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掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究
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作者 宁文果 朱春生 +2 位作者 李珩 徐高卫 罗乐 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期411-416,共6页
在圆片级封装电镀铜重布线工艺中通常使用退火的方法促进铜晶粒生长、使电阻减小.而作为电镀铜种子层的溅射铜表面存在的微小裂纹通常会造成电镀液无法进入,从而使电镀铜和溅射铜界面出现孔铜,这类界面缺陷将影响后续高温退火过程中铜... 在圆片级封装电镀铜重布线工艺中通常使用退火的方法促进铜晶粒生长、使电阻减小.而作为电镀铜种子层的溅射铜表面存在的微小裂纹通常会造成电镀液无法进入,从而使电镀铜和溅射铜界面出现孔铜,这类界面缺陷将影响后续高温退火过程中铜晶粒的生长,并导致电镀铜电阻增大.为研究此问题,本文尝试在电镀铜前轻微腐蚀溅射铜种子层,使裂纹尺寸变大,电镀液得以进入裂纹,并电镀填充裂纹形成无孔洞的电镀铜;此外若在电镀铜后在电镀铜表面溅射一层TaN层可限制高温下铜原子运动,使电镀铜经受300℃退火10分钟而不形成孔洞,高温退火同时可使得铜晶粒长大,电阻变小. 展开更多
关键词 电镀铜 孔洞 退火
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The effects of cure temperature history on the stability of polyimide films
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作者 宁文果 李珩 +3 位作者 朱春生 罗乐 陈栋 段珍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第6期27-31,共5页
The effects of cure temperature history on the stability of hinged structure poly(4,4-oxydiphenylene pyromellitimide)(PMDA-ODA) polyimide were studied by dynamic mechanical analysis.The polyimide films were cured ... The effects of cure temperature history on the stability of hinged structure poly(4,4-oxydiphenylene pyromellitimide)(PMDA-ODA) polyimide were studied by dynamic mechanical analysis.The polyimide films were cured under different curing conditions and peeled off by substrate etching.It was found that a proper cure time and temperature ramp rate improves the stability in terms of higher glass transition temperature.Ninety minutes at 375℃or 200℃is a beneficial high glass transition temperature.The temperature ramp rate should be between 2℃/min and 10℃/min,which is neither too high nor too low. 展开更多
关键词 curing of polymers POLYIMIDE STABILIZATION DMA
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