃;在2.2V的电源幅度范围下,具有0.03mV/V的电源抑制特性。该电路已成功应用于一款线性稳压电源中。

一种低功耗高线性度全差分式压控振荡器的设计

设计了一种只含有两级差分式结构的环形压控振荡器,具有功耗低,电压-频率转换线性度高,相位噪声低的特点。利用上海HUAHONG-NEC 0.35 um的模型,在电源电压为3.3 V,温度为27℃的条件下仿真,振荡频率从20 MHz变化到540MHz,中心频率为260 MHz,而且电压频率转换曲线呈线性关系,功耗仅为5 mW@520 Mhz。