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高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路
被引量:
5
1
作者
季轻舟
耿增建
《科学技术与工程》
2008年第21期5812-5816,共5页
设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准...
设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242 V。该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10μs),过温保护性能良好。
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关键词
带隙基准
快速启动
过温保护
电源抑制比
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职称材料
一种抗辐照加固1553B总线差分接收器的研制
2
作者
季轻舟
杨力宏
+1 位作者
肖娟
汪西虎
《电子科技》
2011年第9期56-58,61,共4页
介绍了一种低功耗的抗辐照加固5 V1 Mbit.s-11553B总线差分接收器的研制,该电路可实现总线信号接收的功能。电路设计采用商用BCDMOS Process,不仅对总线上的高频噪声有滤波作用,而且对总线上的共模信号进行抑制,在解决输出脉宽、接收阈...
介绍了一种低功耗的抗辐照加固5 V1 Mbit.s-11553B总线差分接收器的研制,该电路可实现总线信号接收的功能。电路设计采用商用BCDMOS Process,不仅对总线上的高频噪声有滤波作用,而且对总线上的共模信号进行抑制,在解决输出脉宽、接收阈值、输出多脉冲、输出脉宽展宽、总线偏移等问题的同时,降低了芯片的功耗。此外,基于普通商用体硅BCD工艺线,通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数的辐射效应进行加固。流片测试试验结果表明,电路的性能良好,可广泛用于1553总线系统。
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关键词
1553B总线
体硅BCD工艺
抗辐照加固
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职称材料
一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计
3
作者
季轻舟
耿增建
魏海龙
《现代电子技术》
2008年第23期78-80,83,共4页
采用恒流源充放电技术,以比较器为核心,利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号,设计一种基于0.5μmCMOS工艺的扩展频谱振荡器,振荡频率在1~1.6MHz的范围内。通过Cadencespectre仿真工具对电路进行仿真验证,结果表明,该...
采用恒流源充放电技术,以比较器为核心,利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号,设计一种基于0.5μmCMOS工艺的扩展频谱振荡器,振荡频率在1~1.6MHz的范围内。通过Cadencespectre仿真工具对电路进行仿真验证,结果表明,该方案能够在1~1.6MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC/DC转换器的噪声性能。
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关键词
真随机数发生器
扩展频谱振荡器
DC/DC转换器
噪声
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职称材料
一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现
被引量:
6
4
作者
刘晓轩
张玉明
+1 位作者
季轻舟
曹天骄
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期41-46,共6页
针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片...
针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片结果表明:在典型工艺角下,基准在-55℃~125℃内,温度系数为1.7×10-6~6.0×10-6/℃;在2.2V的电源幅度范围下,具有0.03mV/V的电源抑制特性。该电路已成功应用于一款线性稳压电源中。
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关键词
带隙基准
分段温度补偿
高阶温度特性
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职称材料
一种低功耗高线性度全差分式压控振荡器的设计
被引量:
1
5
作者
尹飞
郭仲杰
+1 位作者
季轻舟
耿增建
《科学技术与工程》
2010年第19期4789-4792,共4页
设计了一种只含有两级差分式结构的环形压控振荡器,具有功耗低,电压-频率转换线性度高,相位噪声低的特点。利用上海HUAHONG-NEC 0.35 um的模型,在电源电压为3.3 V,温度为27℃的条件下仿真,振荡频率从20 MHz变化到540MHz,中心频率为260 M...
