鲜(干)白背枫花序挥发油成分的GC-MS分析

白背枫是中华民族药用植物资源之一,不仅在医疗方面发挥作用,还可以作为蜜源植物提取挥发油,具有一定的开发价值。迄今为止,对白背枫(又名七里香)香气成分的研究报道较为有限。文章采用水蒸气蒸馏法提取得到白背枫鲜花序和干花序的挥发油,并采用气相色谱-质谱联用技术(GC-MS)进行分析。结果显示,白背枫鲜花序和干花序的挥发油中分别含有主要化学成分37种和48种,其中共有成分有7种。同时,还对其主要成分的应用价值进行了介绍,以期为白背枫挥发油的开发利用提供参考。

白背枫的化学成分和药理活性研究

白背枫(Buddleja asiatica Lour)为马钱科醉鱼草属植物,原植物为亚洲醉鱼草,全株有毒,民间用来毒鱼,同时还是一种具有杀虫作用的观光型植物。白背枫的根、茎叶具有祛风化湿,行气活血等功效。目前,有关白背枫的研究主要集中在生态修复功能、园林应用、扦插繁殖和生药鉴别等领域。而与之香气成分的醉鱼功效及药用价值相关的化学成分研究并不深入,国内外仅有少量文献报道。文章根据已发表文献,对白背枫的化学成分和药理活性研究进行综述,以期为白背枫后续研究提供借鉴。

白背枫枝叶的化学成分研究

目的:研究白背枫Buddleja asiatica Lour.枝叶的化学成分。方法:经MCI gel、硅胶、C_(18)反相硅胶、Sephadex LH-20凝胶等柱色谱方法进行分离纯化,利用1D-NMR、2D-NMR并结合理化性质鉴定其结构。结果:从白背枫枝叶中分离得到20个化合物,分别鉴定为:正十六烷(1)、肉桂酸(2)、对甲氧基肉桂醛(3)、异阿魏酸(4)、1-油酸单甘油酯(5)、齐墩果酸(6)、高圣草素(7)、globularin(8)、米内苷(9)、2α-羟基乌苏酸(10)、6-羟基木犀草素-7-O-β-D-葡萄糖苷(11)、车前苷(12)、1,6-di-O-caffeoyl-β-D-glucopyranoside (13)、6-O-caffeoyl ajugol (14)、毛蕊花糖苷(15)、nudifloside (16)、β-香树脂醇(17)、咖啡酸(18)、熊果酸(19)、胡萝卜苷(20)。其中,化合物2~5、7、8、10~12、18~20为首次从该植物中分离得到。

InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究

采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺。利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器,峰值探测率为1.04×1012cmHz1/2W-1。

空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文)

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。

平面型2．6μmInGaAs红外探测器变温特性研究

通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109cmHz1/2/W。

InGaAs台面探测器的AlN钝化研究

首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λc=2.4μm)。探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP外延材料。由于台面型器件的裸露面积较大,特别是台面的成形工艺所带来的侧面损伤,加大了光生载流子的表面复合,使器件的暗电流、噪声等性能急剧下降。采用新的AlN钝化工艺,制备了8元正照射台面InGaAs探测器,室温下(T=300K)电压为-0.5V时,探测器的暗电流(ID)约为9×10-8A,优值因子(R0A)大于30Ωcm2,通过与其他钝化工艺所制备的器件的性能进行分析对比得出:AlN能有效地改善器件的表面状态,减小表面复合,从而降低了暗电流,提高了探测器的性能。

DX桩在武汉某高层建筑中的应用

DX 桩是通过发挥桩身各承力扩大盘阻力的作用,以达到大幅提高单桩竖向承载力的一种新型钻孔灌注桩,本文介绍了DX

InGaAs探测器性能与结面积和周长的关系研究

对不同结面积和周长的正照射台面型InGaAs光伏探测器(λc=2.4μm)的性能进行了对比分析,得到了探测器的暗电流、噪声、响应信号以及优值因子(RoA)等性能参数与器件的台面面积、光敏感区面积、周长以及形状等设计参数的关系,其中台面面积的大小是影响台面型InGaAs光伏探测器p+-n--n+结结区特性的主要因素之一。