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In掺杂对磁性半导体Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中铁磁序的调控
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作者 谢玲凤 董金瓯 +2 位作者 赵雪芹 杨巧林 宁凡龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期317-322,共6页
磁性半导体中磁矩受载流子调控形成有序态,但其机制尚存在着争议.本文利用高温固相反应法,通过(Zn^(2+),In^(3+))替换,即In^(3+)占据Zn^(2+)的晶格位置,在p型块状磁性半导体Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中引入n型载流子,成功合... 磁性半导体中磁矩受载流子调控形成有序态,但其机制尚存在着争议.本文利用高温固相反应法,通过(Zn^(2+),In^(3+))替换,即In^(3+)占据Zn^(2+)的晶格位置,在p型块状磁性半导体Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中引入n型载流子,成功合成了一系列Li_(1.05)(Zn_(0.925-y),Mn_(0.075),In_(y))As(y=0,0.05,0.075,0.1)新材料.在保持Mn掺杂浓度为7.5%不变时,仍可在所有In掺杂的样品中观察到铁磁转变.随着In掺杂浓度的增大,其居里温度被不断压制.样品的电阻率随着In掺杂浓度的增大而逐渐增大.实验结果表明,随着In的掺杂,Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075)),As中原有的p型载流子被部分抵消,导致总载流子浓度降低,反映了n型载流子对Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中铁磁序的压制作用,同时也验证了载流子对磁性半导体中铁磁序的重要影响. 展开更多
关键词 磁性半导体 居里温度 铁磁序
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压力、温度和晶粒尺寸对Fe-N合金的合成及结构的影响 被引量:5
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作者 刘力 姚斌 +3 位作者 赵旭东 郭星原 宁凡龙 苏文辉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期6-9,共4页
在 1× 1 0 - 3 Pa~ 4 GPa的压力和 5 80~ 930 K温度范围内 ,利用高压技术并结合机械球磨 ,研究了压力、温度和晶粒尺寸对α-Fe与非晶 BN的固态反应的影响 .发现高压和晶粒细化可以极大地促进α-Fe和非晶 BN的固态反应过程 ,α-F... 在 1× 1 0 - 3 Pa~ 4 GPa的压力和 5 80~ 930 K温度范围内 ,利用高压技术并结合机械球磨 ,研究了压力、温度和晶粒尺寸对α-Fe与非晶 BN的固态反应的影响 .发现高压和晶粒细化可以极大地促进α-Fe和非晶 BN的固态反应过程 ,α-Fe与非晶 BN发生固态反应的临界晶粒尺寸约 8nm.压力和温度对反应产物及其晶体结构有明显影响 .2 GPa和 80 0 K时 ,反应产物为具有正交结构的 Fe-N新相 ;在 3~ 4 GPa和 690~80 0 K时 ,可形成单一ε-Fex N合金相 ;而在 4 GPa和 930 K以上 ,反应产物由 Fe-N合金相转变为 展开更多
关键词 固态反应 晶体结构 Fe-N合金 合成 铁氮合金 机械球磨 压力 温度 晶粒尺寸
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Observation of spin-glass behavior in 1111-type magnetic semiconductor(La,Ba)(Zn,Mn)SbO
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作者 赵雪芹 董金瓯 +6 位作者 张茹菲 杨巧林 谢玲凤 傅立承 顾轶伦 潘洵 宁凡龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第12期547-553,共7页
We report the successful fabrication of a new 1111-type bulk magnetic semiconductor(La,Ba)(Zn,Mn)SbO through the solid solution of(La,Ba)and(Zn,Mn)in the parent compound LaZnSbO.The polycrystalline samples(La,Ba)(Zn,M... We report the successful fabrication of a new 1111-type bulk magnetic semiconductor(La,Ba)(Zn,Mn)SbO through the solid solution of(La,Ba)and(Zn,Mn)in the parent compound LaZnSbO.The polycrystalline samples(La,Ba)(Zn,Mn)SbO crystallize into ZrCuSiAs-type tetragonal structure,which has the same structure as iron-based superconductor LaFeAsO_(1-δ).The DC magnetization measurements indicate the existence of spin-glass ordering,and the coercive field is up to~11500 Oe(1 Oe=79.5775 A·m^(-1)).The AC magnetic susceptibility further determines that the samples evolve into a conventional spin-glass ordering state below the spin freezing temperature T_(f).In addition,the negative magnetoresistance(MR≡[ρ(H)-ρ(0)]/ρ(0))reaches-88%under 9 T. 展开更多
关键词 magnetic semiconductors SPIN-GLASS negative magnetoresistance
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Progress of novel diluted ferromagnetic semiconductors with decoupled spin and charge doping: Counterparts of Fe-based superconductors 被引量:4
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作者 郭胜利 宁凡龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期26-33,共8页