设计了一种只含有两级差分式结构的环形压控振荡器,具有功耗低,电压-频率转换线性度高,相位噪声低的特点。利用上海HUAHONG-NEC 0.35 um的模型,在电源电压为3.3 V,温度为27℃的条件下仿真,振荡频率从20 MHz变化到540MHz,中心频率为260 MHz,而且电压频率转换曲线呈线性关系,功耗仅为5 mW@520 Mhz。
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关键词
VCO
CMOS
锁相环
中心频率
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职称材料
题名
高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路
被引量:
5
1
作者
季轻舟
耿增建
机构
西安微电子技术研究所
出处
《科学技术与工程》
2008年第21期5812-5816,共5页
文摘
设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护。采用上华0.5μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242 V。该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10μs),过温保护性能良好。
关键词
带隙基准
快速启动
过温保护
电源抑制比
Keywords
bandgap reference quickly start-up over temperature protection PSRR
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种抗辐照加固1553B总线差分接收器的研制
2
作者
季轻舟
杨力宏
肖娟
汪西虎
机构
西安微电子技术研究所研发部
出处
《电子科技》
2011年第9期56-58,61,共4页
文摘
介绍了一种低功耗的抗辐照加固5 V1 Mbit.s-11553B总线差分接收器的研制,该电路可实现总线信号接收的功能。电路设计采用商用BCDMOS Process,不仅对总线上的高频噪声有滤波作用,而且对总线上的共模信号进行抑制,在解决输出脉宽、接收阈值、输出多脉冲、输出脉宽展宽、总线偏移等问题的同时,降低了芯片的功耗。此外,基于普通商用体硅BCD工艺线,通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数的辐射效应进行加固。流片测试试验结果表明,电路的性能良好,可广泛用于1553总线系统。
关键词
1553B总线
体硅BCD工艺
抗辐照加固
Keywords
1553B bus
BCD process
radiation hardened
分类号
TN851 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计
3
作者
季轻舟
耿增建
魏海龙
机构
西安微电子技术研究所
出处
《现代电子技术》
2008年第23期78-80,83,共4页
文摘
采用恒流源充放电技术,以比较器为核心,利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号,设计一种基于0.5μmCMOS工艺的扩展频谱振荡器,振荡频率在1~1.6MHz的范围内。通过Cadencespectre仿真工具对电路进行仿真验证,结果表明,该方案能够在1~1.6MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC/DC转换器的噪声性能。
关键词
真随机数发生器
扩展频谱振荡器
DC/DC转换器
噪声
Keywords
random number generator
spread spectrum oscillator
DC/DC converter
noise
分类号
TM13 [电气工程—电工理论与新技术]
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职称材料
题名
一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现
被引量:
6
4
作者
刘晓轩
张玉明
季轻舟
曹天骄
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体技术国防重点学科实验室
西安微电子技术研究所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期41-46,共6页
文摘
针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片结果表明:在典型工艺角下,基准在-55℃~125℃内,温度系数为1.7×10-6~6.0×10-6/℃;在2.2V的电源幅度范围下,具有0.03mV/V的电源抑制特性。该电路已成功应用于一款线性稳压电源中。
关键词
带隙基准
分段温度补偿
高阶温度特性
Keywords
bandgap reference
subsection temperature compensation
high-order temperature characteristic
分类号
TN431 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种低功耗高线性度全差分式压控振荡器的设计
被引量:
1
5
作者
尹飞
郭仲杰
季轻舟
耿增建
机构
西安微电子技术研究所
出处
《科学技术与工程》
2010年第19期4789-4792,共4页
文摘
设计了一种只含有两级差分式结构的环形压控振荡器,具有功耗低,电压-频率转换线性度高,相位噪声低的特点。利用上海HUAHONG-NEC 0.35 um的模型,在电源电压为3.3 V,温度为27℃的条件下仿真,振荡频率从20 MHz变化到540MHz,中心频率为260 MHz,而且电压频率转换曲线呈线性关系,功耗仅为5 mW@520 Mhz。
关键词
VCO
CMOS
锁相环
中心频率
Keywords
VCO CMOS PLL Central frequency
分类号
TN752.2 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高性能快速启动CMOS带隙基准及过温保护电路
季轻舟
耿增建
《科学技术与工程》
2008
5
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职称材料
2
一种抗辐照加固1553B总线差分接收器的研制
季轻舟
杨力宏
肖娟
汪西虎
《电子科技》
2011
0
下载PDF
职称材料
3
一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计
季轻舟
耿增建
魏海龙
《现代电子技术》
2008
0
下载PDF
职称材料
4
一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现
刘晓轩
张玉明
季轻舟
曹天骄
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
6
下载PDF
职称材料
5
一种低功耗高线性度全差分式压控振荡器的设计
尹飞
郭仲杰
季轻舟
耿增建
《科学技术与工程》
2010
1
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职称材料
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