Diluted ferromagnetic semiconductors(DMSs) that combine the properties of semiconductors with ferromagnetism have potential application in spin-sensitive electronic(spintronic) devices. The search for DMS material... Diluted ferromagnetic semiconductors(DMSs) that combine the properties of semiconductors with ferromagnetism have potential application in spin-sensitive electronic(spintronic) devices. The search for DMS materials exploded after the observation of ferromagnetic ordering in Ⅲ-Ⅴ(Ga,Mn)As films. Recently, a series of DMS compounds isostructural to iron-based superconductors have been reported. Among them, the highest Curie temperature TCo f 230 K has been achieved in(Ba,K)(Zn,Mn)2As2. However, most DMSs, including(Ga,Mn)As, are p-type, i.e., the carriers that mediate the ferromagnetism are holes. For practical applications, DMSs with n-type carriers are also advantageous. Very recently,a new DMS Ba(Zn,Co)2As2 with n-type carriers has been synthesized. Here we summarize the recent progress on this research stream. We will show that the homogeneous ferromagnetism in these bulk form DMSs has been confirmed by microscopic techniques, i.e., nuclear magnetic resonance(NMR) and muon spin rotation(μSR). 展开更多
关键词 diluted ferromagnetic semiconductors homogenous ferromagnetism muon spin rotation (IxSR) nuclear magnetic resonance (NMR)
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一种具有“1111”型结构的新型稀磁半导体(La_(1-x)Sr_(x))(Zn_(1-x)Mn_(x))SbO 被引量:1
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作者 张浩杰 张茹菲 +5 位作者 傅立承 顾轶伦 智国翔 董金瓯 赵雪芹 宁凡龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期283-288,共6页
利用高温固相反应法,成功合成了一种新型块状稀磁半导体(La_(1-x)Sr_(x))(Zn_(1-x)Mn_(x))SbO(x=0.025,0.05,0.075,0.1).通过(La^(3+),Sr^(2+))、(Zn^(2+),Mn^(2+))替换,在半导体材料LaZnSbO中分别引入了载流子与局域磁矩.在各掺杂浓度... 利用高温固相反应法,成功合成了一种新型块状稀磁半导体(La_(1-x)Sr_(x))(Zn_(1-x)Mn_(x))SbO(x=0.025,0.05,0.075,0.1).通过(La^(3+),Sr^(2+))、(Zn^(2+),Mn^(2+))替换,在半导体材料LaZnSbO中分别引入了载流子与局域磁矩.在各掺杂浓度的样品中均可观察到铁磁有序相转变,当掺杂浓度x=0.1时,其居里温度Tc达到了27.1 K,2 K下测量获得的等温磁化曲线表明其矫顽力为5000 Oe.(La_(1-x)Sr_(x))(Zn_(1-x)Mn_(x))SbO与“1111”型铁基超导体母体LaFeAsO、“1111”型反铁磁体LaMnAsO具有相同的晶体结构,且晶格参数差异很小,为制备多功能异质结器件提供了可能的材料选择. 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 磁有序 矫顽力
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A novel diluted magnetic semiconductor(Ca,Na)(Zn,Mn)2Sb2 with decoupled charge and spin dopings
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作者 顾轶伦 张浩杰 +5 位作者 张茹菲 傅立承 王恺 智国翔 郭胜利 宁凡龙 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期494-497,共4页
We report the successful synthesis of a new diluted magnetic semiconductor(Ca,Na)(Zn,Mn)2Sb2.Na and Mn are doped into the parent compound CaZn2Sb2,which has the same crystal structure as that of"122"type iro... We report the successful synthesis of a new diluted magnetic semiconductor(Ca,Na)(Zn,Mn)2Sb2.Na and Mn are doped into the parent compound CaZn2Sb2,which has the same crystal structure as that of"122"type iron-based superconductor CaFe2As2.Na substitution for Ca and Mn substitution for Zn introduce carriers and spins,respectively.Doping Mn atoms alone up to 5%does not induce any type of magnetic ordering.When both Na and Mn are co-doped,a ferromagnetic ordering with maximum TC^10 K has been observed.Iso-thermal magnetization shows that the coercive field is up to^245 Oe at 2 K.Below TC,a negative magneto-resistance with MR^12%has also been achieved. 展开更多
关键词 CaZn2Sb2 magnetic ordering Curie temperature
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“1111”型稀磁半导体的研究进展 被引量:3
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作者 丁翠 宁凡龙 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2014年第11期1140-1156,共17页
我们成功地制备了载流子和自旋分离的"1111"型块材稀磁半导体(La,AE)(Zn,TM)AsO(AE=Ba,Sr;TM=Mn,Fe)居里温度TC可以达到40K.我们研究了载流子和局域磁矩对铁磁有序的调制作用,在(La1-xSrx)(Zn0.9Mn0.1)AsO(x=0.10,0.20,0.30)... 我们成功地制备了载流子和自旋分离的"1111"型块材稀磁半导体(La,AE)(Zn,TM)AsO(AE=Ba,Sr;TM=Mn,Fe)居里温度TC可以达到40K.我们研究了载流子和局域磁矩对铁磁有序的调制作用,在(La1-xSrx)(Zn0.9Mn0.1)AsO(x=0.10,0.20,0.30)中,控制Mn的浓度为10%,改变Sr的掺杂浓度,当Sr的掺杂量为10%时,我们可以观测到~30 K的铁磁转变温度;而当Sr的掺杂量达到30%时,铁磁转变温度和有效磁矩都大幅度地降低.我们运用缪子自旋共振和中子散射等微观测量手段研究了该系列材料的自旋动力学,缪子自旋共振的测量表明铁磁有序转变发生在整个样品内,即样品是块材稀磁半导体;缪子自旋共振测量得到的"1111"型稀磁半导体静态局域场振幅as与居里温度TC的关系和(Ga,Mn)As,"111"型Li(Zn,Mn)As,以及"122"型(Ba,K)(Zn,Mn)2As2一致,表明这些体系拥有相同的磁性起源机制.我们对该系列稀磁半导体的研究有利于进一步揭示包括(Ga,Mn)As在内的稀磁半导体的磁性起源机制. 展开更多
关键词 载流子 自旋 块材 稀磁半导体 μSR 中子散射 铁磁有序
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